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[導(dǎo)讀]內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式面臨崩解,產(chǎn)業(yè)觀察家認(rèn)為,解決之道是更理性的行為以及整并。以上是一場(chǎng)于美國(guó)舉行的、探討內(nèi)存技術(shù)與市場(chǎng)趨勢(shì)的Memcon研討會(huì)上,某業(yè)界高層所發(fā)表的看法。持續(xù)低迷的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣讓所有的供貨商

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式面臨崩解,產(chǎn)業(yè)觀察家認(rèn)為,解決之道是更理性的行為以及整并。以上是一場(chǎng)于美國(guó)舉行的、探討內(nèi)存技術(shù)與市場(chǎng)趨勢(shì)的Memcon研討會(huì)上,某業(yè)界高層所發(fā)表的看法。

持續(xù)低迷的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣讓所有的供貨商荷包大失血,他們之中有不少都面臨巨額虧損;而且奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)與Spansion已經(jīng)分別申請(qǐng)破產(chǎn)。誰(shuí)會(huì)是下一個(gè)?產(chǎn)業(yè)觀察家現(xiàn)在懷疑臺(tái)灣的眾家DRAM制造商可能撐不下去,甚至認(rèn)為就連Elpida、Hynix與Micron等大廠也命在旦夕。

不過(guò)也有人預(yù)期,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將在09年第四季或2010年第一季復(fù)蘇;其它人則不能確定,因?yàn)槭袌?chǎng)需求與內(nèi)存平均銷售價(jià)格(ASP)仍然疲軟。

“內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)崩解。”一家新創(chuàng)非揮發(fā)性內(nèi)存供貨商Unity Semiconductor董事長(zhǎng)、總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Darrell Rinerson表示,供貨商們正在為生存而相互斗爭(zhēng),而誰(shuí)將能成為產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的最后幸存者,將取決于供貨商的心態(tài)。

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的低迷時(shí)期已經(jīng)持續(xù)多年,該市場(chǎng)衰退的原因包括需求不振、價(jià)格疲軟以及供應(yīng)過(guò)剩。眼前的蕭條情況沒(méi)什么特殊之處,需求水平仍然低落,而且最近剛有過(guò)一波無(wú)節(jié)制的、不理性的產(chǎn)能擴(kuò)充潮發(fā)生,尤其是在臺(tái)灣。

但Rinerson認(rèn)為,這一次內(nèi)存產(chǎn)業(yè)衰退在某些方面又與過(guò)去的景氣循環(huán)時(shí)期有所不同。在過(guò)去,景氣大好時(shí)能讓供貨商賺到不少現(xiàn)金,可直接用于新資本設(shè)備的添購(gòu)或產(chǎn)品的創(chuàng)新,而現(xiàn)在,榮景雖能帶來(lái)現(xiàn)金,作為資本支出卻嫌太少:“供貨商沒(méi)有足夠的現(xiàn)金來(lái)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。”

對(duì)Rinerson來(lái)說(shuō),產(chǎn)業(yè)前景是黯淡無(wú)光的,沒(méi)有征兆顯示內(nèi)存產(chǎn)業(yè)模式能夠被修復(fù),尤其多數(shù)內(nèi)存業(yè)者都負(fù)債累累,不再是創(chuàng)新者;當(dāng)內(nèi)存供貨商們無(wú)法逃出嚴(yán)重的負(fù)債循環(huán),內(nèi)存產(chǎn)業(yè)模式也就會(huì)持續(xù)往下墮落。

半導(dǎo)體分析師鼓吹內(nèi)存制造商整并已有好一段時(shí)間,他們已經(jīng)將政府金援策略擱在一邊,認(rèn)為只有整并才能使內(nèi)存產(chǎn)業(yè)恢復(fù)獲利與健全;分析師并指出,內(nèi)存供貨商必須在產(chǎn)能擴(kuò)充與產(chǎn)品定價(jià)上采取更理性的態(tài)度。

這些呼吁大多數(shù)是直指臺(tái)灣的內(nèi)存供貨商,但當(dāng)?shù)氐腄RAM廠已對(duì)整并表示抗拒。

幸好內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還有一線生機(jī)──據(jù)Rinerson表示,新一代內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)邁入成熟階段,特別是服務(wù)器等系統(tǒng)應(yīng)用的儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存(storage-class memories);所謂的儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存,號(hào)稱是可作為處理器與系統(tǒng)磁盤(pán)之間I/O間距(gap)之橋梁的新一代組件。

儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存包括部份(非全部)所謂的通用內(nèi)存(universal memory'),例如FRAM、MRAM、相變化(phase-change)、RRAM等新技術(shù);不過(guò)這些新一代技術(shù)大部份距離實(shí)現(xiàn)還有數(shù)年,有人甚至懷疑這些新技術(shù)是否能真的脫離原型階段進(jìn)入量產(chǎn)。

因此產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)公司JLC Associates總裁Jim Cantore認(rèn)為,大多數(shù)的新內(nèi)存技術(shù)恐怕暫時(shí)難以擺脫窘境,而現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)如DRAM、NAND與NOR,將繼續(xù)擴(kuò)張它們的市場(chǎng)版圖并開(kāi)創(chuàng)新應(yīng)用。

新一代內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)者還在積極開(kāi)發(fā)產(chǎn)品,他們也有很好的理由──市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research執(zhí)行長(zhǎng)Alan Niebel估計(jì),儲(chǔ)存級(jí)內(nèi)存市場(chǎng)將在09年由0達(dá)到5,000萬(wàn)美元,甚至在2015年擴(kuò)張到60億美元。

在該領(lǐng)域也有不少?gòu)S商,Unity Semiconductor就是其中之一,該公司的CMOx技術(shù)是以一種稱為導(dǎo)電金屬氧化物(conductive metal oxides)的新材料為基礎(chǔ),據(jù)說(shuō)能導(dǎo)致離子運(yùn)動(dòng);利用該技術(shù),Unity Semiconductor開(kāi)發(fā)出一種被動(dòng)式可重復(fù)讀寫(xiě)交叉點(diǎn)內(nèi)存數(shù)組(passive rewritable crosspoint memory array),號(hào)稱在內(nèi)存單元內(nèi)不需要晶體管。

另外還有一家新創(chuàng)公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出現(xiàn),說(shuō)他們正在開(kāi)發(fā)一種以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(silicon carbide,SiC)材料為基礎(chǔ)的、采用硅基板的非揮發(fā)性內(nèi)存。

另兩家內(nèi)存大廠Numonyx與Samsung Electronics,不久前也宣布將連手開(kāi)發(fā)相變化內(nèi)存技術(shù),預(yù)計(jì)今年可訂出共同規(guī)格,并在2010年推出產(chǎn)品。

新組件也需要新的標(biāo)準(zhǔn);Numonyx表示,以JEDEC 42.6為基礎(chǔ)的LPDDR2接口將成為新一代1Gbit、45nm制程內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn),目標(biāo)應(yīng)用于手機(jī)、嵌入式內(nèi)存與高階運(yùn)算裝置。手機(jī)大廠Nokia也支持該標(biāo)準(zhǔn);據(jù)了解,該公司計(jì)劃在手機(jī)內(nèi)使用相變化內(nèi)存技術(shù),這也是促使Numonyx與Samsung策略聯(lián)盟的主因。

至于傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的前景,狀況則有些復(fù)雜;分析師表示,包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等內(nèi)存接口IP供貨商的業(yè)績(jī),目前已看到好轉(zhuǎn)。NOR/NAND閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)在09年達(dá)到185億美元規(guī)模,較08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel預(yù)期,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的衰退情況將在今年第四季或明年第一季終止,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)趨于穩(wěn)定,多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域也開(kāi)始看到微幅需求成長(zhǎng)。JLC的Cantore補(bǔ)充指出:“NAND市場(chǎng)的恢復(fù)速度會(huì)比DRAM市場(chǎng)來(lái)得快?!?/p>

在DRAM市場(chǎng)部份,Lazard Capital Markets分析師Daniel Amir表示,DRAM價(jià)格平穩(wěn),若狀況持續(xù),DRAM廠商可能會(huì)開(kāi)始提升產(chǎn)能;目前整體DRAM庫(kù)存水位也在低點(diǎn)。

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