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[導讀]“世界半導體峰會@東京2011~半導體產(chǎn)業(yè),成長宣言~”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開,《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行,各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以&l

“世界半導體峰會@東京2011~半導體產(chǎn)業(yè),成長宣言~”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開,《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行,各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。

瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以“面向智能社會的新生瑞薩電子的成長戰(zhàn)略”為題發(fā)表演講,介紹了該公司的戰(zhàn)略等。該公司將以全球份額第一的MCU為優(yōu)勢,擴大與模擬和功率半導體等元件相結(jié)合的解決方案業(yè)務,快速應對社會的智能化和全球化。在應對社會智能化的解決方案方面,該公司展示了車用和智能電網(wǎng)用解決方案等具體事例。在全球化方面,該公司將把海外與日本國內(nèi)的銷售比率從2010年度的50:50調(diào)整為2012年度的60:40,具體措施是通過向當?shù)剞D(zhuǎn)移權(quán)限等方式強化在中國的MCU業(yè)務。并且把在中國開發(fā)的MCU推向世界。

美國GLOBALFOUNDARIES首席執(zhí)行官道格拉斯-格羅斯(Douglas Grose)以“基于創(chuàng)新提出技術(shù)與生產(chǎn)新模式”為題發(fā)表演講,對該公司的尖端技術(shù)等進行了說明。其中談到了采用高電容率柵絕緣膜+金屬柵電極(HKMG)的28nm工藝、三維封裝技術(shù)等。尤其是在曝光技術(shù)方面,關(guān)于作為未來技術(shù)進行開發(fā)的EUV曝光技術(shù),該公司已經(jīng)通過設(shè)在德國德累斯頓的掩模店鋪開始供應60以上的EUV掩模,到2012年下半年將在美國紐約的晶圓處理線導入量產(chǎn)等級的EUV曝光裝置,在2014~2015年在開發(fā)線實施量產(chǎn)。

爾必達內(nèi)存代表董事社長兼首席執(zhí)行官坂本幸雄以“日本國內(nèi)唯一的DRAM廠商,向全球第一發(fā)起的挑戰(zhàn)”為題發(fā)表演講,介紹了該公司的現(xiàn)狀。目前,DRAM價格暴跌使得該公司面臨著嚴峻的業(yè)務環(huán)境,但子公司臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)實現(xiàn)了高于同行業(yè)其他公司的成本競爭力,廣島工廠的成本競爭力強化也在推進之中。瑞晶目前已經(jīng)全面完成了向40nm工藝DRAM 生產(chǎn)的轉(zhuǎn)移,其成品率達到了與上一代的65nm工藝相同的水平。而且,隨著廣島工廠逐漸降低成本,到2010年第三季度,該工廠的成本將只比瑞晶高5%,達到基本相同的水平。今后,該公司將致力于智能電話和平板終端用DRAM,逐步提升其收益性。為此,包括按照DRAM品種分別建設(shè)虛擬專用生產(chǎn)線在內(nèi),該公司將著手開展生產(chǎn)、質(zhì)量、供貨等各項體制的重組。

臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)全球業(yè)務暨營銷資深副總經(jīng)理陳俊圣(Jason C.S. Chen)以“通過推動合作開拓新時代”為題發(fā)表演講,談及了有關(guān)28nm工藝的進展情況等。陳俊圣介紹說,28nm工藝采用了HKMG和應變硅,目前工廠建設(shè)正在順利進行。流片已經(jīng)開始,截至2012年預定共有71個流片。此外,陳俊圣還談到了今后的量產(chǎn)工廠建設(shè)計劃,表示正在進行Fab.12- phase7的建設(shè)準備。

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