[導讀]半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代，日本企業(yè)名列前茅。而進入二十世紀九十年代后，高
半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代，日本企業(yè)名列前茅。而進入二十世紀九十年代后，高性能D-RAM成為了浪費品，反而小而貴的半導體深受歡迎。因此，大量生產(chǎn)PC用D-RAM的三星電子瞬間超越日本企業(yè)。那么走進智能手機、平板計算機時代的如今，在節(jié)省電力的移動式D-RAM競爭中誰會取得最終勝利？
昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級D-RAM及Flash量產(chǎn)”活動中再次驗證了三星電子是內(nèi)存半導體的至尊?！耙恢焕匣ⅲㄈ请娮樱┖腿恍∝垼℉ynix、Elpida、Micron）”這一世界半導體生產(chǎn)結構沒有改變。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產(chǎn)計劃”，進而讓全世界震驚。不過目前只生產(chǎn)出試用品，沒能動搖三星電子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要從明年初開始量產(chǎn)。
所謂20NANO是指半導體線路的線幅（電線間距）為20NANO米（1NANO米是10億分之一米）。線幅是頭發(fā)的4000分之一，真是令人難以想象。屬于尖端技術的10NANO級明年上市。過去，三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產(chǎn)兩國先開發(fā)的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過2006年是首次推出NANOD-RAM，而且今年為止每年推出改善的產(chǎn)品，進而主導世界市場。是從“追隨型”轉(zhuǎn)為了“引領型”。
半導體業(yè)界的習慣就是量產(chǎn)現(xiàn)代芯片之前開發(fā)下一代芯片。三星電子是開發(fā)了下下一代芯片，進而作為引領者占上風。今年由于D-RAM價格下降，日本和臺灣企業(yè)考慮減產(chǎn)時三星電子會長李建熙還鼓勵了攻擊性投資。昨天在活動現(xiàn)場，李會長表示：“要警戒半導體業(yè)界的強風。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM（三星電子）、M-RAM（Hynix）等引領下一代的半導體，日后將有一場驚心動魄的戰(zhàn)爭。
昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級D-RAM及Flash量產(chǎn)”活動中再次驗證了三星電子是內(nèi)存半導體的至尊?！耙恢焕匣ⅲㄈ请娮樱┖腿恍∝垼℉ynix、Elpida、Micron）”這一世界半導體生產(chǎn)結構沒有改變。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產(chǎn)計劃”，進而讓全世界震驚。不過目前只生產(chǎn)出試用品，沒能動搖三星電子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要從明年初開始量產(chǎn)。
所謂20NANO是指半導體線路的線幅（電線間距）為20NANO米（1NANO米是10億分之一米）。線幅是頭發(fā)的4000分之一，真是令人難以想象。屬于尖端技術的10NANO級明年上市。過去，三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產(chǎn)兩國先開發(fā)的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過2006年是首次推出NANOD-RAM，而且今年為止每年推出改善的產(chǎn)品，進而主導世界市場。是從“追隨型”轉(zhuǎn)為了“引領型”。
半導體業(yè)界的習慣就是量產(chǎn)現(xiàn)代芯片之前開發(fā)下一代芯片。三星電子是開發(fā)了下下一代芯片，進而作為引領者占上風。今年由于D-RAM價格下降，日本和臺灣企業(yè)考慮減產(chǎn)時三星電子會長李建熙還鼓勵了攻擊性投資。昨天在活動現(xiàn)場，李會長表示：“要警戒半導體業(yè)界的強風。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM（三星電子）、M-RAM（Hynix）等引領下一代的半導體，日后將有一場驚心動魄的戰(zhàn)爭。
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