趨勢一:新型熒光粉的開發(fā)
YAG:Ce3+是最早被廣泛應(yīng)用于白光LED技術(shù)中的一種熒光粉,但是由于其發(fā)射光譜中紅色成分較少,難以獲得較高顯色指數(shù)和低色溫的白光LED;另一方面,半導(dǎo)體照明的持續(xù)發(fā)展推動(dòng)人們開發(fā)出更高轉(zhuǎn)化效率的熒光粉。早期,通過在YAG:Ce3+中加入(Ca,Sr)S:Eu2+、(Ca,Sr)Ga2S4:Eu2+紅綠色熒光粉來實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)、低色溫的要求,但是由于這類堿土金屬硫化物物理化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定、易潮解、揮發(fā)和具有腐蝕性等問題,不能滿足LED照明產(chǎn)業(yè)的需求。近來,人們開發(fā)了一種熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異的紅色熒光粉,能完全替代堿土金屬硫化物實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)、低色溫白光LED,因其具有硅氮(氧)四面體結(jié)構(gòu),被稱為氮氧化物,具有更高的激發(fā)效率。
當(dāng)前,國外公司在LED用熒光粉方面技術(shù)成熟,且持有大部分重要專利。他們通過對熒光粉專利的把持而占領(lǐng)LED市場,YAG:Ce3+熒光粉的專利主要由Nichia占有[U.S. 5998925],Osram則占據(jù)了Tb3Al5O12: Ce3+的熒光粉專利[U.S. 6812500, 6060861, 65276930],TG、LWB和Tridonic持有摻Eu2+(SrBaCa)2SiO4Si:Al,B,P,Ge..的專利[U.S. 6809347],Intematix持有摻Eu2+(SrBaMg)2SiO4O:F,Cl,N,S..的專利[U.S. 20060027781, 200627785, 200628122]。反觀國內(nèi),LED用熒光粉方面的研究大多集中在科研院所,主要是對現(xiàn)有熒光粉材料的合成和發(fā)光等物性的研究上,而在產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的開發(fā)上做的不夠。
趨勢二:白光LED光學(xué)模型的建立及發(fā)展
熒光粉應(yīng)用于白光LED,還需根據(jù)LED的具體需求而定,諸如熒光粉的顆粒大小等等。對熒光粉的研究主要集中在熒光粉的光學(xué)性質(zhì)對白光LED封裝性能的影響,例如取光效率[1-3]、顏色空間分布[4,5]以及光色質(zhì)量[6,7]上面。在這些研究中,采用蒙特卡洛光線追跡的方法利用光學(xué)軟件模擬LED封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能,將熒光粉層處理成Mie散射材料,這樣能夠通過光學(xué)模擬獲得白光LED的激發(fā)和發(fā)射特性,但是模擬沒有考慮到熒光粉具體的散射特性,缺少實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。Narendran[8]、Zhu[9]、Kang[10]和Z. Liu[11]則通過實(shí)驗(yàn)詳細(xì)的研究了熒光粉的光學(xué)性質(zhì)。
趨勢三:新型熒光粉涂覆方式
傳統(tǒng)的熒光粉涂覆方式為點(diǎn)粉模式,即熒光粉與膠體的混合物填充到芯片支架杯碗內(nèi),然后加熱固化。這種涂覆方式熒光粉量難以控制,并且由于各處激發(fā)光不同,使得白光LED容易出現(xiàn)黃斑或者藍(lán)斑等光色不均勻現(xiàn)象。Philips Lumileds公司提出了保形涂覆的熒光粉涂覆方式,它們在倒裝LED芯片表面覆蓋一層厚度一致的熒光粉膜層,提高了白光LED的光色穩(wěn)定性。也有公司采用在芯片表面沉積一層熒光粉的方法來實(shí)現(xiàn)激發(fā)。這些涂覆方式都是將芯片與熒光粉接觸。H. Luo等研究者的光學(xué)模擬結(jié)果表明,這種熒光粉與芯片接觸的近場激發(fā)方法,增加了激發(fā)光的背散射損耗,降低了器件的取光效率[1]。澳大利亞的Sommer采用數(shù)值模擬的方法模擬Philips Lumileds的熒光粉保形涂覆結(jié)構(gòu),結(jié)果顯示這種涂覆方法并不能提供更好的角度均勻性[4]。隨著對白光LED光學(xué)模擬的深入,熒光粉遠(yuǎn)場激發(fā)的方案顯示了更多的優(yōu)越性。
趨勢四:大電流注入及散熱結(jié)構(gòu)
為了滿足通用照明高光通量的需求,人們提高了單顆芯片的驅(qū)動(dòng)功率,以往1W的大功率芯片被注入到3W、5W,甚至更高。這使得白光LED的熱問題越來越嚴(yán)重,人們采用各種散熱技術(shù),如熱管、微熱管[12]、水冷、風(fēng)冷等方法對LED實(shí)施散熱。
如果說臺(tái)積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺(tái)積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)的3納米,臺(tái)積電平均2年開發(fā)一代新制程,...
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