據(jù)報道，微軟近日宣布加入HMC組織，該組織是由美光、三星、IBM、Open-Silicon以及Xilinx組成，目的是制定與現(xiàn)有RAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)兼容的HMC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

HMC(Hybrid Memory Cube，混合內(nèi)存魔方)被視為RAM技術(shù)的未來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其帶寬有極大增長，內(nèi)存延遲大幅降低，而功耗更低。簡單來說，HMC內(nèi)存也是一種芯片3D堆疊技術(shù)，多層RAM電路可以層疊在一起，內(nèi)存性能是現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的20倍，而功耗只有后者十分之一。

▲HMC內(nèi)存想象圖，立體堆疊設(shè)計看起來真的很像魔方

HMC組織主要致力于標(biāo)準(zhǔn)化HMC內(nèi)存界面，力爭與現(xiàn)有內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)兼容，預(yù)計今年晚些時候會制定出一個最終規(guī)范，微軟的加入有望加速HMC內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化工作。

不過目前為止，這些還只是技術(shù)上的探討，3D堆疊工藝的HMC還沒有實(shí)用化，IBM一直走在3D芯片研發(fā)的前列，去年就曾和3M聯(lián)手開發(fā)芯片堆疊工藝使用的黏合劑，而GF半導(dǎo)體不久前也宣布了正在安裝相應(yīng)的設(shè)備，以便在20nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用芯片堆疊工藝。

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