隨著社會的快速發(fā)展，我們的氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管也在快速發(fā)展，那么你知道氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識。

增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關(guān)和諧振式)和面向全自動駕駛汽車、機(jī)械人及無人機(jī)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V，非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準(zhǔn)硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。

氮化鎵的答案是針對每個器件的大小制定漏電流限制。國際整流器(International Rectifier) 所示的典型漏電流600V級聯(lián)。這實現(xiàn)了每毫米柵極寬度50nA以下的漏電流。該器件必須在額定電壓及以上阻斷。

EPC2204的導(dǎo)通電阻降低了25%，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準(zhǔn)硅MOSFET器件相比，其柵極電荷(QG)小超過50%，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復(fù)電荷(QRR)，從而使得D類音頻放大器可以實現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機(jī)驅(qū)動器。

簡單的級聯(lián)電路無法提供轉(zhuǎn)換速率(slew rate)控制，從而使PC板布局變得至關(guān)重要。此外，柵極驅(qū)動器的特性是部分地由封裝內(nèi)部串聯(lián)的源極電感所控制的。

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“大家預(yù)計最新一代且性能優(yōu)越的100 V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進(jìn)的100 V晶體管的價格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O(shè)計工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件?！?

以上就是氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管的有關(guān)知識的詳細(xì)解析，需要大家不斷在實際中積累經(jīng)驗，這樣才能設(shè)計出更好的產(chǎn)品，為我們的社會更好地發(fā)展。