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[導(dǎo)讀]在2010年5月23~28日于美國西雅圖舉行的全球最大顯示器國際學(xué)會“SID 2010”的研討會上,備受關(guān)注的一大動(dòng)向是采用非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體IGZO(In-Ga-Zn-O)的TFT底板技術(shù)。在液晶面板方面,臺灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)布的3

在2010年5月23~28日于美國西雅圖舉行的全球最大顯示器國際學(xué)會“SID 2010”的研討會上,備受關(guān)注的一大動(dòng)向是采用非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體IGZO(In-Ga-Zn-O)的TFT底板技術(shù)。在液晶面板方面,臺灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)布的32英寸產(chǎn)品 在SID上引起轟動(dòng)。而在有機(jī)EL面板方面,除了索尼的11.7英寸產(chǎn)品以外,韓國三星移動(dòng)顯示器(Samsung Mobile Display,SMD)、韓國LG顯示器(LG Display ,LGD)和友達(dá)光電三家大型面板廠商進(jìn)行了技術(shù)發(fā)布。

三星移動(dòng)顯示器開發(fā)出采用蝕刻阻擋型TFT構(gòu)造的19英寸產(chǎn)品

三星移動(dòng)顯示器發(fā)布了曾經(jīng)在2009年10月于太平洋橫濱會展中心舉行的“FPD International 2009”上展出過的19英寸有機(jī)EL面板。IGZO TFT采用七張掩模形成,因此IGZO層采用DC濺射法在室溫下成膜。TFT構(gòu)造采用蝕刻阻擋(Etch Stopper)構(gòu)造,除了由于源極和漏極的蝕刻處理等而產(chǎn)生的特性劣化外,還在TFT陣列形成后,在250℃下進(jìn)行了一個(gè)小時(shí)的熱處理,從而提高了工藝的再現(xiàn)性。載流子遷移率為21cm2/Vs,亞閾值擺幅(Subthreshold Swing,S值)為0.29V/decade,導(dǎo)通截止比超過108。

19英寸產(chǎn)品的像素?cái)?shù)為960×540,精細(xì)度為58.4ppi。每個(gè)TFT像素配備了五個(gè)晶體管和兩個(gè)電容器(5T2C)。有機(jī)EL元件的元件構(gòu)造為從TFT底板中提取光的底部發(fā)光(Bottom Emission)型。紅色采用了磷光材料,綠色和藍(lán)色采用了熒光材料。

LG顯示器通過源極和漏極來保護(hù)IGZO

LG顯示器開發(fā)出了采用IGZO TFT的2.8英寸產(chǎn)品。此次開發(fā)的IGZO TFT改良了逆交錯(cuò)型構(gòu)造,采用了使用源極和漏極來保護(hù)IGZO層的構(gòu)造。該公司在源極和漏極中采用了Mo/Ti。下側(cè)的Ti電極采用了可以覆蓋整個(gè) IGZO層的構(gòu)造。將該Ti電極用作蝕刻上側(cè)Mo電極時(shí)的保護(hù)層,從而抑制了特性老化。然后,位于通道上部的Ti電極通過氧等離子體處理,成為了具有絕緣性的TiOx。

制作的IGZO TFT的載流子遷移率為9cm2/Vs,亞閾值擺幅(S值)為 0.78V/decade,導(dǎo)通截止比超過108。

友達(dá)光電采用同一平面型TFT構(gòu)造

友達(dá)光電發(fā)布的2.4英寸有機(jī)EL面板,與該公司的32英寸液晶面板一樣采用了同一平面(Coplanar)型TFT構(gòu)造。載流子遷移率為6.2cm2/Vs,亞閾值擺幅(S值)為0.19V/decade,導(dǎo)通截止比超過107。

2.4英寸開發(fā)產(chǎn)品的像素?cái)?shù)為240×320。每個(gè)TFT像素配備了兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器(2T1C)。有機(jī)EL元件的元件構(gòu)造為底部發(fā)光型。該產(chǎn)品曾經(jīng)在FPD International 2009展出過。(記者:佐伯 真也)

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