MicroFET MOSFET（飛兆）

時(shí)間：2009-03-23 12:52:18

關(guān)鍵字： MOSFET 飛兆 MICRO BSP

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[導(dǎo)讀]飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機(jī)、電動(dòng)牙刷和須刨等應(yīng)用延長(zhǎng)電池壽命。這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機(jī)、電動(dòng)牙刷和須刨等應(yīng)用延長(zhǎng)電池壽命。

這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，適用于空間受限的應(yīng)用，提供出色的功耗和超低RDS(ON) ，能大大延長(zhǎng)電池的壽命，這些高效MicroFET MOSFET有助于應(yīng)對(duì)現(xiàn)今功能豐富的便攜式應(yīng)用所對(duì)的功耗挑戰(zhàn)。

FDMA410NZ為便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了業(yè)界最低的RDS(ON)，4.5V時(shí)為23 mΩ，采用纖細(xì)　2mm x 2mm封裝，兩款產(chǎn)品均可確保在VGS低至1.5V時(shí)達(dá)到RDS(ON)額定值，適用于鋰離子或原電池應(yīng)用。

飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on)、總柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD)，從而獲得出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。相比傳統(tǒng)的MOSFET封裝，其先進(jìn)的MicroFET封裝提供了卓越的功耗和傳導(dǎo)損耗特性。

飛兆半導(dǎo)體提供業(yè)界最廣泛的高熱效、超緊湊、薄型2mm x 2mm器件，適合各種低功耗應(yīng)用。這些易于使用、高性能、而且節(jié)省空間的MOSFET是低壓開(kāi)關(guān)、功率管理和電池充電系統(tǒng)的理想選擇。

價(jià)格 (訂購(gòu)1000個(gè)，每個(gè)) : 每個(gè)FDMA1024NZ器件為0.42美元
每個(gè)FDMA410NZ器件為0.38美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期: 收到訂單后10至12周內(nèi)