20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在 10 V 時）、2.5 mΩ（在 4.5 V 時）和 3.9 mΩ（在 2.5 V 時）的超低導(dǎo)通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執(zhí)行切換任務(wù)。
Si7137DP 將用作適配器開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。Si7137DP 的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。
對于使用 20V 器件足夠的應(yīng)用，Si7137DP 令設(shè)計人員無須依賴 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導(dǎo)通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值，在 4.5V 柵極驅(qū)動時導(dǎo)通電阻為 14 mΩ，且沒有 10V 柵極至源極電壓的特點。在同類 30V 器件中，采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導(dǎo)通電阻在 10V 及 4.5V 時分別為 3.5 mΩ 和 6.3 mΩ，約為 Si7137DP 的一倍。
Vishay 將在 2009 年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發(fā)布的該器件 100% 通過Rg 和 UIS 認(rèn)證，且不含鹵素。
目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
