新型 SiP21301 LDO 控制器（Vishay）
[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可調(diào)及固定輸出電壓選擇的 LDO 控制器，該器件采用 n 通道 MOSFET，可在高達(dá) 7A 的極高電流情況下提供不到 50mV 的超低壓降。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可調(diào)及固定輸出電壓選擇的 LDO 控制器，該器件采用 n 通道 MOSFET，可在高達(dá) 7A 的極高電流情況下提供不到 50mV 的超低壓降。
該SiP21301器件已進(jìn)行了優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng) n 通道 MOSFET，以便為游戲機(jī)、機(jī)頂盒、液晶電視及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的 FPGA、ASIC 及 ASSP 供電。由于可與具有單獨(dú)電源電壓的外部 n 通道 MOSFET 一同使用，因此 SiP21301SiP21301 可使設(shè)計(jì)人員選擇導(dǎo)通電阻、壓降、輸出電流及功耗額定值最適合他們應(yīng)用的 FET，在電流高達(dá) 7A 時(shí)，其工作電壓介于 0.65V～2.5V。SiP21301解決方案高達(dá) 80% 的效率有助于降低終端產(chǎn)品中的能耗，同時(shí)可簡(jiǎn)化直流到直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
新型 SiP21301可在提供 7A 峰值電流時(shí)保持穩(wěn)壓，該器件非常適用于在開啟時(shí)具有高浪涌電流并且具有超低壓降要求的系統(tǒng)。 SiP21301具有可編程的啟動(dòng)時(shí)浪涌電流保護(hù)、短路保護(hù)、熱關(guān)斷及欠壓鎖定功能，可實(shí)現(xiàn) IC 及外部 MOSFET 的安全運(yùn)行。
該控制器提供了可調(diào)輸出電壓以及 1.2V 與 1.5V 的固定輸出電壓選擇。該器件可提供低工作電流、低待機(jī)電流以及 1% 的輸出電壓精度。
該SiP21301采用小型無鉛 (Pb) MSOP8 封裝，可在 -40°C～+125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。
目前，SiP21301LDO 控制器的樣品和量產(chǎn)批量已可提供，最初訂單的供貨周期為 8～12 周。
該SiP21301器件已進(jìn)行了優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng) n 通道 MOSFET，以便為游戲機(jī)、機(jī)頂盒、液晶電視及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的 FPGA、ASIC 及 ASSP 供電。由于可與具有單獨(dú)電源電壓的外部 n 通道 MOSFET 一同使用，因此 SiP21301SiP21301 可使設(shè)計(jì)人員選擇導(dǎo)通電阻、壓降、輸出電流及功耗額定值最適合他們應(yīng)用的 FET，在電流高達(dá) 7A 時(shí)，其工作電壓介于 0.65V～2.5V。SiP21301解決方案高達(dá) 80% 的效率有助于降低終端產(chǎn)品中的能耗，同時(shí)可簡(jiǎn)化直流到直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
新型 SiP21301可在提供 7A 峰值電流時(shí)保持穩(wěn)壓，該器件非常適用于在開啟時(shí)具有高浪涌電流并且具有超低壓降要求的系統(tǒng)。 SiP21301具有可編程的啟動(dòng)時(shí)浪涌電流保護(hù)、短路保護(hù)、熱關(guān)斷及欠壓鎖定功能，可實(shí)現(xiàn) IC 及外部 MOSFET 的安全運(yùn)行。
該控制器提供了可調(diào)輸出電壓以及 1.2V 與 1.5V 的固定輸出電壓選擇。該器件可提供低工作電流、低待機(jī)電流以及 1% 的輸出電壓精度。
該SiP21301采用小型無鉛 (Pb) MSOP8 封裝，可在 -40°C～+125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。
目前，SiP21301LDO 控制器的樣品和量產(chǎn)批量已可提供，最初訂單的供貨周期為 8～12 周。
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