由中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（以下簡(jiǎn)稱“中科院微電子所”）設(shè)計(jì)研發(fā)的絕緣柵控雙極晶體管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，簡(jiǎn)稱IGBT”）系列產(chǎn)品于日前在華潤(rùn)微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）的工藝平臺(tái)上流片成功，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，標(biāo)志著華潤(rùn)微電子擁有了國(guó)內(nèi)第一條完整通過(guò)客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證的IGBT工藝線，雙方正密切合作以進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)進(jìn)程，以協(xié)助推進(jìn)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)化的目標(biāo)。

這次流片成功的產(chǎn)品采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)，規(guī)格為15-43A /1200V。這個(gè)產(chǎn)品面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域，目前正由國(guó)內(nèi)著名的家電企業(yè)客戶試用評(píng)估。

華潤(rùn)微電子有限公司長(zhǎng)期以來(lái)提倡產(chǎn)學(xué)研合作的模式，與國(guó)內(nèi)著名科研院所及大學(xué)在新型電力電子器件方面的技術(shù)合作由來(lái)已久。在此IGBT項(xiàng)目合作前，雙方曾聯(lián)合電子科技大學(xué)申請(qǐng)并成功獲得了國(guó)家新型電力電子項(xiàng)目的支持。在IGBT項(xiàng)目得到階段性成果之時(shí)，雙方將繼續(xù)發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步在包括IGBT等方面的節(jié)能降耗領(lǐng)域展開(kāi)密切的合作。

根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)資料，2009年中國(guó)IGBT的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)38.2億人民幣，預(yù)期2010年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為41.4億元人民幣，較2009年成長(zhǎng)8.4%。到2011年與2012年分別達(dá)45.3與50.6億元人民幣，增長(zhǎng)率分別為9.4%與11.7% 。更有半導(dǎo)體機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)IGBT在2010年在中國(guó)的成長(zhǎng)將達(dá)到25%以上。面對(duì)強(qiáng)大的市場(chǎng)需求，中國(guó)目前還沒(méi)有一條完整的IGBT生產(chǎn)線可以提供終端客戶使用，因此必須依賴進(jìn)口。

IGBT由雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱“BJT”）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱“MOSFET”）相結(jié)合的電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。既有功率MOSFET 輸入阻抗高，控制功率小，易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。在提倡節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟(jì)的時(shí)代，具備節(jié)能效率高，便于規(guī)?；a(chǎn)，較易實(shí)現(xiàn)節(jié)能智慧化等優(yōu)點(diǎn)的IGBT已成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的主流技術(shù)。IGBT主要用在家電產(chǎn)品、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通、照明、消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及汽車(chē)電子等，而智能電網(wǎng)、高速鐵路、新能源汽車(chē)為IGBT開(kāi)辟了更加廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)。