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英特爾計劃在IEDM上推出32納米工藝

時間：2008-11-03 06:42:34

關(guān)鍵字：英特爾 DM 晶體管驅(qū)動電流

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[導(dǎo)讀]在即將舉行的2008年IEEE國際電子器件大會(IEDM)，英特爾公司計劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。根據(jù)IEDM文件，英特爾公司建立了一個基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測試芯片，單元尺寸為0.17

在即將舉行的2008年IEEE國際電子器件大會(IEDM)，英特爾公司計劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。

根據(jù)IEDM文件，英特爾公司建立了一個基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測試芯片，單元尺寸為0.171平方微米。該器件集成了近20億個晶體管和4.2Mbit2的矩陣密度。

測試芯片工作在3.8GHz的頻率上，工作電壓為1.1伏。英特爾計劃開發(fā)其首款32納米的沉浸光刻掃描儀。此前193納米的設(shè)備來自尼康公司。該工藝還利用了第二代高h/金屬門技術(shù)、緊縮頻道、以及9個等級的低k電介質(zhì)互聯(lián)技術(shù)。此外根據(jù)報道，該工藝還可以產(chǎn)生目前32納米的最大驅(qū)動電流。NMOS飽和驅(qū)動電流為1.55毫安，而傳統(tǒng)的PMOS驅(qū)動電流為1.21毫安。

在IEDM上，還會有其他重要的產(chǎn)品推出。HRL實驗室將介紹其RF CMOS與磷化銦(InP)晶體管的集成技術(shù)。根據(jù)該介紹文件稱，“磷化銦晶體管與其它硅質(zhì)晶體管相比，速度更快，但密集的磷化銦集成電路因技術(shù)不成熟而尚未批量生產(chǎn)?！?/FONT>

據(jù)稱，HRL已經(jīng)將高性能的250納米、300GHz的ft/fmax磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(DHBTs)與IBM公司已有的130納米RF-CMOS晶圓集成在一起。

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