TDK公司宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè)用CompactFlash（CF）存儲卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤（SSD），最大容量高達16 Gbyte。

這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進的NAND閃存卡，在高速性能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。

此外，在高速訪問方面，讀訪問速度高達50 MB/秒，寫訪問速度高達30 MB/秒；這些產(chǎn)品提供了強大的ECC糾錯功能（可達15 bit/扇區(qū)），具有較高的數(shù)據(jù)可靠性。由于大大降低了反復讀取數(shù)據(jù)可能出現(xiàn)誤碼和寫入數(shù)據(jù)掉電造成數(shù)據(jù)丟失的風險，這些高可靠性的CF存儲卡和SSD將成為工業(yè)和嵌入式應用的最佳選擇。

這些產(chǎn)品還采用了TDK研發(fā)的先進靜態(tài)損耗均衡功能，可使數(shù)據(jù)均勻地寫入閃存的所有存儲區(qū)，極大地提高了CompactFlash存儲卡和SSD的寫壽命。此外還對SMART（自動監(jiān)測分析報告技術(shù)）進行了改進，可獲取TDK所特有的關(guān)于各存儲塊擦寫次數(shù)的SMART數(shù)據(jù)，因而能夠進行系統(tǒng)量化評估并有助于操作和管理。

基本規(guī)格
 


主要用途
主要用于多功能打印機（MFP）、數(shù)控機床設(shè)備、程控裝置與PLC、工廠自動化觸摸工控機、觸屏顯示系統(tǒng)、嵌入式CPU板、銷售點（POS）終端、金融業(yè)務(wù)終端、ATM機及自助服務(wù)機終端、火車站設(shè)備、通信與廣播設(shè)備、安全與火災檢測設(shè)備、數(shù)字標牌、安全識別系統(tǒng)、成像與其他醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)用PC、藥物熔點（POM）系統(tǒng)、行車記錄儀、汽車數(shù)據(jù)記錄器（如數(shù)字轉(zhuǎn)速表）、分析與測量儀器，以及其他各種工業(yè)設(shè)備、醫(yī)學設(shè)備、汽車與嵌入式設(shè)備及社會基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。

主要特性
1. 采用獨創(chuàng)的TDK GBDriver RA8 NAND閃存控制器IC
內(nèi)存控制器IC采用TDK研發(fā)的GBDriver RA8系列，確保了CompactFlash和SSD的性能和數(shù)據(jù)可靠性。通過采用最新的NAND規(guī)范和改進控制器設(shè)計，TDK提高了NAND閃存盤的性能并確保各閃存版本兼容。這意味著同一個產(chǎn)品系列可滿足業(yè)界和嵌入式應用的閃存需求，也可作為理想的升級換代成品。

2. 搭載SLC 閃存
通過采用高速、耐用的SLC NAND，TDK打造出專為工業(yè)用途和嵌入式應用優(yōu)化的CompactFlash存儲卡和閃存盤，適用于高速數(shù)據(jù)寫訪問和高頻數(shù)據(jù)寫入。還可根據(jù)客戶需要提供采用多層單元（MLC）閃存的CF存儲卡和閃盤。

3. 高速訪問
兼容PIO模式0–6、多字節(jié)DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。這些高速NAND存儲設(shè)備支持高達50 MB/秒的讀訪問速度和高達30 MB/秒的寫訪問速度。

4. 對所有塊進行靜態(tài)損耗均衡
TDK創(chuàng)造了一種全新的靜態(tài)損耗均衡算法，可計算出所有內(nèi)存塊中各內(nèi)存塊的擦寫次數(shù)。此外定期對固定塊（如OS區(qū)和FAT區(qū)）進行調(diào)整，以盡量延長板載閃存的壽命，這也極大地增加了閃存存儲的重寫壽命。

5. 斷電耐受性增強
TDK獨創(chuàng)的算法可全面預防并行錯誤，例如在寫數(shù)據(jù)時發(fā)生斷電的情況下不讓錯亂的數(shù)據(jù)寫入。

6. 糾錯和恢復
通過ECC校驗（8 bit/扇區(qū)ECC和15 bit/扇區(qū)）提供糾錯能力，并為將來的NAND閃存預留了空間?？刂破骺瑟毩⑦x擇8 bit/扇區(qū)或15 bit/扇區(qū)的ECC校驗。自動恢復功能包括在反復讀取數(shù)據(jù)時自動糾正位錯誤（讀干擾錯誤）。

7. 其他功能
(a) 簇總數(shù)設(shè)置功能
可定制分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來提高閃存的可寫入次數(shù)。反之，如果應用不需要長壽命，可通過增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來加大存儲容量。可將CHS設(shè)為任何值，以便于將其引入現(xiàn)有系統(tǒng)。
(b) 保護（密碼）功能
采用ATA標準保護功能，用戶可設(shè)置和取消密碼以保護重要數(shù)據(jù)。
(c) SMART命令支持
可通過SMART命令確定所有內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)寫入（和擦除）次數(shù)，以便于確定NAND閃存狀態(tài)和相關(guān)管理。

8. 解決方案支持
TDK自2000年開始自主研發(fā)和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器IC，并依托其先進技術(shù)為日本和國外客戶提供全面技術(shù)支持，包括派遣FAE——現(xiàn)場應用工程師（Field
Application Engineer）和實施可靠性監(jiān)控工作，以滿足嵌入式系統(tǒng)市場在此方面的強烈需求。

生產(chǎn)銷售計劃
●生產(chǎn)地點： 臺灣
●生產(chǎn)能力： 10,000個/月（生產(chǎn)初期）
●投產(chǎn)時間： 2008年12月