記憶體廠商華邦電(2344)于今(25)日召開法說會(huì)，繼日前預(yù)估今年資本支出CAPEX相較于去年的21億元，將大幅拉高至86億元后，今日則是再宣布，要將今年資本支出調(diào)高至106億元之譜。對(duì)此總經(jīng)理詹東義(見附圖)指出，此次調(diào)高資本支出，主要是華邦電希望同時(shí)進(jìn)行往4X奈米先進(jìn)制程的升級(jí)，以及擴(kuò)充目前吃緊的產(chǎn)能。預(yù)期今年底前，華邦電的月產(chǎn)能將從去年底的3.3萬片，增加到4萬片的水準(zhǔn)。

華邦電于上回法說會(huì)上才宣布，去年資本支出為21億元，但因產(chǎn)能不足，公司計(jì)劃今年資本支出將大幅提升至86億元，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將由3.3萬片增加到3.8萬片的水準(zhǔn)，今日則是經(jīng)董事會(huì)通過，要再加碼今年的資本支出。

詹東義說明，今年華邦資本支出大增的原因，并非像很多業(yè)者，可能是希望搭上海力士大火的順風(fēng)車來擴(kuò)建產(chǎn)能、搶短線需求，而是由于華邦實(shí)在看到很多市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，盼能在DRAM、Flash都推出更廣泛的產(chǎn)品線來掌握這些機(jī)會(huì)，因此決定拉高資本支出，同時(shí)升級(jí)產(chǎn)能與制程。

相對(duì)于南科(2408)宣布已轉(zhuǎn)進(jìn)3X奈米制程，詹東義指出，南科主攻大容量的DRAM，華邦電則是切入中低容量DRAM的市場(chǎng)，因此制程可以比其慢一個(gè)世代。而今年的資本支出，主要是用于將DRAM制程轉(zhuǎn)進(jìn)4X奈米、Flash則轉(zhuǎn)進(jìn)58奈米等制程的升級(jí)工作，冀紓解現(xiàn)有產(chǎn)能吃緊的窘境。

他強(qiáng)調(diào)，華邦走的路將不同于其他臺(tái)灣同業(yè)，不是一味的強(qiáng)調(diào)制程微縮，而是強(qiáng)調(diào)某些特殊產(chǎn)品的功耗與性能。

在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)部分，華邦電今年Q1 Specialty DRAM占營(yíng)收比重52%，季成長(zhǎng)為6%、年成長(zhǎng)35%，主因網(wǎng)通、硬碟產(chǎn)品出貨增加，且產(chǎn)品均價(jià)隨著記憶體市況漸趨健康而小幅上揚(yáng)。Mobile DRAM今年Q1則占華邦營(yíng)收比重12%，季成長(zhǎng)17%、年增4%，主要是受益于46奈米制程產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)增加，以及華邦于512Mb及1Gb的Low Power DDR1出貨增加。

而在NOR Flash部分，今年Q1營(yíng)收占比為36%，與前季持平、年增2%。華邦表示，主要是此部分市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)狀況雖持續(xù)，但已有減緩跡象，且華邦于高密度產(chǎn)品的出貨增加，因此表現(xiàn)相對(duì)持穩(wěn)。

值得注意的是，在上述三大產(chǎn)品線，華邦往先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)移工作也鴨子劃水、持續(xù)綻放成果。其中，Q1 Specialty DRAM已有53%的營(yíng)收比重屬于46奈米制程，Mobile DRAM更有60%的營(yíng)收比重來自46奈米制程，而Flash Memory亦有53%的營(yíng)收比重來自58奈米制程。