與其他細(xì)分市場相比，汽車市場占安森美半導(dǎo)體收入的最大份額。在汽車市場垂直領(lǐng)域，電源方案部(PSG)提供有競爭力的方案用于動(dòng)力總成、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車內(nèi)、車身、聯(lián)接和LED照明應(yīng)用。當(dāng)今內(nèi)燃機(jī)汽車向具有更高自動(dòng)化水平、提高燃油能效和減少排放發(fā)展，為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了一系列新挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體供應(yīng)商將提供低成本、重量輕的器件方案，具有降低的功耗，及高達(dá)175°C結(jié)溫的熱性能。

安森美半導(dǎo)體迄今已在汽車MOSFET市場上取得了強(qiáng)大的地位，提供廣泛的符合AECQ-101汽車認(rèn)證的具有競爭力的MOSFET陣容，為48V輕度混合系統(tǒng)的電源結(jié)構(gòu)、插電式混動(dòng)/電動(dòng)(PHEV/ BEV)汽車的車載充電單元、電氣化動(dòng)力總成中的高壓到低壓DC-DC變換器以及連接電池的12V 電子控制單元(ECU)應(yīng)用提供了方案，符合汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)考量。

在推廣中的μ8FL(3x3mm)、SO8-FL(5x6mm)、Power56、LFPAK、Power88(8x8mm)和TOLL(10x12mm)封裝較小，取代用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電磁控制、反向電池保護(hù)電路和12V ECU系統(tǒng)的舊的較大的DPAK、D2PAK和SOT-223封裝。與舊封裝相比，更小尺寸的占位具有更低的構(gòu)造成本，其電阻和電感值分別低至0.2 mΩ和1 nH。這些屬性轉(zhuǎn)換為具有低導(dǎo)通電阻(Rds-ON)和門極電荷值的具性價(jià)比的方案，可最小化導(dǎo)通和開關(guān)損耗。

表1. 汽車MOSFET用于關(guān)鍵應(yīng)用

此外，更小的節(jié)省空間的封裝與較大的DPAK和D2PAK封裝具有相當(dāng)?shù)臒嵝阅?。為遵從電氣?dòng)力總成系統(tǒng)設(shè)計(jì)的考量，可提供Power56雙冷卻、Power88單/雙冷卻、650V SuperFET®III和LFPAK56 MOSFET封裝。雙冷卻封裝結(jié)構(gòu)可最大化PCB板空間使用率和實(shí)現(xiàn)出色的熱傳導(dǎo)。 Power56兼容Power SO-8封裝并減少了寄生效應(yīng)。 Power88單封裝采用8x8 mm封裝，采用薄型結(jié)構(gòu)，適合替代較大的PTH和D2PAK封裝。 SuperFET®III MOSFET是一款高壓FET，具有降低的Rds-ON、門極和輸出電荷，有助于降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。 SuperFET®III MOSFET采用易驅(qū)動(dòng)和FRFET版本，具有良好的安全工作區(qū)(SOA)額定值。易驅(qū)動(dòng)版本可內(nèi)部調(diào)節(jié)門極電阻和寄生電容，有極低的EMI和電壓尖峰。 FRFET版本包括一個(gè)高度優(yōu)化的恢復(fù)二極管，具有超低Qrr和Trr，對于最小化開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)級可靠性至關(guān)重要。

LFPAK56封裝具有超低封裝雜散電感和電阻值。它采用強(qiáng)固的結(jié)構(gòu)，鷗翼式(gull-wing)設(shè)計(jì)可承受由于熱和機(jī)械應(yīng)力引起的膨脹和收縮，而不會影響性能。該表歸納了汽車MOSFET用于關(guān)鍵應(yīng)用。