符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC（ON Semiconductor）
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù)，以及用于過壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
安森美半導(dǎo)體汽車電源產(chǎn)品總監(jiān)Jim Alvenaz說：“汽車中的電子成分持續(xù)增加，需要提供能幫助減少元器件數(shù)量及節(jié)省珍貴電路板空間的半導(dǎo)體方案。安森美半導(dǎo)體的NCV840x系列幫助設(shè)計(jì)人員達(dá)到這些目的，提供強(qiáng)固的系統(tǒng)設(shè)計(jì)足以配合汽車嚴(yán)峻的應(yīng)用環(huán)境。”
NCV840x驅(qū)動(dòng)器能用于多種電阻型、電感型及電容型負(fù)載的開關(guān)，使設(shè)計(jì)人員能夠以更緊湊、更強(qiáng)固及工作壽命更長的另一選擇，替代機(jī)電式繼電器或分立電路。所有這些器件都提供邏輯電平輸入。
NCV8401、NCV8402D及NCV8403的額定漏極至源極電壓(VDSS)為42伏特(V)，最大漏極電流(ID)分別為33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS為40 V，最大額定ID為6 A。所有這些器件的柵極至源極電壓(VGS)為±14 V。
這新系列的所有器件均提供低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))值，幫助實(shí)現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分別為23毫歐(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。
這些器件都提供−40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍及高靜電抑制等級(jí)(25°C結(jié)溫時(shí)為4,000 V)。當(dāng)VGS為5 V及10 V時(shí)，關(guān)閉溫度限制分別設(shè)定在175⁰C及165⁰C。
NCV840x器件采用無鉛SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，批量每1,000片的單價(jià)介于0.25美元至0.58美元之間。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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