[導讀]據(jù)國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結成合作伙伴，
據(jù)國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。
據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結成合作伙伴，并邀請大約10家半導體材料及其他領域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。
據(jù)稱，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省有可能提供大約50億日元(約合6121萬美元)作為研發(fā)啟動資金。參與此項目的各家企業(yè)將再提供50億日元。
東芝和三星電子計劃利用新技術制造10納米級別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開發(fā)更快的微處理器。
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