[導(dǎo)讀]在2010年5月23~28日于美國西雅圖舉行的全球最大顯示器國際學(xué)會“SID 2010”的研討會上,備受關(guān)注的一大動(dòng)向是采用非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體IGZO(In-Ga-Zn-O)的TFT底板技術(shù)。在液晶面板方面,臺灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)布的3
在2010年5月23~28日于美國西雅圖舉行的全球最大顯示器國際學(xué)會“SID 2010”的研討會上,備受關(guān)注的一大動(dòng)向是采用非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體IGZO(In-Ga-Zn-O)的TFT底板技術(shù)。在液晶面板方面,臺灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)布的32英寸產(chǎn)品 在SID上引起轟動(dòng)。而在有機(jī)EL面板方面,除了索尼的11.7英寸產(chǎn)品以外,韓國三星移動(dòng)顯示器(Samsung Mobile Display,SMD)、韓國LG顯示器(LG Display ,LGD)和友達(dá)光電三家大型面板廠商進(jìn)行了技術(shù)發(fā)布。
三星移動(dòng)顯示器開發(fā)出采用蝕刻阻擋型TFT構(gòu)造的19英寸產(chǎn)品
三星移動(dòng)顯示器發(fā)布了曾經(jīng)在2009年10月于太平洋橫濱會展中心舉行的“FPD International 2009”上展出過的19英寸有機(jī)EL面板。IGZO TFT采用七張掩模形成,因此IGZO層采用DC濺射法在室溫下成膜。TFT構(gòu)造采用蝕刻阻擋(Etch Stopper)構(gòu)造,除了由于源極和漏極的蝕刻處理等而產(chǎn)生的特性劣化外,還在TFT陣列形成后,在250℃下進(jìn)行了一個(gè)小時(shí)的熱處理,從而提高了工藝的再現(xiàn)性。載流子遷移率為21cm2/Vs,亞閾值擺幅(Subthreshold Swing,S值)為0.29V/decade,導(dǎo)通截止比超過108。
19英寸產(chǎn)品的像素?cái)?shù)為960×540,精細(xì)度為58.4ppi。每個(gè)TFT像素配備了五個(gè)晶體管和兩個(gè)電容器(5T2C)。有機(jī)EL元件的元件構(gòu)造為從TFT底板中提取光的底部發(fā)光(Bottom Emission)型。紅色采用了磷光材料,綠色和藍(lán)色采用了熒光材料。
LG顯示器通過源極和漏極來保護(hù)IGZO
LG顯示器開發(fā)出了采用IGZO TFT的2.8英寸產(chǎn)品。此次開發(fā)的IGZO TFT改良了逆交錯(cuò)型構(gòu)造,采用了使用源極和漏極來保護(hù)IGZO層的構(gòu)造。該公司在源極和漏極中采用了Mo/Ti。下側(cè)的Ti電極采用了可以覆蓋整個(gè) IGZO層的構(gòu)造。將該Ti電極用作蝕刻上側(cè)Mo電極時(shí)的保護(hù)層,從而抑制了特性老化。然后,位于通道上部的Ti電極通過氧等離子體處理,成為了具有絕緣性的TiOx。
制作的IGZO TFT的載流子遷移率為9cm2/Vs,亞閾值擺幅(S值)為 0.78V/decade,導(dǎo)通截止比超過108。
友達(dá)光電采用同一平面型TFT構(gòu)造
友達(dá)光電發(fā)布的2.4英寸有機(jī)EL面板,與該公司的32英寸液晶面板一樣采用了同一平面(Coplanar)型TFT構(gòu)造。載流子遷移率為6.2cm2/Vs,亞閾值擺幅(S值)為0.19V/decade,導(dǎo)通截止比超過107。
2.4英寸開發(fā)產(chǎn)品的像素?cái)?shù)為240×320。每個(gè)TFT像素配備了兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器(2T1C)。有機(jī)EL元件的元件構(gòu)造為底部發(fā)光型。該產(chǎn)品曾經(jīng)在FPD International 2009展出過。(記者:佐伯 真也)
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全球半導(dǎo)體短缺讓所有微控制器使用者的生活都變得難熬了起來,如今的訂貨周期有時(shí)會長達(dá)好幾年。不過,售價(jià)4美元的樹莓派Pico是一個(gè)亮點(diǎn),它是一個(gè)以新型RP2040芯片為基礎(chǔ)的微控制器。RP2040不僅有強(qiáng)大的計(jì)算能力,還沒...
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半導(dǎo)體
微控制器
芯片
LCD 液晶屏是 Liquid Crystal Display 的簡稱,LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體,兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線,透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向,將光線折射出來產(chǎn)...
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三星
Galaxy A14
LCD屏
10月3日,三星電子在美國加州硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”。論壇上三星芯片代工部門表示,將于2025年開始生產(chǎn)2nm制程工藝芯片,然后在2027年開始生產(chǎn)1.4nm工藝芯片。據(jù)了解,此前臺積電也曾規(guī)劃在20...
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三星
1.4nm
芯片
提到臺積電,相信大家都不陌生,作為全球頂尖的晶圓代工機(jī)構(gòu)。僅臺積電、三星兩家晶圓代工廠的市場份額,就占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場的70%左右。
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3nm
芯片
三星
英國廣播公司《科學(xué)焦點(diǎn)雜志》網(wǎng)站5月22日刊登了題為《什么是摩爾定律?如今是否仍然適用?》的文章,摘要如下:
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摩爾定律
半導(dǎo)體
芯片
荷蘭ASML公司今天發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào),凈營收同比增長10%至58億歐元,超出此前預(yù)期的53.9億歐元;凈利潤17.01億歐元,同比下降了2.24%,但表現(xiàn)也超出了預(yù)期的14.2億歐元。
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ASMl
光刻機(jī)
半導(dǎo)體
周四美股交易時(shí)段,受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。
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臺積電
半導(dǎo)體
芯片
在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來股價(jià)集體腰斬。
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芯片
廠商
半導(dǎo)體
iQOO Neo7 新品發(fā)布會將于 10 月 20 日 19:00 召開,官方已經(jīng)放出了新機(jī)的正面渲染圖,并給出了新機(jī)的更多配置信息。
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iQOO Neo7
三星
E5柔性直屏
在半導(dǎo)體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并計(jì)劃在2020年開始批量生產(chǎn)。
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芯片
華為
半導(dǎo)體
在接下來的5G時(shí)代當(dāng)中,華為也將會憑借著自身的優(yōu)勢,從而處于遙遙領(lǐng)先的地位,但其實(shí)厲害的又不僅僅是華為企業(yè),如今,作為國際巨頭的三星開始了在6G當(dāng)中的研發(fā),6G接下來的網(wǎng)速,將會是5G的50倍,對于三星的這一個(gè)大動(dòng)作,華...
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5G
6G
三星
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
根據(jù)5G設(shè)備市場的調(diào)研數(shù)據(jù)當(dāng)中來看,三星所拿下的5G設(shè)備市場份額就達(dá)到了10.4%,也就是說,排在了第四名的位置。
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6G
三星
華為
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,目前三星正在研發(fā)一種智能戒指,佩戴后可以監(jiān)測使用者的活動(dòng)健康數(shù)據(jù),因?yàn)檩p便續(xù)航高且可長時(shí)間佩戴等優(yōu)點(diǎn),不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為其會取代智能手環(huán)和手表。
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智能手環(huán)
智能手表
三星
智能戒指
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,在剛剛過去的9月份,半導(dǎo)體行業(yè)的交貨期平均為26.3周,相比于上個(gè)月的27周縮短了4天,這是近年來交貨周期最大的降幅,充分表明了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)危機(jī)正在緩解。
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半導(dǎo)體
北京時(shí)間10月18日消息,富士康周二表示,希望有一天能夠?yàn)樘厮估旧a(chǎn)汽車。眼下,富士康正在加大電動(dòng)汽車的制造力度,以實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)多元化。
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富士康
芯片
半導(dǎo)體
特斯拉
近日,中國工程院院士倪光南在數(shù)字世界專刊撰文指出,一直以來,我國芯片產(chǎn)業(yè)在“主流 CPU”架構(gòu)上受制于人,在數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代,建議我國積極抓住時(shí)代機(jī)遇,聚焦開源RISC-V架構(gòu),以全球視野積極謀劃我國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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倪光南
RISC-V
半導(dǎo)體
芯片
三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境,三星超過了自身...
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GBPS
三星
內(nèi)存
LPDDR5
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為LPDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5