倫敦大學研究人員宣布，他們拿出了第一個純粹基于氧化硅的電阻RAM（ReRAM）內(nèi)存芯片。該芯片可以在室溫環(huán)境當中正常工作，因此可以用在未來超快內(nèi)存上。

ReRAM內(nèi)存芯片的基礎材料，在施加電壓情況下會改變電阻，使它們可以不需要電能就能保存數(shù)據(jù)。這些芯片以更少的電力和空間消耗，帶來比目前芯片大得多的存儲空間。

倫敦大學電子和電氣工程學院的研發(fā)人員表示，和目前閃存芯片相比，ReRAM內(nèi)存芯片能耗只有其千分之一，存儲速度卻要快上數(shù)百倍。

ReRAM室溫運行特點，加上連續(xù)可變電阻特性，使其有巨大的潛在應用范圍。研發(fā)人員表示，不像其他研發(fā)中的氧化硅芯片，其設備不需要真空工作環(huán)境，因此更便宜，更耐用。

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