新芯片組專為隔離式或非隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可提升系統(tǒng)層面的電源性能，如220W以下系統(tǒng)主機(jī)板的大型48V轉(zhuǎn)換，或用以驅(qū)動(dòng)基站系統(tǒng)的無(wú)線電放大器。

    IR2086S 控制器集成電路采用初級(jí)全橋布置，可簡(jiǎn)化隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。它特別針對(duì)總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計(jì)，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。

    IR2086S設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過程中為全橋的高、低端MOSFET保持相同的脈沖寬度。

    新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2A柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500kHz的可編程開關(guān)頻率。

    設(shè)計(jì)師可從100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四種DirectFET MOSFET選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些MOSFET采用IR最新技術(shù)及DirectFET封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。

    由于器件溫度更低，因此無(wú)需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，IRF6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，IRF6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。

    IRF6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電阻與兩個(gè)傳統(tǒng)元件的并聯(lián)效果相當(dāng)。在一些特定的輸入輸出電壓比要求下，次級(jí)同步整流布置結(jié)構(gòu)可采用IR 40V IRF6613 DirectFET MOSFET，較30V器件可提供33%的電壓裕量，而效率則相差不到1％。

    上述新器件現(xiàn)已投入供應(yīng)。

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