內存產業(yè)的經(jīng)營模式面臨崩解，產業(yè)觀察家認為，解決之道是更理性的行為以及整并。以上是一場于美國舉行的、探討內存技術與市場趨勢的Memcon研討會上，某業(yè)界高層所發(fā)表的看法。

持續(xù)低迷的內存產業(yè)景氣讓所有的供貨商荷包大失血，他們之中有不少都面臨巨額虧損；而且奇夢達(Qimonda)與Spansion已經(jīng)分別申請破產。誰會是下一個？產業(yè)觀察家現(xiàn)在懷疑臺灣的眾家DRAM制造商可能撐不下去，甚至認為就連Elpida、Hynix與Micron等大廠也命在旦夕。

不過也有人預期，內存產業(yè)將在09年第四季或2010年第一季復蘇；其它人則不能確定，因為市場需求與內存平均銷售價格(ASP)仍然疲軟。

“內存產業(yè)經(jīng)營模式已經(jīng)崩解?！币患倚聞?chuàng)非揮發(fā)性內存供貨商Unity Semiconductor董事長、總裁暨執(zhí)行長Darrell Rinerson表示，供貨商們正在為生存而相互斗爭，而誰將能成為產業(yè)復蘇的最后幸存者，將取決于供貨商的心態(tài)。

內存產業(yè)的低迷時期已經(jīng)持續(xù)多年，該市場衰退的原因包括需求不振、價格疲軟以及供應過剩。眼前的蕭條情況沒什么特殊之處，需求水平仍然低落，而且最近剛有過一波無節(jié)制的、不理性的產能擴充潮發(fā)生，尤其是在臺灣。

但Rinerson認為，這一次內存產業(yè)衰退在某些方面又與過去的景氣循環(huán)時期有所不同。在過去，景氣大好時能讓供貨商賺到不少現(xiàn)金，可直接用于新資本設備的添購或產品的創(chuàng)新，而現(xiàn)在，榮景雖能帶來現(xiàn)金，作為資本支出卻嫌太少：“供貨商沒有足夠的現(xiàn)金來實現(xiàn)創(chuàng)新?！?/p>

對Rinerson來說，產業(yè)前景是黯淡無光的，沒有征兆顯示內存產業(yè)模式能夠被修復，尤其多數(shù)內存業(yè)者都負債累累，不再是創(chuàng)新者；當內存供貨商們無法逃出嚴重的負債循環(huán)，內存產業(yè)模式也就會持續(xù)往下墮落。

半導體分析師鼓吹內存制造商整并已有好一段時間，他們已經(jīng)將政府金援策略擱在一邊，認為只有整并才能使內存產業(yè)恢復獲利與健全；分析師并指出，內存供貨商必須在產能擴充與產品定價上采取更理性的態(tài)度。

這些呼吁大多數(shù)是直指臺灣的內存供貨商，但當?shù)氐腄RAM廠已對整并表示抗拒。

幸好內存產業(yè)還有一線生機──據(jù)Rinerson表示，新一代內存技術已經(jīng)邁入成熟階段，特別是服務器等系統(tǒng)應用的儲存級內存(storage-class memories)；所謂的儲存級內存，號稱是可作為處理器與系統(tǒng)磁盤之間I/O間距(gap)之橋梁的新一代組件。

儲存級內存包括部份(非全部)所謂的通用內存(universal memory')，例如FRAM、MRAM、相變化(phase-change)、RRAM等新技術；不過這些新一代技術大部份距離實現(xiàn)還有數(shù)年，有人甚至懷疑這些新技術是否能真的脫離原型階段進入量產。

因此產業(yè)顧問公司JLC Associates總裁Jim Cantore認為，大多數(shù)的新內存技術恐怕暫時難以擺脫窘境，而現(xiàn)有的內存技術如DRAM、NAND與NOR，將繼續(xù)擴張它們的市場版圖并開創(chuàng)新應用。

新一代內存技術的開發(fā)者還在積極開發(fā)產品，他們也有很好的理由──市場研究機構Web-Feet Research執(zhí)行長Alan Niebel估計，儲存級內存市場將在09年由0達到5,000萬美元，甚至在2015年擴張到60億美元。

在該領域也有不少廠商，Unity Semiconductor就是其中之一，該公司的CMOx技術是以一種稱為導電金屬氧化物(conductive metal oxides)的新材料為基礎，據(jù)說能導致離子運動；利用該技術，Unity Semiconductor開發(fā)出一種被動式可重復讀寫交叉點內存數(shù)組(passive rewritable crosspoint memory array)，號稱在內存單元內不需要晶體管。

另外還有一家新創(chuàng)公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出現(xiàn)，說他們正在開發(fā)一種以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(silicon carbide，SiC)材料為基礎的、采用硅基板的非揮發(fā)性內存。

另兩家內存大廠Numonyx與Samsung Electronics，不久前也宣布將連手開發(fā)相變化內存技術，預計今年可訂出共同規(guī)格，并在2010年推出產品。

新組件也需要新的標準；Numonyx表示，以JEDEC 42.6為基礎的LPDDR2接口將成為新一代1Gbit、45nm制程內存的標準，目標應用于手機、嵌入式內存與高階運算裝置。手機大廠Nokia也支持該標準；據(jù)了解，該公司計劃在手機內使用相變化內存技術，這也是促使Numonyx與Samsung策略聯(lián)盟的主因。

至于傳統(tǒng)內存技術的前景，狀況則有些復雜；分析師表示，包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等內存接口IP供貨商的業(yè)績，目前已看到好轉。NOR/NAND閃存市場預計在09年達到185億美元規(guī)模，較08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel預期，整體內存產業(yè)的衰退情況將在今年第四季或明年第一季終止，內存價格已經(jīng)趨于穩(wěn)定，多個應用領域也開始看到微幅需求成長。JLC的Cantore補充指出：“NAND市場的恢復速度會比DRAM市場來得快。”

在DRAM市場部份，Lazard Capital Markets分析師Daniel Amir表示，DRAM價格平穩(wěn)，若狀況持續(xù)，DRAM廠商可能會開始提升產能；目前整體DRAM庫存水位也在低點。