摘    要：由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制，為此提出一種由MOSFET控制，并且由高頻變壓器隔離的開關(guān)電源設(shè)計方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強，輸出電壓穩(wěn)定，調(diào)壓范圍廣，電壓動態(tài)響應(yīng)快，性價比高，使用方便等特點。
關(guān)鍵詞：PWM；MOSFET；驅(qū)動模塊 

        引    言 

         功率場效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點，是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計實例。 

        總體結(jié)構(gòu)與主電路 

        圖1 為該電源的總體結(jié)構(gòu)框圖。工作原理如下： 

        圖1 　原理方框圖 

         全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V 整流成不可調(diào)的直流電壓Ud = 1. 2U約等于198V。兩個等值濾波電容上的電壓分別為99V 以上，經(jīng)DC/AC 變換器逆變之后輸出20kHz、脈寬可調(diào)的交流電壓，又經(jīng)高頻變壓器的兩個副邊分正負(fù)半周送入整流濾波電路，輸出直流電壓。該電源直流輸出電壓的大小靠 PWM發(fā)生器的輸出脈沖寬度來控制。 

        主電路如圖2 所示。 

        圖2 　主電路 

        主電路中實現(xiàn)DCPAC 變換的關(guān)鍵元件是功率場效應(yīng)管VT₁ 和VT₂ 。當(dāng)VT₁ 管開通，VT₂ 截止時，電路中的電流從電容C₁ 正極到VT₁ 的D₁ - S₁ ，再通過變壓器原邊回到電容器C₁ 的負(fù)極形成回路，u_AB為正電壓。變壓器的副邊感應(yīng)電壓同名端為正，VD₁ 導(dǎo)通，輸出U₀ 上正下負(fù)。 

        當(dāng)VT₂ 開通，VT₁ 關(guān)斷時，同樣可推出上述結(jié)論：U₀ 上正下負(fù)。U₀ 的大小取決于控制電路使VT₁ 、VT₂ 的導(dǎo)通時間。 

        控制電路 

        控制電路功能是實現(xiàn)PWM 波形合成及可控DC/AC 變換器的隔離驅(qū)動。
　 
        PWM波形的產(chǎn)生 
        該電路的電源設(shè)計是以三端集成穩(wěn)壓器為核心的±15V 直流穩(wěn)壓電源。 

        (1) PWM的控制原理 
        脈寬PWM波形產(chǎn)生采用功能強大的TL494 定頻調(diào)制芯片，該芯片有16 個引腳，內(nèi)部電路與外圍電路如圖3 示。
 
        圖3 　TL494 內(nèi)部電路及外圍電路 

        TL494 芯片的引腳13 低電平時，引腳8 和11 同步工作，單端輸出；引腳13 高電平時，引腳8 和11推挽工作，雙路輸出。本電路采用后種工作方式。該芯片的最高工作頻率為300kHz ，實際工作頻率由引腳5、6 所接的電阻與電容決定，其振蕩頻率算式為f = 1.1P(R_TC_T ) ，本設(shè)計選擇的振蕩頻率為20kHz ，鋸齒波在片內(nèi)被送到比較器1 和2 的反相端。鋸齒波與片內(nèi)的誤差放大器的輸出在PWM 比較器2 中比較，而死區(qū)控制電平與鋸齒波在死區(qū)時間比較器1 中比較，兩者的輸出分別為一定寬度的矩形波，它們同時送到或門電路，經(jīng)分頻器分頻后，再經(jīng)相應(yīng)的門電路去控制內(nèi)部三極管交替導(dǎo)通，使得引腳8 和11 向外輸出相位互差180°的PWM 波形。其工作波形如圖4 所示。 

        圖4 　工作波形 

        誤差放大器1 的反相端(引腳2) 接可調(diào)給定電壓U_g 。改變U_g ，可改變引腳3 的電壓值，從而改變PWM比較器2 輸出波形的寬度，實現(xiàn)U₀ 從0～45V連續(xù)可調(diào)。 

        (2) 死區(qū)時間的控制 
        為了保證開關(guān)器件VT₁ 與VT₂ 在一只管子關(guān)斷另一只管子開通時有足夠的時間間隔，防止功率開關(guān)元件上下直通造成的直流側(cè)短路，該電路用引腳4 控制兩個開關(guān)器件的死區(qū)時間。由內(nèi)部基準(zhǔn)源引腳14 串聯(lián)電容器C₅ 提供死區(qū)電壓參考數(shù)值，并通過R₅ 接地來共同決定死區(qū)時間最小值T_{off (min)} 。 

        另外，在輸入電源剛接通時，R₅ 與C₅ 又構(gòu)成軟起動器。由于電容上的電壓不能突變，所以起動瞬間，死區(qū)控制端4 與內(nèi)部基準(zhǔn)電壓14 端等電位，為高電平，死區(qū)比較器1 也輸出高電平，封鎖輸出端的兩個晶體管；隨著電容電壓的不斷上升，4 端電位逐漸降低，這兩個晶體管才逐漸開通，使得該電源的輸出電壓不會突變，實現(xiàn)軟起動。正常工作時，R₅ 上的電壓約為0。這時主電路開關(guān)元件的導(dǎo)通時間(它決定正常工作時的輸出電壓值) 將由接入誤差放大器1 反相端的給定電壓U_g 和接入同相端的反饋電壓U_f 比較確定。 

        隔離、驅(qū)動電路
        VT₁ 、VT₂ 采用專用集成驅(qū)動模塊IR2110 來驅(qū)動，隔離驅(qū)動電路如圖5 所示： 

        圖5 　IR2110 驅(qū)動模塊及外部接線電路 

        過壓過流保護(hù) 

         為改變負(fù)載曲線，保護(hù)MOSFET的安全運行，防止過電壓和減小du/dt ，在MOSFET 的D1 - S1 間并入電阻、快速二極管和電容組成的過電壓吸收電路。過流信號從主電路檢出，從引腳16 送向誤差放大器2的同相端，引腳15 為比較基準(zhǔn)，當(dāng)出現(xiàn)過流時，引腳16 的電壓上升，則比較器2的輸出引腳3為高電平，封鎖脈寬信號。 

        結(jié)束語 

        該電源盡量采用在工業(yè)環(huán)境下具有高可靠性的常用集成電路及功率模塊，以易實現(xiàn)、易維修為出發(fā)點，以實用性為宗旨。經(jīng)過實驗驗證，本電路抗干擾能力強，輸出電壓穩(wěn)定，工作可靠，輸出電流可達(dá)15A ，較適合于做儀器和裝置的直流供電電源，有較好的推廣價值