In-cell型面板：以自主技術(shù)推進(jìn)量產(chǎn)（下）
[導(dǎo)讀]采用靜電容量式
蘋果開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)采用的是哪種觸摸輸入檢測(cè)方法呢？答案是，通過(guò)在TFT基板上形成傳感器布線，內(nèi)置了投影型靜電容量式觸摸傳感器功能（圖2）。
圖2：在TFT基板上形成傳感器
iPhone 5的In-
采用靜電容量式
蘋果開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)采用的是哪種觸摸輸入檢測(cè)方法呢？答案是，通過(guò)在TFT基板上形成傳感器布線，內(nèi)置了投影型靜電容量式觸摸傳感器功能（圖2）。
圖2：在TFT基板上形成傳感器
iPhone 5的In-cell面板將設(shè)置在顯示用通用電極（ITO）上的金屬布線用作檢測(cè)電極，將在TFT柵極層上追加形成的金屬布線用作驅(qū)動(dòng)電極，實(shí)現(xiàn)了投影型靜電容量式觸摸傳感器。（圖：面板截面構(gòu)造是《日經(jīng)電子》根據(jù)蘋果的專利和采訪推測(cè)的）
把在液晶面板驅(qū)動(dòng)用通用電極（ITO）上新形成的金屬布線以及在TFT的柵極層追加的金屬布線用于觸摸輸入檢測(cè)。在用戶的指尖觸摸面板表面時(shí)，檢測(cè)各電極間的容量分布變化?！皩⒊Ｓ玫耐庵渺o電容量式觸摸面板功能直接嵌入了面板內(nèi)部”（LTEC）。
接下來(lái)將邊拆解iPhone 5面板，邊分析蘋果公司開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)的詳情。首先來(lái)看面板背面，在用來(lái)與主板連接的端子部分，除了影像顯示用端子以外，左右兩端還配置了觸摸輸入檢測(cè)用端子（圖3）。檢測(cè)用端子與面板顯示部分連接在一起，具體來(lái)說(shuō)，連接了與面板長(zhǎng)邊（TFT的源極布線）平行的10根金屬布線和與短邊（TFT的柵極布線）平行的20根金屬布線。
圖3：形成10×20的傳感器布線
In-cell面板上有觸摸傳感器專用端子。有10根與長(zhǎng)邊平行的檢測(cè)電極，20跟與短邊平行的驅(qū)動(dòng)電極。（圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作）
仔細(xì)觀察顯示部分可以確認(rèn)，分別與長(zhǎng)邊、短邊平行的金屬布線相互交叉，在像素的源極布線和柵極布線上構(gòu)成網(wǎng)狀（圖4）。這些金屬布線在IPS模式顯示所需的通用電極（ITO）的正上方形成（圖4上方的照片）。
圖4：追加工序少
iPhone 5采用的In-cell技術(shù)的概要。與普通的IPS模式液晶面板相比，制造時(shí)追加的層只有在通用電極（ITO）上方的觸摸傳感器用布線。（圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作）
如果只是將平行于長(zhǎng)邊的布線與平行于短邊的布線形成在同一層上，這些布線無(wú)法作為靜電容量式觸摸傳感器功能。因?yàn)閮蓚€(gè)方向的布線只有分別位于不同的層上，才能檢測(cè)到容量變化。為此，iPhone 5的In-cell面板不但改變了通用電極ITO的布線圖案，還TFT柵極布線層上、每8條柵極布線形成一條新的金屬布線，并將與短邊平行的金屬布線與這些新的金屬布線連接（圖4下方的照片）。這樣就在基板上的通用電極層和TFT層這兩個(gè)不同層上形成了觸摸傳感器用金屬布線，由此可以檢測(cè)到靜電容量的變化。
困難重重的追加工序
蘋果公司開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)在現(xiàn)有液晶面板上的追加工序只有在像素電極ITO上形成觸摸輸入檢測(cè)用金屬布線。而像素電極布線圖案的改變和在柵極布線上追加金屬布線“可以通過(guò)改變光掩模圖案來(lái)實(shí)現(xiàn)”。這樣看來(lái)，該技術(shù)好像很容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
但實(shí)際看來(lái)，似乎3家公司的iPhone 5用In-cell面板的量產(chǎn)都陷入了苦戰(zhàn)。對(duì)于目前的成品率，多位顯示器相關(guān)人士都指出，“率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的日本顯示器可能達(dá)到了70％，而量產(chǎn)較晚的夏普可能還要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于這一數(shù)值”。
各公司難以提高成品率的原因之一是像素晶體管的變更。從端子上的印記來(lái)看，此次拆解的iPhone 5面板是在原東芝TMD公司的石川工廠生產(chǎn)的（圖3）。iPhone 4S采用的TMD的面板為了抑制漏電流，在像素晶體管上配置了多個(gè)輔助容量，而此次的面板則沒(méi)有。不可否認(rèn)，采用蘋果公司的技術(shù)存在由于漏電流而導(dǎo)致缺陷率上升的可能性。
在TFT基板上形成傳感器的構(gòu)造也很可能是成品率難以提高的一個(gè)原因。觸摸輸入的靈敏度會(huì)因液晶層產(chǎn)生的噪聲而降低，因此制造中的容許誤差范圍變得很小。此外，像素電極ITO以及其上形成的傳感器金屬布線還可能會(huì)引起蝕刻缺陷。（全文完 記者：佐伯 真也，竹居 智久，《日經(jīng)電子》）
蘋果開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)采用的是哪種觸摸輸入檢測(cè)方法呢？答案是，通過(guò)在TFT基板上形成傳感器布線，內(nèi)置了投影型靜電容量式觸摸傳感器功能（圖2）。
圖2：在TFT基板上形成傳感器
iPhone 5的In-cell面板將設(shè)置在顯示用通用電極（ITO）上的金屬布線用作檢測(cè)電極，將在TFT柵極層上追加形成的金屬布線用作驅(qū)動(dòng)電極，實(shí)現(xiàn)了投影型靜電容量式觸摸傳感器。（圖：面板截面構(gòu)造是《日經(jīng)電子》根據(jù)蘋果的專利和采訪推測(cè)的）
把在液晶面板驅(qū)動(dòng)用通用電極（ITO）上新形成的金屬布線以及在TFT的柵極層追加的金屬布線用于觸摸輸入檢測(cè)。在用戶的指尖觸摸面板表面時(shí)，檢測(cè)各電極間的容量分布變化?！皩⒊Ｓ玫耐庵渺o電容量式觸摸面板功能直接嵌入了面板內(nèi)部”（LTEC）。
接下來(lái)將邊拆解iPhone 5面板，邊分析蘋果公司開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)的詳情。首先來(lái)看面板背面，在用來(lái)與主板連接的端子部分，除了影像顯示用端子以外，左右兩端還配置了觸摸輸入檢測(cè)用端子（圖3）。檢測(cè)用端子與面板顯示部分連接在一起，具體來(lái)說(shuō)，連接了與面板長(zhǎng)邊（TFT的源極布線）平行的10根金屬布線和與短邊（TFT的柵極布線）平行的20根金屬布線。
圖3：形成10×20的傳感器布線
In-cell面板上有觸摸傳感器專用端子。有10根與長(zhǎng)邊平行的檢測(cè)電極，20跟與短邊平行的驅(qū)動(dòng)電極。（圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作）
仔細(xì)觀察顯示部分可以確認(rèn)，分別與長(zhǎng)邊、短邊平行的金屬布線相互交叉，在像素的源極布線和柵極布線上構(gòu)成網(wǎng)狀（圖4）。這些金屬布線在IPS模式顯示所需的通用電極（ITO）的正上方形成（圖4上方的照片）。
圖4：追加工序少
iPhone 5采用的In-cell技術(shù)的概要。與普通的IPS模式液晶面板相比，制造時(shí)追加的層只有在通用電極（ITO）上方的觸摸傳感器用布線。（圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作）
如果只是將平行于長(zhǎng)邊的布線與平行于短邊的布線形成在同一層上，這些布線無(wú)法作為靜電容量式觸摸傳感器功能。因?yàn)閮蓚€(gè)方向的布線只有分別位于不同的層上，才能檢測(cè)到容量變化。為此，iPhone 5的In-cell面板不但改變了通用電極ITO的布線圖案，還TFT柵極布線層上、每8條柵極布線形成一條新的金屬布線，并將與短邊平行的金屬布線與這些新的金屬布線連接（圖4下方的照片）。這樣就在基板上的通用電極層和TFT層這兩個(gè)不同層上形成了觸摸傳感器用金屬布線，由此可以檢測(cè)到靜電容量的變化。
困難重重的追加工序
蘋果公司開(kāi)發(fā)的In-cell技術(shù)在現(xiàn)有液晶面板上的追加工序只有在像素電極ITO上形成觸摸輸入檢測(cè)用金屬布線。而像素電極布線圖案的改變和在柵極布線上追加金屬布線“可以通過(guò)改變光掩模圖案來(lái)實(shí)現(xiàn)”。這樣看來(lái)，該技術(shù)好像很容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
但實(shí)際看來(lái)，似乎3家公司的iPhone 5用In-cell面板的量產(chǎn)都陷入了苦戰(zhàn)。對(duì)于目前的成品率，多位顯示器相關(guān)人士都指出，“率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的日本顯示器可能達(dá)到了70％，而量產(chǎn)較晚的夏普可能還要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于這一數(shù)值”。
各公司難以提高成品率的原因之一是像素晶體管的變更。從端子上的印記來(lái)看，此次拆解的iPhone 5面板是在原東芝TMD公司的石川工廠生產(chǎn)的（圖3）。iPhone 4S采用的TMD的面板為了抑制漏電流，在像素晶體管上配置了多個(gè)輔助容量，而此次的面板則沒(méi)有。不可否認(rèn)，采用蘋果公司的技術(shù)存在由于漏電流而導(dǎo)致缺陷率上升的可能性。
在TFT基板上形成傳感器的構(gòu)造也很可能是成品率難以提高的一個(gè)原因。觸摸輸入的靈敏度會(huì)因液晶層產(chǎn)生的噪聲而降低，因此制造中的容許誤差范圍變得很小。此外，像素電極ITO以及其上形成的傳感器金屬布線還可能會(huì)引起蝕刻缺陷。（全文完 記者：佐伯 真也，竹居 智久，《日經(jīng)電子》）
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