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[導(dǎo)讀]據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,首爾東部支檢刑事6部近日表示,三星電子的半導(dǎo)體核心技術(shù)先后6年期間經(jīng)由合作企業(yè),被泄露到海力士半導(dǎo)體。首爾東部支檢刑事6部3日表示,對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)A公司副社長(zhǎng)郭某(47歲)和A公司韓國(guó)法人公司

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,首爾東部支檢刑事6部近日表示,三星電子半導(dǎo)體核心技術(shù)先后6年期間經(jīng)由合作企業(yè),被泄露到海力士半導(dǎo)體。

首爾東部支檢刑事6部3日表示,對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)A公司副社長(zhǎng)郭某(47歲)和A公司韓國(guó)法人公司部長(zhǎng)金某(41歲)進(jìn)行了拘留起訴,對(duì)其他7名職員進(jìn)行了非拘留起訴。上述這些人涉嫌將三星電子半導(dǎo)體制作技術(shù)和營(yíng)業(yè)機(jī)密泄露至海力士,涉嫌違背有關(guān)防止不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)和保護(hù)營(yíng)業(yè)機(jī)密的法律。

檢方同時(shí)還對(duì)接受營(yíng)業(yè)機(jī)密的海力士專務(wù)韓某(51歲)也進(jìn)行了拘留起訴,并對(duì)涉案的三星電子科長(zhǎng)南某(37歲)和其他8名職員進(jìn)行了不拘留起訴。對(duì)泄露機(jī)密的原三星電子任首席研究員羅某(現(xiàn)在A公司就職)發(fā)布了通緝令。

檢方介紹說(shuō),郭某和職員金某等人合謀,從2005年3月開(kāi)始,共偷取95件有關(guān)三星電子DREAM和存儲(chǔ)器制作工程的營(yíng)業(yè)機(jī)密,并將其中的13件轉(zhuǎn)交給海力士??偣?strong>海力士半導(dǎo)體制作的韓某涉嫌接收9件偷取的相關(guān)營(yíng)業(yè)機(jī)密。三星電子科長(zhǎng)南某涉嫌于2008年4月在美國(guó)硅谷將三星電子DREAM和NAND閃存以及下一代半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)計(jì)劃等泄露給對(duì)方。

這次技術(shù)泄露事件給三星電子造成了數(shù)千億韓元(推測(cè)值)的直接損失,而間接損失將達(dá)到數(shù)萬(wàn)億韓元。

 

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周四美股交易時(shí)段,受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開(kāi)盤,但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開(kāi)盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來(lái)股價(jià)集體腰斬。

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在半導(dǎo)體制造中,《國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年,三星電子和臺(tái)積電已開(kāi)始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),并計(jì)劃在2020年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

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基于強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)能力,世強(qiáng)硬創(chuàng)可以實(shí)現(xiàn)售前商品介紹、售中交易、售后服務(wù)的全流程新產(chǎn)品新技術(shù)推廣營(yíng)銷,將半導(dǎo)體公司的新產(chǎn)品推廣有效率提高百倍。

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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,在剛剛過(guò)去的9月份,半導(dǎo)體行業(yè)的交貨期平均為26.3周,相比于上個(gè)月的27周縮短了4天,這是近年來(lái)交貨周期最大的降幅,充分表明了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)危機(jī)正在緩解。

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