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[導(dǎo)讀]瑞薩電子株式會社推出用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的1.1Gb存儲器件,面向新一代以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)(100GbE及以上)的交換機和路由器。新型網(wǎng)絡(luò)存儲器件在單個芯片內(nèi)實現(xiàn)了低功耗、大容量和高速度等特性。與瑞薩電子現(xiàn)有的288Mb低延遲DRAM器

瑞薩電子株式會社推出用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的1.1Gb存儲器件,面向新一代以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)(100GbE及以上)的交換機和路由器。新型網(wǎng)絡(luò)存儲器件在單個芯片內(nèi)實現(xiàn)了低功耗、大容量和高速度等特性。與瑞薩電子現(xiàn)有的288Mb低延遲DRAM器件相比,新器件的存儲容量增加了3倍,高速數(shù)據(jù)讀寫的隨機循環(huán)性能提升了30%,工作頻率提高了1倍。在性能得到大幅提升的同時,新器件的存儲器功耗卻保持在現(xiàn)有產(chǎn)品的同一水平上。

在多媒體智能電話、數(shù)字媒體播放器和互聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動數(shù)字照相機被廣泛應(yīng)用的今天,網(wǎng)絡(luò)流量正在迅速增加。為了對應(yīng)這種大流量,需要網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)設(shè)備(如交換機和路由器)能夠在單位時間內(nèi)處理更多的數(shù)據(jù)。

因此,從用于將數(shù)據(jù)暫時保存在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的緩沖存儲器,到用于將傳送目標(biāo)分配給數(shù)據(jù)的表格存儲器,都越來越需要在增加其容量的同時提高其速度。此外,為了在全球范圍內(nèi)推動環(huán)保型社會的發(fā)展,削減網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的功耗也已變得極為重要,因此對降低設(shè)備內(nèi)所使用的存儲器功耗的需求也日益增加。

為了滿足這些需求,瑞薩電子開發(fā)了新型存儲器件。該器件在實現(xiàn)更大容量和更高速度的同時,還能通過利用其獨特的工藝和電路技術(shù)削減功耗。

存儲器件的主要功能如下。

(1) 利用瑞薩電子的40nm嵌入式DRAM(eDRAM)技術(shù)提高容量和速度,削減功耗
新款網(wǎng)絡(luò)存儲器件采用瑞薩電子的40nm eDRAM技術(shù)和在高速存儲器件開發(fā)過程中已積累的電路技術(shù)制造而成。因此,與本公司現(xiàn)有的低延遲DRAM產(chǎn)品相比,瑞薩電子新款網(wǎng)絡(luò)存儲器件不僅存儲容量(1.1Gb)上提高了3倍,高速數(shù)據(jù)讀寫操作的隨機循環(huán)性能也(13.3ns)提升了30%,同時其最高工作頻率(800MHz)更提高了1倍之多。而在取得上述改進的同時,其功耗卻維持了原有2W的低水平。

(2) 高可靠性的高速接口
與瑞薩電子現(xiàn)有的存儲器件相比,新款網(wǎng)絡(luò)存儲器件的工作頻率從400MHz提高到了800MHz。為了讓面向36位數(shù)據(jù)輸入/輸出(I/O)的800MHz DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)接口能夠穩(wěn)定運行,公司降低了I/O電路的電壓,支持1.0V電源,并且采用高端終端來讓操作保持穩(wěn)定,這在圖形存儲器件領(lǐng)域內(nèi)得到了廣泛的認(rèn)可。新款網(wǎng)絡(luò)存儲器件提供了各種功能,使運行的可靠性得到保證。例如其提供的可編程片內(nèi)終端,就整合了面向輸入信號引腳的片上終端器件。此外,新款器件所提供的功能還包括:可以降低數(shù)據(jù)輸出端噪聲的數(shù)據(jù)反演功能、可使終端產(chǎn)品制造商根據(jù)個別信號引腳的情況調(diào)整信號輸入與輸出時序的逐比特去歪斜功能、以及可以在印刷電路板采用蛤殼安裝時輕松控制接線長度的鏡面功能。

(3) 與現(xiàn)有產(chǎn)品相比,其封裝結(jié)構(gòu)相同、尺寸也類似
由于工作頻率的提高,瑞薩電子將封裝內(nèi)的電源引腳增至38個,在采用與現(xiàn)有產(chǎn)品(其封裝尺寸為11 x 18.5mm)相同封裝結(jié)構(gòu)的同時,卻將封裝尺寸降至14 x 18.5 mm。由于新器件所采用封裝的可靠性已廣泛得到了行業(yè)的證實,因此采用這款新器件的系統(tǒng)設(shè)計者可以構(gòu)建更可靠的系統(tǒng),同時在印刷電路板設(shè)計階段還無需面臨電氣特性相關(guān)的難題。

2010年4月,NEC電子公司和瑞薩科技公司合并組成瑞薩電子。合并后的瑞薩電子現(xiàn)已成為可以獨立供應(yīng)面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的TCAM(三態(tài)內(nèi)容可尋址存儲器)、低延遲DRAM和普通QDR SRAM存儲器件的半導(dǎo)體存儲器制造商。借助其自身的先進技術(shù),瑞薩電子將繼續(xù)開發(fā)面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲器件,以滿足未來的市場需求。
 
此次瑞薩電子的新產(chǎn)品有助于節(jié)約能源和提升網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的性能,如交換機和路由器。今后,瑞薩電子將通過各種促銷活動向全球市場供應(yīng)這款器件。

定價和供貨情況
瑞薩電子新款網(wǎng)絡(luò)存儲器件(產(chǎn)品編號為µPD48011318、µPD48011336、µPD48011418和µPD48011436)樣品現(xiàn)已開始供應(yīng),單價為150美元。預(yù)計2011年4月開始批量生產(chǎn),2012年3月之前月產(chǎn)量將達(dá)到1,000,000件。
 

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