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2010決勝年　ASML 主攻38納米、EUV設(shè)備

時間：2009-10-12 09:22:34

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[導(dǎo)讀]全球最大半導(dǎo)體微顯影設(shè)備業(yè)者ASML表示，目前客戶訂單增加相當(dāng)多，但主是來自半導(dǎo)體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴(kuò)充的需求，半導(dǎo)體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導(dǎo)體制程，摩爾定律預(yù)料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進(jìn)的浸潤式微顯影機(jī)種

全球最大半導(dǎo)體微顯影設(shè)備業(yè)者ASML表示，目前客戶訂單增加相當(dāng)多，但主是來自半導(dǎo)體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴(kuò)充的需求，半導(dǎo)體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導(dǎo)體制程，摩爾定律預(yù)料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進(jìn)的浸潤式微顯影機(jī)種來看，新一代的機(jī)種NXT 1950i 也已于2009年下半出貨，未來將快速增加出貨，同時深紫外光(EUV)也至少囊括5套客戶訂單，對ASML來說2010年將是極重要的一年。

ASML NXT技術(shù)平臺資深經(jīng)理Frank van de Mast指出，XT1900Hi的下一代機(jī)種NXT 1950i目前可因應(yīng)38納米制程技術(shù)，但在疊影技術(shù)上可以做到更為精密的程度達(dá)2納米，而且產(chǎn)出速度更快，1小時產(chǎn)出可達(dá)175~200片晶圓。外界預(yù)測，采用ASML NXT 1950i最精密的浸潤式顯影機(jī)種多半的客戶訂單應(yīng)該來自存儲器晶圓廠。

此外，在頗受業(yè)界矚目的深紫外光(EUV)方面，ASML所采用的Cymer光源已可以從20瓦提高到75瓦，達(dá)到1小時生產(chǎn)60片晶圓不成問題，預(yù)計可在2010年達(dá)到此目標(biāo)，并計劃在2014年達(dá)到每小時180片晶圓的高生產(chǎn)率。

EUV 微顯影系統(tǒng)副總Ron Kool指出，EUV平臺NXE 3100預(yù)期2010年可以做到27納米，ASML對于EUV有相當(dāng)完整、積極的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)畫，預(yù)期在NXE 3100之后相繼推出NXE3300B等后續(xù)機(jī)種持續(xù)提高生產(chǎn)力，最快預(yù)計將在2012年第1季問世，足以因應(yīng)22~16納米以下制程所需。

ASML 目前至少已經(jīng)確保從6家客戶端獲得來自5套EUV系統(tǒng)訂單，包括三星電子(Samsung Electronics)及超微(AMD)晶圓生產(chǎn)部門都采用EUV開發(fā)新產(chǎn)品，且ASML與三星的技術(shù)藍(lán)圖幾乎緊密相關(guān)。

ASML 研發(fā)副總Jos Benschop亦表示，盡管目前業(yè)界在雙重曝光顯影之后也有提出三重曝光(triple patterning)技術(shù)，技術(shù)上是可行的，不過他認(rèn)為更重要的是經(jīng)濟(jì)規(guī)模能否降低成本，以目前深紫外光所能達(dá)到的技術(shù)突破，在成本上已經(jīng)可以因應(yīng)量產(chǎn)，使三重曝光顯影技術(shù)更有競爭力。

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