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[導讀]對HSOP封裝的EL7558BC降壓型開關整流器芯片的使用特點進行了分析,給出了利用該整流器芯片設計DC/DC變換器的外圍電路和設計方法。

摘要:對HSOP封裝的EL7558BC降壓型開關整流器芯片的使用特點進行了分析,給出了利用該整流器芯片設計DC/DC變換器的外圍電路和設計方法。并通過實驗驗證了該設計方法。

    關鍵詞:DC/DC變換器;EL7558BC;開關整流器

引言

EL7558BCDC/DC變換器芯片是Elantec公司生產(chǎn)的內(nèi)部集成了MOSFETs的低輸入電壓(4.5~5.5V),高輸出電流(8A)的PWM整流器,效率可達94%。輸出電壓偏差小于1.5%。最高開關頻率可達1MHz,可以設置成固定電壓輸出(3.5V)或者可調(diào)電壓輸出(1.0~3.8V)。EL7558BC具有盡可能減少外圍元器件的高度集成特點,只需少量外圍元器件即可工作,從而大大降低了電路板面積和設計成本,為電源設計提供了一種快速而簡易的解決方案。EL7558BC同時具有過熱指示及過熱截止負載保護功能,用于邏輯/處理器復位及控制供電順序的電壓反饋PWRGD輸出信號等。其封裝形式為具有良好散熱性能的28腳HSOP封裝。這些優(yōu)點使得EL7558BC電源芯片可以廣泛應用于高性能的DSPs/FPGAs/ASICs/微處理器,PC主板,便攜式電子儀器,手提電腦等許多電子設備中。

1 管腳功能和使用特點

EL7558BC封裝形式如圖1所示,各管腳功能如下:

腳1(FB1)電壓反饋輸入端1,當芯片設置為可調(diào)電壓輸出時(VCC2DET為低)有效;

腳2(CREF)參考電壓旁路電容輸入端,一般用0.1μF瓷片電容與地連接;

腳3(CSLOPE)斜坡補償電容輸入端;

腳4(COSC)內(nèi)部振蕩器電容輸入端,電容CSLOPE與COSC比例通常為1:1.5;

腳5(VDD)PWM控制電路電源電壓輸入端,通常與VIN電壓相同;

腳6及腳8(VIN)降壓整流器電源電壓輸入端;

腳7,腳9-12,腳18-19(VSSP)降壓整流器返回地,即電源地;

腳13(VCC2DET)接口邏輯輸入端,邏輯1時芯片為3.5V固定電壓輸出,邏輯0時芯片為1.0~3.8V可調(diào)電壓輸出;

腳14(OUTEN)開關整流器輸出使能端,邏輯1有效;

腳15(OT)芯片過熱指示輸出,通常為高,當溫度超過135℃時拉低,溫度降至100℃以下時恢復變高;

腳16(PWRGD)Powergood輸出信號,當輸出電壓的誤差小于預設值的±10%時為高,否則為低;

腳17(TEST)測試腳,通常必須與VSSP連接;

腳20-23(LX)電壓輸出端,驅(qū)動外部的電感;

腳24(VHI)內(nèi)部高端門驅(qū)動端,通過一個0.1μF的旁路電容與LX相連;

腳25(VSS)控制電路返回地,即信號地;

腳26(C2V)連接倍壓電路輸出,作為內(nèi)部低端門驅(qū)動端;

腳27(CP)電荷泵電容的負邊驅(qū)動端;

腳28(FB2)電壓反饋輸入端2,當芯片設置為固定電壓輸出時(VCC2DET為低)有效,此時輸出電壓為3.5V。

EL7558BCDC/DC變換器芯片具有軟啟動功能,而且不需要外部電容器,當芯片加電時就會完成軟啟動。EL7558BC具有VCC2DET功能,為IntelP54和P55微處理器提供了直接的接口。EL7558BC具有內(nèi)置的電荷泵倍壓電路,用于開啟內(nèi)部MOSFET,C5(見圖1)即為電荷泵電容,D2及D3為電荷泵二極管。如果有12V電壓輸入,則D2及D3均可省略。

圖1 EL7558BC DC/DC變換器芯片的封裝形式及其典型電路

2 DC/DC變換器的設計

下面以EL7558BCDC/DC變換器芯片為例,對DC/DC變換器的設計過程進行詳細說明。其典型設計電路如圖1所示。

2.1 選擇輸出電壓

EL7558BCDC/DC變換器芯片可以通過VCC2DET腳設置固定電壓(3.5V)輸出或者可調(diào)電壓(1.0~3.8V)輸出。當VCC2DET為高時為固定電壓輸出;當VCC2DET為低時為可調(diào)電壓輸出,此時要想得到不同的電壓輸出,可以通過反饋電阻R3及R4來調(diào)節(jié),可調(diào)輸出電壓范圍為1.0V至3.8V。R3及R4阻值與輸出電壓之間的對應關系可以近似地用式(1)表示,在這種模式下,VCC2DET管腳必須為低。

輸出電壓Vo=1+(R3/R4)×1V   (1)

2.2 選擇開關頻率

開關頻率對EL7558BC芯片的轉(zhuǎn)換效率以及所需外接電感的大小都有很大的影響。頻率越低,效率越高,但是所需電感的值也越大??梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)連接COSC腳的電容C8來設置開關頻率,可調(diào)頻率最高可達1MHz,C8電容值與開關頻率之間的對應關系可以近似地用式(2)表示。

開關頻率fsw=0.0001/Cs(Hz) (2)

式中:C8單位為法拉F。

通過調(diào)節(jié)電容C8來改變開關頻率時,連接CSLOPE腳的斜坡補償電容C7也要做相應的調(diào)整,電容C7與C8比例通常為1:1.5。

2.3 選擇輸入濾波元件

EL7558BC芯片的輸入端通常需要一個去耦電容和一個大容量輸入電容。去耦電容C12主要作用是降低芯片輸入端的高頻噪聲,一般采用1~10μF的瓷片電容,這個電容在布局時必須盡可能地靠近EL7558BC芯片以獲得最佳效果。大容量輸入電容C9的主要作用是降低輸入紋波電壓,在某些應用中一個10μF的去耦電容已經(jīng)足夠濾波而無須大容量輸入電容。至于是否需要大容量輸入電容,首先取決于允許的最大輸入紋波電壓。通常要使EL7558BC正常工作,輸入紋波電壓不可超過300mV??捎檬剑?)計算只用10μF電容時,可能出現(xiàn)的最大輸入紋波電壓,如果計算得到的值超過允許值,就要用大容量輸入電容。

ΔVIN=IOUT(MAX)0.25/(10μF)(3)

式中:ΔVIN為沒有大容量電容時的輸入紋波電壓

的最大峰峰值;

IOUT(MAX)為最大的直流負載電流。

大容量輸入電容的值越大越有利于降低紋波電壓,而其等效串聯(lián)電阻(ESR)越大卻會增加紋波電壓,所以,要選擇容量大且ESR低的電容。式(4)給出了大容量輸入電容與輸入紋波電壓的大致關

系。如果紋波電壓還是太大,可以采用多個電容并聯(lián)的方法。另外大容量輸入電容的額定電壓和電流也要合適。

ΔVIN′=(IOUT(MAX)0.25)/CBULKfSW+IOUT(MAX)ESRMAX(4)

式中:ΔVIN′為有大容量輸入電容時的輸入紋波電壓的最大峰峰值;

IOUT(MAX)為最大的直流負載電流;CBULK為所采用的大容量輸入電容即C9;

ESRMAX為大容量輸入電容的最大ESR。

2.4 選擇輸出濾波元件

輸出濾波元件的選擇是DC/DC變換器設計中最關鍵的一環(huán),輸出濾波元件決定了電源的穩(wěn)定性。重點是要選擇兩個元件,一個是輸出電感L1,另一個是輸出電容C10。影響電源穩(wěn)定性的最關鍵參數(shù)是輸出電容的ESR,電容的數(shù)據(jù)手冊一般都會給出電容的最大ESR,而最小ESR通常為最大ESR的40%~60%。此外,在選擇電容的時候,電容ESR的溫漂也要適當考慮。

輸出電感L1具有存儲能量和濾去紋波兩大功能,電感的選擇主要是由輸入、輸出電壓,以及開關頻率決定的。電感的額定電流必須大于最大輸出電流(8A),電感值的選取可以由式(5)計算得到。

LOUT=(VIN(MAX)-VOUT)(1/ΔIL)(VOUT/VIN(MAX)(1/fsW)   (5)

式中:LOUT為的輸出電感,即L1;

VIN(MAX)為最大的輸入電壓;

VOUT為輸出電壓;

ΔIL為允許的最大輸出電感紋波電流值,這個值通常必須小于0.8A。

電容的選擇要從電容直流額定電壓,電容的額定紋波電流,電源的最大輸出紋波電壓,電源的穩(wěn)定性等四個因素去考慮。電容額定電壓必須大于輸出電壓,一般至少要比輸出電壓高出10%,以控制紋波和瞬態(tài)響應。最大的電容紋波電流(即電容RMS電流)可以用式(6)計算,所選電容的額定紋波電流必須大于式(6)的計算結(jié)果。

IC(RMS,MAX)=1/根號12(VIN(MAX)-VOUT)VOUT)/VIN(MAX)LOUTsW  (6)

式中:IC(RMS,MAX)為最大的電容RMS電流。

對于電源的最大輸出紋波電壓,首先,要確定具體應用對輸出紋波電壓的要求,EL7558BC芯片輸出紋波電壓必須限制在輸出電壓的2%以內(nèi)。接著,利用式(7)計算允許的電容最大ESR,選擇最大額定ESR小于式(7)計算值,以確保輸出紋波電壓符合應用要求。另外,電容ESR的溫漂也必須考慮在內(nèi)。

ESRMAX′=ΔV(MAX)/ΔIL(MAX)  (7)

式中:ESRMAX為允許的最大輸出電容ESR;

ΔV(MAX)為允許的最大輸出紋波電壓值;

ΔIL(MAX)為允許的最大輸出紋波電流值,這個值通常必須小于0.8A。

可以通過多個電容并聯(lián)的方法來降低ESR,提高電路的瞬態(tài)響應,不過總的ESR必須大于10mΩ,總的電容值必須大于330μF。

2.5 布局布線注意事項

在布局布線時,原則是所有的外圍元器件要盡可能的靠近EL7558BC電源芯片,尤其是去耦電容和旁路電容必須布在相應的管腳附近。EL7558BC器件有兩個地(模擬地和電源地),模擬地連接所有噪聲敏感信號,而電源地連接有噪聲的信號。兩個地之間引入噪聲將降低芯片的性能,尤其在大電流輸出的情況下。但是,模擬地的噪聲過大將會影響控制信號,所以,推薦把模擬地和電源地分開,并且兩個地在一點(通常在芯片下面或者在輸入或輸出電容的負邊)直接連接以降低兩個地之間的噪聲。連接反饋腳(腳1和腳28)的走線對噪聲最為敏感,要盡可能地短,最好布在兩個地線中間。

EL7558BC芯片的散熱主要靠VSSP引腳以及芯片底部的散熱焊盤。為了達到良好的散熱性能,散熱焊盤必須完全焊接在PCB上,如果有中間的地層時,必須通過多個過孔把地層與散熱焊盤相連以提高散熱效果。

3 結(jié)語

我們采用以上方法,用兩塊EL7558BC芯片設計了基于FPGA的MPEG?4解碼器芯片設計*演示開發(fā)板的電源(輸入4.5~5.5V,輸出3.3~1.5V)。其中3.3V輸出的設計電路如圖1所示,各項指標如下:

1)輸出電壓校準在輸入電壓從4.5V到5.5V及負載電流從0到8.0A的范圍內(nèi)變化時,輸出電壓變化不超過1.0%;

2)負載瞬態(tài)響應負載電流在15μs內(nèi)從0A到8A或從8A到0A突變,輸出電壓瞬時波動不超過120mV,波動時間不超過25μs;

3)輸出電壓紋波在輸入電壓為4.5~5.5V時,輸出電壓紋波峰峰值低于22mV。

4)輸入電壓紋波在負載為8A,輸入電壓為4.5~5.5V時,輸入電壓紋波峰峰值大約為230mV,

增大輸入電容值,將C9從220μF換成470μF,輸入電壓紋波峰峰值降到180mV左右。

基于EL7558BC的DC/DC模塊設計體現(xiàn)了新型的快速,簡易的電源解決方案,其設計方法在目前的DC/DC變換器設計中是非常典型的,具有相當?shù)膮⒖純r值。

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