兆半導(dǎo)體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級(jí)MOSFET H-PSOF TO-Leadless封裝工藝許可協(xié)議;協(xié)議確保設(shè)計(jì)人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術(shù)供應(yīng)渠道
摘要： 2012年4月5日，德國(guó)紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤(pán)的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
關(guān)鍵字： 封裝工藝， 飛兆半導(dǎo)體， 電池管理
飛2012年4月5日，德國(guó)紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤(pán)的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
這種封裝適用于大電流汽車應(yīng)用，包括混合動(dòng)力汽車的電池管理、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、主動(dòng)式發(fā)電機(jī)和其他重載電氣系統(tǒng)。TO-Leadless封裝是首個(gè)實(shí)現(xiàn)300安培電流能力的封裝。這種封裝相對(duì)于現(xiàn)有的D2PAK，PCB板面積和高度分別降低20%和50%，從而大幅節(jié)省空間。
開(kāi)發(fā)全新的啟停系統(tǒng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電池管理和主動(dòng)式發(fā)電機(jī)，以滿足更苛刻的能效和排放要求的汽車電子公司，正在尋求各種創(chuàng)新解決方案，但他們還必須最大程度規(guī)避僅從一家供應(yīng)商采購(gòu)器件的風(fēng)險(xiǎn)。為確?？煽康钠骷?yīng)，飛兆半導(dǎo)體與英飛凌簽署該許可協(xié)議，旨在將領(lǐng)先業(yè)界的TO-Leadless MOSFET封裝解決方案應(yīng)用于汽車行業(yè)，同時(shí)最大程度降低從一家供應(yīng)商采購(gòu)器件的風(fēng)險(xiǎn)。
飛兆半導(dǎo)體公司計(jì)劃將TO-Leadless功率器件封裝工藝應(yīng)用于其最新的MOSFET技術(shù)。采用TO-Leadless封裝的首批MOSFET樣品，預(yù)計(jì)將于2012年下半年開(kāi)始提供，批量生產(chǎn)有望于2013年中期開(kāi)始。
飛兆半導(dǎo)體汽車業(yè)務(wù)部副總裁Marion Limmer指出：“憑借多年來(lái)在汽車行業(yè)積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，飛兆半導(dǎo)體在滿足當(dāng)前各大汽車廠商的功率半導(dǎo)體需求方面，遙遙領(lǐng)先。通過(guò)采用這種TO-Leadless功率器件封裝工藝，飛兆半導(dǎo)體幫助設(shè)計(jì)人員充分利用最新的低阻MOSFET技術(shù)，從而進(jìn)一步提高我們?cè)谄囀袌?chǎng)的份額?！?/P>
英飛凌科技股份公司汽車電子業(yè)務(wù)部總裁Jochen Hanebeck表示：“擁有這個(gè)協(xié)議，汽車行業(yè)將受益于從其他可靠供應(yīng)商訂購(gòu)空間、能效及性能方面具備優(yōu)勢(shì)的大電流功率器件。作為汽車功率應(yīng)用技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌利用其技術(shù)專長(zhǎng)為汽車系統(tǒng)供應(yīng)商提供可提高能效和性能的MOSFET，同時(shí)還可最大程度降低從一家供應(yīng)商采購(gòu)的風(fēng)險(xiǎn)?！?/P>
飛兆半導(dǎo)體與世界領(lǐng)先的汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商合作，開(kāi)發(fā)出廣泛支持汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體解決方案，包括優(yōu)化現(xiàn)代汽車的電源管理架構(gòu)、降低燃耗和環(huán)境污染等等。
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