Spansion公司再度攜手臺積電，以提高其NOR閃存產(chǎn)能。它與臺積電簽署了協(xié)議，由后者在40納米及更小節(jié)點上為其生產(chǎn)MirrorBit。共同開發(fā)MirrorBit技術(shù)在40nm及更先進的制程下的衍生技術(shù)(Variations)。根據(jù)協(xié)議，Spansion將利用雙方共同開發(fā)的MirrorBit衍生技術(shù)來擴展其在新領(lǐng)域的適用性，同時臺積電負責(zé)制程生產(chǎn)的驗證，并計劃實現(xiàn)將Spansion先進的閃存技術(shù)投入量產(chǎn)。關(guān)于協(xié)議的具體條款并未透露。 

    該協(xié)議是雙方以前合作關(guān)系的延續(xù)。臺積電也在110納米和90納米節(jié)點上生產(chǎn)MirrorBit，它在2006年第二季度開始提高110納米產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計將在數(shù)月內(nèi)開始生產(chǎn)90納米產(chǎn)品。 

    雙方未透露計劃何時開始生產(chǎn)40納米器件，但2009年以前似乎不太可能。預(yù)計臺積電在2008年以前不會推出45納米制程，而Spansion在2008年中期以前不會提高其內(nèi)部45納米器件的產(chǎn)量。

    Spansion和臺積電此前簽署過一份關(guān)于110nm和90nm MirrorBit技術(shù)的協(xié)議。臺積電從2006年第二季度開始以110nm制程生產(chǎn)Spansion閃存晶圓。預(yù)計采用90nm MirrorBit技術(shù)的產(chǎn)品將在2007年中旬采用300mm晶圓進行量產(chǎn)。


    為了使業(yè)務(wù)多元化，臺積電的對手聯(lián)電也計劃增加閃存業(yè)務(wù)，考慮在其65納米和45納米節(jié)點上生產(chǎn)NAND閃存。