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Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術聯(lián)盟成員辟謠忙

時間：2010-10-03 09:22:34

關鍵字： FIR IBM TE ST

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[導讀]以IBM公司為首的芯片制造技術聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時遇到困難的傳言。風波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份

以IBM公司為首的芯片制造技術聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時遇到困難的傳言。

風波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份報告指出：“HKMG技術的目的在于減小柵極尺寸變小時的柵漏電量。”文章指出，在如何實現(xiàn)HKMG技術方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極高溫退火工步之后。Intel已經(jīng)在其45nm制程上啟用了這種工藝，目前的32nm則已經(jīng)開始采用第二代HKMG技術。不過臺積電則還沒有采用HKMG工藝的產(chǎn)品上市。

相比之下，以IBM公司為首的芯片制造技術聯(lián)盟則固守Gate-first工藝，這種工藝堅持采用常規(guī)方法，即柵極生成工步放在漏源極高溫退火工步之前。不過目前為止該技術聯(lián)盟仍未有HKMG產(chǎn)品大量上市。不過AMD計劃于明年上半年推出采用Gate-first工藝制作的HKMG產(chǎn)品，AMD的處理器目前由GlobalFoundries代工。

不過這份報告同時宣稱：“Gate-first陣營最近在開發(fā)HKMG工藝過程中似乎遇到了一些問題。由于Gate-first工藝中金屬柵極需經(jīng)受高溫工步，因此這種工藝對柵極材料的熱穩(wěn)定性有較高要求，很容易出現(xiàn)管子門限電壓增大的問題。”報告同時還稱：“我們認為臺積電在28nm HKMG工藝節(jié)點將取得領先。”

有關Gate-first與Gate-last工藝的詳細差別，有興趣的讀者可閱讀這個鏈接。

不過，IBM技術聯(lián)盟的成員之一GlobalFoundries隨后很快對這份報告進行了反駁。他們表示：“看來有些人似乎還沒有完全搞清楚Gate-first HKMG技術。由于我們是私有企業(yè)，因此我們一般不和像Barclay這樣的公司有過多的接觸，所以這類公司一般無法從我們這里得到有關新技術的最新動向。實際上，我們在32nm HKMG工藝上的進展相當順利，有關產(chǎn)品的門限電壓值也沒有如這份報告所說的與Gate-last有很大的差異。我們今年晚些時候會開始在Fab1工廠試產(chǎn)有關的產(chǎn)品。”大有斥責對方“不懂不要亂噴”的意味。

三星電子也辟謠稱：“如果大家都還記得的話，我們早在今年6月份便宣布了我們的32nm低功耗HKMG工藝已經(jīng)通過了全面驗證，驗證的過程包括1000小時的高溫耐久測試，經(jīng)過測試后我們的產(chǎn)品沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。”

這場風波中的雙方究竟孰對孰錯，看來只有留待實際上市產(chǎn)品的性能來證明了。