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[導(dǎo)讀]手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江表示,目前28納米制程只有臺(tái)積電一家晶圓代工伙伴,未來(lái)先進(jìn)制程臺(tái)積電也將是最大合作伙伴。謝清江今天與媒體餐敘。面對(duì)媒體提問(wèn)聯(lián)發(fā)科制程技術(shù)推進(jìn)進(jìn)度,謝清江指出,即將于20日正式發(fā)

手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江表示,目前28納米制程只有臺(tái)積電一家晶圓代工伙伴,未來(lái)先進(jìn)制程臺(tái)積電也將是最大合作伙伴。

謝清江今天與媒體餐敘。面對(duì)媒體提問(wèn)聯(lián)發(fā)科制程技術(shù)推進(jìn)進(jìn)度,謝清江指出,即將于20日正式發(fā)表的8核心智能手機(jī)方案將采臺(tái)積電28納米HPM制程。

謝清江說(shuō),目前聯(lián)發(fā)科28納米制程技術(shù)只有臺(tái)積電一家合作伙伴。破除聯(lián)發(fā)科轉(zhuǎn)單格羅方德(Globalfoundries)的市場(chǎng)傳言。

謝清江表示,LTE芯片因集成度高,須采用20納米制程技術(shù);聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)明年下半年制程技術(shù)也將推進(jìn)至20納米。

謝清江說(shuō),16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)預(yù)期2015年才會(huì)較成熟;20納米以下先進(jìn)制程技術(shù),臺(tái)積電將是聯(lián)發(fā)科最大合作伙伴。

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