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高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器（飛兆）

時(shí)間：2010-11-17 13:34:20

關(guān)鍵字： MOSFET 光耦合器柵極驅(qū)動(dòng) IGBT

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[導(dǎo)讀]為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出

為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達(dá)250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動(dòng)，相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動(dòng)器，新器件的傳輸遲延時(shí)間縮短了50%，功耗降低了13%。

FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級(jí)中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測(cè)器以光學(xué)方式耦合構(gòu)成，PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON)，能夠降低內(nèi)部功耗和提供接近軌對(duì)軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力，最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs，適合嘈雜的工業(yè)應(yīng)用。

FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍、3A最大峰值輸出電流，并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅(qū)動(dòng)IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)功能。

FOD3184采用8腳雙列直插封裝，提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙，可配合安全機(jī)構(gòu)至關(guān)重要的終端應(yīng)用要求。此外，封裝符合無鉛焊接標(biāo)準(zhǔn)對(duì)260ºC回流焊工藝的要求，F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM)，能夠驅(qū)動(dòng)1,200V負(fù)載，并保持長(zhǎng)期可靠的隔離性能。

FOD3184是飛兆半導(dǎo)體提供同級(jí)最佳抗噪能力、更快開關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產(chǎn)品系列的成員。飛兆半導(dǎo)體將開發(fā)更多同類型解決方案，以推動(dòng)工程師的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。

價(jià)格(訂購(gòu)1,000個(gè)): FOD3184的單價(jià)為1.51美元

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