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[導(dǎo)讀]21ic訊 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。新系列產(chǎn)品采用先進(jìn)技術(shù),為政府通信、用于緊急救援的專(zhuān)用移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)以及L波段

21ic訊 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。新系列產(chǎn)品采用先進(jìn)技術(shù),為政府通信、用于緊急救援的專(zhuān)用移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)以及L波段衛(wèi)星上行設(shè)備等要求苛刻的重要應(yīng)用領(lǐng)域提高無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的性能、穩(wěn)健性及可靠性。

保安和緊急救援組織及商業(yè)通信公司所使用的無(wú)線(xiàn)基站和中繼器等通信設(shè)備必須在輸出大功率高頻RF信號(hào)的同時(shí)保持低失真率,這兩個(gè)相互矛盾的要求使系統(tǒng)設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜,并增加了產(chǎn)品成本。多年來(lái)市場(chǎng)應(yīng)用證明,LDMOS技術(shù)可以為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),而意法半導(dǎo)體現(xiàn)在更推出了一項(xiàng)讓設(shè)備設(shè)計(jì)人員能夠進(jìn)一步提高系統(tǒng)性能的先進(jìn)技術(shù)。

意法半導(dǎo)體RF產(chǎn)品市場(chǎng)和應(yīng)用支持經(jīng)理Serge Juhel表示:“LDMOS是實(shí)現(xiàn)高速且穩(wěn)健的無(wú)線(xiàn)通信的關(guān)鍵技術(shù),我們的下一代產(chǎn)品將幫助設(shè)備設(shè)計(jì)人員提高RF功率,而不會(huì)降低重要的系統(tǒng)性能指標(biāo),包括線(xiàn)性、穩(wěn)健性及可靠性。我們此次推出的先進(jìn)產(chǎn)品將為專(zhuān)用移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)、政府寬帶通信、航天通信系統(tǒng)以及衛(wèi)星上行射頻等重要應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)優(yōu)勢(shì)。”

LET 系列RF 晶體管采用意法半導(dǎo)體最新的STH5P LDMOS制造技術(shù),擁有更高的功率飽和功能,可最大限度地降低信號(hào)在大功率下的失真率。新系列產(chǎn)品的工作頻率高達(dá)2GHz,且大幅改進(jìn)了線(xiàn)性、穩(wěn)健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產(chǎn)品提高了10-15%。

此外,新系列產(chǎn)品的增益也比上一代產(chǎn)品提高3dB,這有助于簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì),最大幅度地減少元器件數(shù)量。其它改進(jìn)功能還包括擊穿電壓從65V提高至80V,更佳的熱性能可大幅提高系統(tǒng)可靠性和負(fù)載失匹功能。

目前LET系列共有6款已量產(chǎn)產(chǎn)品,另外5款產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2011年第四季度投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的倒螺栓封裝或耳式封裝。

采用價(jià)格實(shí)惠的Power-SO 10RF塑料貼裝的彎曲或豎直引腳的產(chǎn)品目前已在品質(zhì)檢測(cè)階段。
 

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