全球增強(qiáng)型氮化鎵晶體管領(lǐng)袖廠商、致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體管，在提升產(chǎn)品性能之同時(shí)也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!

100 V的EPC2045應(yīng)用于開(kāi)放式伺服器架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)48 V至負(fù)載的單級(jí)電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、USB-C及激光雷達(dá)(LiDAR)等應(yīng)用。200 V 的EPC2046/EPC2047可應(yīng)用于無(wú)線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用及太陽(yáng)能微型逆變器。

100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上繼續(xù)擴(kuò)大與等效硅基功率MOSFET的績(jī)效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比， EPC2045及EPC2047的芯片尺寸減半。

設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小型化和性能更高的器件! eGaN產(chǎn)品采用芯片級(jí)封裝，比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱，這是由于使用芯片級(jí)封裝的器件可以直接把熱量傳遞至環(huán)境，而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士稱：「我們非常高興利用創(chuàng)新的氮化鎵技術(shù)，開(kāi)發(fā)出這些正在改變半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)?！笰lex繼續(xù)說(shuō)道:「面向目前采用MOSFET技術(shù)的各種應(yīng)用，這些全新eGaN產(chǎn)品展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升產(chǎn)品的性能之同時(shí)能夠降價(jià)。此外，我們將繼續(xù)發(fā)展氮化鎵技術(shù)以推動(dòng)全新硅基器件所不能夠支持的最終用戶應(yīng)用的出現(xiàn)。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績(jī)效差距正在逐漸擴(kuò)大?！?/p>

此外，我們也為工程師提供3塊開(kāi)發(fā)板以幫助工程師易于對(duì)EPC2045及EPC2047的性能進(jìn)行評(píng)估，包括內(nèi)含100 V的EPC2045晶體管的開(kāi)發(fā)板(EPC9078及EPC9080)和內(nèi)含200 V的EPC2047的開(kāi)發(fā)板(EPC9081)。

eGaN產(chǎn)品的發(fā)展進(jìn)入“良性循環(huán)”(virtuous cycle)的軌度

氮化鎵工藝所具備的優(yōu)勢(shì)是氮化鎵器件比等效硅基器件具備低很多的電容，因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下，實(shí)現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗及更低的開(kāi)關(guān)損耗。與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V電源轉(zhuǎn)換、500 kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，功耗降低30%及效率提升2.5%。

與硅基MOSFET相反的是，eGaN FET雖然小型很多，但它的開(kāi)關(guān)性能更高，代表eGaN產(chǎn)品的前景是該技術(shù)進(jìn)入“良性循環(huán)”的軌度，預(yù)期氮化鎵器件將會(huì)繼續(xù)小型化而其性能可以更高。

我們看到這些全新產(chǎn)品在性能、尺寸及成本上的改進(jìn)是由于利用了創(chuàng)新的方法，當(dāng)擊穿時(shí)在漏極區(qū)域減弱電場(chǎng)并且同時(shí)大大減少陷阱，使之所俘獲的電子減少。