[導讀] 據(jù)EETimes網(wǎng)站報道，英國X射線計量系統(tǒng)供應(yīng)商BedeX-rayMetrology日前表示，Sematech將使用其X-ray計量系統(tǒng)評估45nm及以后制程節(jié)電的新型半導體材料，從而加速Bede的X-ray技術(shù)的上商用化。
據(jù)悉，Bede的X-ray
據(jù)EETimes網(wǎng)站報道，英國X射線計量系統(tǒng)供應(yīng)商BedeX-rayMetrology日前表示，Sematech將使用其X-ray計量系統(tǒng)評估45nm及以后制程節(jié)電的新型半導體材料，從而加速Bede的X-ray技術(shù)的上商用化。
據(jù)悉，Bede的X-ray計量系統(tǒng)將被Sematech的研究人員用于包括SiGe、金屬柵極和high-k電介質(zhì)在內(nèi)的前沿前段材料的研發(fā)。具體而言，上述系統(tǒng)將用于幫助研發(fā)人員研究high-k電介質(zhì)和金屬電極中存在的晶相和結(jié)晶度，以及SiGe薄膜中應(yīng)力的測定。
據(jù)悉，Bede的X-ray計量系統(tǒng)將被Sematech的研究人員用于包括SiGe、金屬柵極和high-k電介質(zhì)在內(nèi)的前沿前段材料的研發(fā)。具體而言，上述系統(tǒng)將用于幫助研發(fā)人員研究high-k電介質(zhì)和金屬電極中存在的晶相和結(jié)晶度，以及SiGe薄膜中應(yīng)力的測定。
Sematech公司的高級研究員AlainDiebold在一份聲明中表示，high-k材料的晶向和結(jié)晶度會影響器件的電氣特性，使用XRD（X射線衍射分析儀）可以幫助研究人員調(diào)整工藝，加速high-k電介質(zhì)的開發(fā)。當前XRD是測量SiGe中的應(yīng)力和成分的先進技術(shù)。
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