穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時(shí)電流會(huì)急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時(shí)的動(dòng)態(tài)電阻 Rz，也就是增加的 電壓除以增加的電流 ，所得到的比值比較小，這樣就會(huì)使得外部電壓的波動(dòng)對(duì)穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制，使其成為...

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個(gè)問題...

這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí)，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率...

碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過去五年中，汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明，通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...

工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見的電動(dòng)機(jī)類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求，因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高...