一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14nmFinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14nmLPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。

香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數(shù)10/14nm訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)機(jī)的獨(dú)家供應(yīng)商;10nm節(jié)點(diǎn)也會是相同的情況。”

三星表示，高通正采用該公司最新的14nmLPP制程生產(chǎn)其Snapdragon 820處理器，首批產(chǎn)品將會應(yīng)用于今年上半年推出的行動裝置中;三星還強(qiáng)調(diào)該公司是FinFET技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，其第一代FinFET制程在2015年第一季推出，當(dāng)時該公司采用自家14nmLPE (Low-Power Early)制程生產(chǎn)Exynos 7八核心處理器。而三星將采用新的14nmLPP制程生產(chǎn)Exynos 8八核心處理器。

以上三星的新訊息，恰巧與臺積電在1月14日的最新預(yù)測同時發(fā)布。臺積電估計該公司在16/14奈米節(jié)點(diǎn)市場的2016年占有率，將由2015年的50%增加為70%;同時臺積電也預(yù)測市場對其16奈米產(chǎn)品需求增加，將貢獻(xiàn)該公司2016年度業(yè)績的兩成左右。

三星與臺積電都在開發(fā)較低價版本的FinFET制程，以保持市場競爭力。在2015年第四季，臺積電完成開發(fā)16nm FinFET Compact (FFC)制程，是該公司在2015年中發(fā)表的16nmFinFET制程的較低功耗、較低成本版本。臺積電預(yù)計16nmFFC制程會在本季開始量產(chǎn)。

而三星系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)與行銷副總裁Charlie Bae表示，該公司將會繼續(xù)提供先進(jìn)14奈米FinFET制程技術(shù)的衍生版本，以維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。三星表示其最新14nmLPP制程透過電晶體結(jié)構(gòu)與技術(shù)的最佳化，能提供比前一代LPE制程技術(shù)高15%的速度與低15%的功耗。

此外三星也表示，透過采用空乏(fully-depleted) FinFET電晶體，能提供強(qiáng)化的制造能力以克服制程微縮極限。三星預(yù)期14nmFinFET制程能應(yīng)用于手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)晶片，還有需求高性能與省電的各種連網(wǎng)與車用晶片。