把各種測(cè)量集成到器件特性分析中最困難的問(wèn)題之一，是每種測(cè)量類型基本上都要求不同的線纜。選擇與測(cè)量類型配套的線纜增強(qiáng)了測(cè)量完整性。但是，改變每種測(cè)量類型的電纜耗時(shí)很長(zhǎng)，許多用戶只能接受次優(yōu)結(jié)果。此外，在重新連接電纜時(shí)，用戶會(huì)面臨電纜重連不正確的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而導(dǎo)致錯(cuò)誤，需要額外的調(diào)試時(shí)間。更糟糕的是，這些錯(cuò)誤在很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都可能注意不到。

針對(duì)這些開(kāi)關(guān)測(cè)試的困擾，泰克圍繞客戶應(yīng)用需求進(jìn)行創(chuàng)新，其新型吉時(shí)利高速度、高完整性開(kāi)關(guān)解決方案幫助客戶輕松完成復(fù)雜測(cè)試。4200A-CVIV多通道開(kāi)關(guān)在I-V測(cè)量和C-V測(cè)量之間自動(dòng)切換，C-V測(cè)量可以移動(dòng)到任何輸出通道上，而不需重新布線。這種4通道開(kāi)關(guān)允許用戶在I-V和C-V測(cè)試期間保持相同的阻抗，可以把探針保留在晶圓測(cè)試站上。另外，用戶不需要改變測(cè)試設(shè)置和電纜連接，從而增強(qiáng)測(cè)量的準(zhǔn)確性。

雙像素二極管特性分析應(yīng)用

伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)器部門的科研人員正在開(kāi)發(fā)更高效的硅檢測(cè)器，用來(lái)監(jiān)測(cè)空基應(yīng)用中使用的各種放射信號(hào)，如X射線。其檢測(cè)器是一種雙像素二極管傳感器。雙像素二極管由兩個(gè)PIN二極管組成，每個(gè)二極管的陽(yáng)極相連。開(kāi)發(fā)工作包括在工廠鑄造晶圓。晶圓鑄造工藝一般要求在晶圓制作的各個(gè)階段及在晶圓完工時(shí)進(jìn)行測(cè)試，以保證工藝完整性，確保原型器件滿足設(shè)計(jì)規(guī)范。

典型的器件特性分析包括在高達(dá)100V和CV (電容-電壓)的正向和逆向偏置條件下分析IV特性。由于器件是雙二極管排列，因此每個(gè)器件要執(zhí)行兩次IV和CV測(cè)試，一對(duì)二極管中每個(gè)二極管測(cè)試一次。在使用老式測(cè)試配置和設(shè)備時(shí)，整個(gè)器件特性分析中每個(gè)器件需要長(zhǎng)達(dá)10分鐘才能完成IV和CV測(cè)試。

將老式IV/CV測(cè)試設(shè)備換上吉時(shí)利Model 4200A和最新CVIV多開(kāi)關(guān)后，客戶的測(cè)試時(shí)間明顯縮短，因?yàn)椴恍枰獮槊糠N測(cè)試類型手動(dòng)重新配置測(cè)試，大大改善了數(shù)據(jù)采集和管理工作。

通過(guò)利用4200A-CVIV多開(kāi)關(guān)來(lái)消除測(cè)試站重新配置，并在Clarius測(cè)試軟件內(nèi)部綜合執(zhí)行所有測(cè)試，總體測(cè)試時(shí)間從6分鐘縮短到僅12秒。盡管這不是生產(chǎn)環(huán)境，但測(cè)試時(shí)間縮短到幾秒仍令科研人員非常高興，因?yàn)樗麄兛梢园阎攸c(diǎn)放在研究上，更快地了解器件特點(diǎn)。

圖2：使用傳統(tǒng)設(shè)備所需的測(cè)試時(shí)間與使用4200A-SCS參數(shù)分析儀及CVIV多開(kāi)關(guān)所需的測(cè)試時(shí)間。

泰克高性能4200A-SCS 是一個(gè)模塊化、可定制、高度一體化的參數(shù)分析儀，可同時(shí)進(jìn)行電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 電學(xué)測(cè)試。使用其可選的 4200A-CVIV 多通道開(kāi)關(guān)模塊，可輕松地在 I-V 和 C-V 測(cè)量之間切換，而無(wú)需重新布線或抬起探針。4200A-SCS參數(shù)分析儀可大大加快客戶的測(cè)試速度，廣泛用于材料研究、半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)或生產(chǎn)的復(fù)雜器件。

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