美國(guó)ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）公司是全球首屈一指，針對(duì)多元終端市場(chǎng)提供高性能功率產(chǎn)品的全球第二大供應(yīng)商。1999 年，安森美半導(dǎo)體從摩托羅拉分離出來(lái)，于 2000 年成為一家上市公司，2018年成為...

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱(chēng)為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題...

碳化硅 (SiC) 因其更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱(chēng)為汽車(chē)行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過(guò)去五年中，汽車(chē)行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明，通過(guò) SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...

IC 參考在電路設(shè)計(jì)人員中很受歡迎，因?yàn)樗鼈儨?zhǔn)確且漂移低。我未來(lái)的一些專(zhuān)欄將涵蓋三種類(lèi)型的 IC 參考：掩埋齊納二極管、帶隙和 XFET。我們使用齊納二極管開(kāi)發(fā)參考設(shè)計(jì)程序;齊納二極管的簡(jiǎn)單說(shuō)明了設(shè)計(jì)過(guò)程，它的問(wèn)題讓我們...

穩(wěn)壓器是使輸出電壓穩(wěn)定的設(shè)備。穩(wěn)壓器由調(diào)壓電路、控制電路、及伺服電機(jī)等組成。當(dāng)輸入電壓或負(fù)載變化時(shí)，控制電路進(jìn)行取樣、比較、放大，然后驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，使調(diào)壓器碳刷的位置改變，通過(guò)自動(dòng)調(diào)整線圈匝數(shù)比，從而保持輸出電壓的穩(wěn)...