2005年9月,三星電子曾首次采用50納米制造技術開發(fā)出了16Gb容量的NAND閃存記憶芯片。前不久,該公司宣布首次采用40納米制造技術開發(fā)出了32Gb容量的NAND閃存芯片。這一技術極大地提高了NAND閃存記憶芯片的使用壽命,也使這種芯片在數碼相機、mp3播放器以及其他多媒體工具上得到廣泛應用。
三星電子公司總裁黃昌圭表示,新產品有更高的可靠性,還可以更好地控制數據存儲。
2005年9月,三星電子曾首次采用50納米制造技術開發(fā)出了16Gb容量的NAND閃存記憶芯片。前不久,該公司宣布首次采用40納米制造技術開發(fā)出了32Gb容量的NAND閃存芯片。這一技術極大地提高了NAND閃存記憶芯片的使用壽命,也使這種芯片在數碼相機、mp3播放器以及其他多媒體工具上得到廣泛應用。
三星電子公司總裁黃昌圭表示,新產品有更高的可靠性,還可以更好地控制數據存儲。