飛兆半導(dǎo)體推出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ

時(shí)間：2011-12-11 21:42:42

關(guān)鍵字： MOSFET 器件 POWER 飛兆半導(dǎo)體

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[導(dǎo)讀]21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸，并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對(duì)鋰離子電池組保護(hù)電路和其它超便

21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸，并提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ專門針對(duì)鋰離子電池組保護(hù)電路和其它超便攜應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠?qū)崿F(xiàn)電流的雙向流動(dòng)。

FDMB2307NZ采用先進(jìn)的PowerTrench工藝，具有高功率密度，并在VGS = 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss(on)，從而獲得更低的導(dǎo)通損耗、電壓降和功率損耗，并且相比競爭解決方案，具有更高的總體設(shè)計(jì)效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統(tǒng)工作溫度更低，進(jìn)一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET™封裝，為設(shè)計(jì)人員帶來了現(xiàn)有最小的MLP解決方案之一，相比目前常見的解決方案減小40%，顯著節(jié)省了客戶設(shè)計(jì)的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防護(hù)功能。

飛兆半導(dǎo)體通過將先進(jìn)的電路技術(shù)集成在微型高級(jí)封裝中，為便攜產(chǎn)品用戶提供了重要的優(yōu)勢，同時(shí)能夠減小設(shè)計(jì)的尺寸、成本和功率。飛兆半導(dǎo)體的便攜IP業(yè)已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。