10月10日“中國集成電路設(shè)計業(yè)2013年會暨合肥集成電路創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在合肥盛大開幕,云集了眾多業(yè)界知名的晶圓代工廠、EDA、IP及IC設(shè)計產(chǎn)商，燦芯半導(dǎo)體仍然與投資方中芯國際聯(lián)袂參展，展示了其先進技術(shù)的最新進展和成功案例。

自從2010年中國大陸第一大芯片代工廠中芯國際投資燦芯半導(dǎo)體后，燦芯半導(dǎo)體所有工藝產(chǎn)品都是與其合作的。中芯國際擁有世界先進的制造工藝、穩(wěn)定的生產(chǎn)線、充足的產(chǎn)能和高品質(zhì)的良率，再加上燦芯半導(dǎo)體的高端設(shè)計能力和定制化的IP，客戶在中國就可以享受到一站式的、高性價比的先進制程服務(wù)。

在展會現(xiàn)場可以看到燦芯半導(dǎo)體的先進工藝制程項目比重在逐年攀升，特別是在40納米工藝上的項目發(fā)展迅速，已成功tape out超過十個基于ARM Cortex Ax核的40納米項目，涵蓋了A5、A7、A9，單核、雙核到四核，積累了豐富的先進技術(shù)設(shè)計實踐經(jīng)驗。與Cadence在DDR上的合作極大地增強了燦芯半導(dǎo)體在IP上的核心競爭力，種類涉及DDR2、DDR3、LPDDR1、LPDDR2，支持中芯國際的130nm/110nm、65nm、55nm、和40nm工藝,可以為客戶提供客制化的軟核DDR PHY的固化IP及LPDDR2/DDR2/DDR3 combo硬核PHY。

除此之外，燦芯半導(dǎo)體在低功耗、高性能產(chǎn)品的設(shè)計上頗有建樹，擁有一系列完整的低功耗設(shè)計技術(shù)如clock gating、power gating、multi-Vt、DVFS、power-switch、voltage island等，能有效地降低客戶產(chǎn)品的靜態(tài)和動態(tài)功耗。配合高端芯片的封裝需求，燦芯半導(dǎo)體通過對KGD的選擇、相應(yīng)SoC芯片設(shè)計、封裝與基板設(shè)計和測試方案的確定，可以提供一系列完整的SiP封裝服務(wù)。

燦芯半導(dǎo)體研發(fā)部副總裁楊展悌教授指出：“目前業(yè)界主流的Cortex A系列SoC解決方案將向更先進的40納米、28納米工藝節(jié)點和多核的方向發(fā)展，A7多核方案正逐漸取代A9核在智能手機SoC上的應(yīng)用。燦芯半導(dǎo)體順應(yīng)這一市場趨勢，在過去一年中和客戶密切合作成功開發(fā)多款40納米的ARM Cortex A系列的SoC芯片，性能達到國際領(lǐng)先水平，如雙核的Cortex A9測試結(jié)果達到1.5GHz。我們的目標是在2014年推出28納米四核解決方案。”

“燦芯半導(dǎo)體今年營收的主要增長點來自于中國大陸和美國，得益于我們與中芯國際的緊密合作關(guān)系以及高端技術(shù)領(lǐng)域項目比重的增加”，燦芯半導(dǎo)體市場與銷售副總裁徐滔先生表示，“燦芯半導(dǎo)體正處于一個健康成長的青春期，隨著對先進技術(shù)持續(xù)不斷地投入，我們希望能為中國半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)良性循環(huán)提供強有力的促進作用。”