市場調查公司Gartner發(fā)布最新半導體設備市場預測，2010年增長一倍以上，達122%，但是2011年及2012年分別僅增長10%及7.4%，速度明顯的放慢。

然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse， 它對2011年的設備看法， 由原先增長20%，下調至下降10%， 反差之大讓人驚慌。并預計2011年全球半導體設備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經濟不確定的前景， 整個技術供應鏈的市場需求不足，尤其是存儲器與代工市場的變弱。Muse認為，未來的態(tài)勢與之前工業(yè)曾經歷過的態(tài)勢非常相似， 如2004-2006的周期， 在2004年增長60%之后， 緊接著2005年持平及2006年又一個19%的增長。

利用簡單的計算，Muse計算出 對于前道制造設備(WFE)Q3 2010的訂單為260-340億美元，意味著2011年WFE的訂單很快達到峰頂，從Q4 2010開始， 尤其是Q1 2011將繼續(xù)下降。

Muse著重提出有一件事， 由SICAS報告的數(shù)據(jù)， 從此次市場需求的小循環(huán)看，2010年上半年的產能僅很小量的增加，0，3%，而2009年的產能下降達11%，反映目前的產能遠未回復到09年之前的水平。另外，SICAS還提出， 先進制程(<60nm) 的產能僅增加近500kwspm(每月50萬片)， 所以沒有富余的產能， 尤其是尺寸縮小變得越來越困難(即浸入式光刻設備交貨延遲)， 這表示此次投資的增大將延續(xù)到2012年。Muse認為推動此波關鍵增長是NAND， 而DRAM的市場需求隨著價格下降， 及智能手機和iPad的需求增長會出現(xiàn)起伏， 但是能推動代工業(yè)務增長。

總體上，Muse對于2011年看到4個趨勢;

代工的設備訂單上升， 這是源自全球代工再次燃起競爭， 如GlobalFoundries及Samsung欲與臺積電爭高低。

NAND市場需求上升， 有3-4個大型NAND閃存項目上馬， 將推動投資升高。

韓國投資上升， 韓國半導體繼續(xù)盈利， 所以它們繼續(xù)投資DRAM， 更多的在技術升級，而不是產能增加。

臺灣地區(qū)有足夠多的資金。在Formosa Plastics的邦助下，南亞/Inotera繼續(xù)投資。

2011年投資下降的若干方面;

邏輯電路， 2011與2010年相比下降5%。原因是一方面在英特爾領導下的反周期投資及22nm推動上升， 但是其它邏輯電路廠可能持平或下降。

其中英特爾的光刻設備是關鍵， 因為英特爾會從過去依Nikon訂單為主轉變?yōu)锳SML為主。另外方面看iPad能削弱多少Netbook(上網(wǎng)本)的訂單， 由此影響到英特爾的業(yè)績。(iPad使用三星代工的處理器)

代工，2011與2010年相比下降20%。

全球頂級代工的產能利用率將在Q42010至Q12011看到季節(jié)性減弱。Muse認為，臺積電在fabless， 如Nvidia等減少訂單的影響下， 所以其2011年投資下降30%。臺積電CEO Morris張可能轉變投資策略， 這可能是受宏觀經濟大環(huán)境的影響。對于聯(lián)電因受Xilinx的訂單轉向三星及臺積電的影響而下降投資。在另一方面，三星LSI將繼續(xù)增加投資， 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

DRAM 2011與2010年相比下降15%。

因為DRAM的價格持續(xù)波動， 預計直到Q1 2011仍是季節(jié)性的弱勢。尤其是頂級供應商如Samsung，Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術， 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產能利用率不高)， 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競爭者的積極投資推動下三星將繼續(xù)跟進投資。

NAND閃存2011與2010年相比投資增長19%。

下表可看到2011年各家的投資。NAND的價格起伏，Apple的產品需要更多的memory及三星正積極興建Line 16，WFE的投資達25億美元，Toshiba/Sandisk的WFE達20億美元及IM Flash的WFE達15億美元。