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[導(dǎo)讀]隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力,近期積極招募各方好手,除舉辦各類(lèi)競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員,亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式,搶大

隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力,近期積極招募各方好手,除舉辦各類(lèi)競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員,亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式,搶大專(zhuān)院校新鮮人,希望未來(lái)在2x奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)腳步更領(lǐng)先,進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)者差距。

臺(tái)積電2010年大興土木,除中科晶圓十五廠(Fab 15)動(dòng)土,LED廠預(yù)計(jì)2010年底前設(shè)備進(jìn)廠,薄膜太陽(yáng)能廠亦即將動(dòng)工,在產(chǎn)能不斷提高下,亟需培養(yǎng)人才,2010年初增聘3,000人,另外有 2,000個(gè)派遣職缺將于10月前全數(shù)轉(zhuǎn)為正職,6月初宣布再征求3,000人,總計(jì)全年新增8,000人。

半導(dǎo)體業(yè)者指出,其實(shí)近年來(lái)電子業(yè)征才普遍不易,尤其具備半導(dǎo)體制程能力的人才欠缺,主要系因大環(huán)境資源分配多傾向培養(yǎng)design house人才,使得擁有制程能力人才數(shù)量越來(lái)越少。此外,盡管政府有研發(fā)替代役名額,然2010年僅有80個(gè)名額,為此臺(tái)積電已率先啟動(dòng)預(yù)聘制度,在大學(xué)畢業(yè)前就先給予正式聘雇書(shū),亦即大學(xué)生可提前20個(gè)月拿到聘書(shū),待服完兵役再前往臺(tái)積電報(bào)到就業(yè)。

事實(shí)上,不論外在經(jīng)濟(jì)如何變化,臺(tái)積電都給予預(yù)聘人才工作機(jī)會(huì)保障,2010年預(yù)聘名額達(dá)300~400人,往年報(bào)到率超過(guò)8成。臺(tái)積電研發(fā)組織資深副總蔣尚義指出,2010年臺(tái)積電擁有 200多億元研發(fā)經(jīng)費(fèi),希望優(yōu)秀人才加入臺(tái)積電。為對(duì)抗三星與全球晶圓來(lái)勢(shì)洶洶,臺(tái)積電將原本已退休的蔣尚義延攬回鍋掌研發(fā)兵符,全力在2x奈米以下先進(jìn)制程搶先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,并拉開(kāi)差距。

臺(tái)積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)指出,目前臺(tái)積電在20奈米制程采用浸潤(rùn)式微影及雙重曝光 (double-patterning)技術(shù),在2x奈米以下,臺(tái)積電則采取深紫外光(EUV)與無(wú)光罩電子束(e-beam)技術(shù)同步并進(jìn),日前已采用 Mapper多重電子束技術(shù),成功試產(chǎn)20奈米DRAM芯片,由于電子束相較于EUV不用光罩,大幅降低成本。

另外,臺(tái)積在新竹晶圓十二廠(Fab 12)亦有1臺(tái)ASML的EUV機(jī)臺(tái),正進(jìn)行研發(fā)中。臺(tái)積電指出,在兩種技術(shù)上齊頭并進(jìn),希望未來(lái)能讓客戶不論是采用哪里種技術(shù),都不需要擔(dān)心,能放心將設(shè)計(jì)交給臺(tái)積電進(jìn)行生產(chǎn)制造。

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