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Litelfuste公司的兩種新型的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能優(yōu)于傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)二極管

非常適合用于高頻開(kāi)關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器之類(lèi)的應(yīng)用

功率器件
2016-03-15

功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)二極管電源電源新品 litelfuste
壓敏電阻器的選用

本文主要講述壓敏電阻器的選用方法，主要是壓敏電阻器參數(shù)選定方法和壓敏電阻器使用中應(yīng)注意的事項(xiàng)。1、壓敏電阻器參數(shù)選定方法(1)壓敏電壓V1ma的選定對(duì)于過(guò)壓保護(hù)方面的應(yīng)

功率器件
2016-03-14

電源技術(shù)解析
三極管原理最通俗的表達(dá)理解

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對(duì)您的學(xué)習(xí)有所幫助。對(duì)三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會(huì)無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不會(huì)產(chǎn)生能量。但三極管

功率器件
2016-03-14

電源技術(shù)解析控制
功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見(jiàn)的MOSFET電路設(shè)計(jì)類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器

功率器件
2016-03-11

驅(qū)動(dòng) MOSFET 電源技術(shù)解析正激電路
驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析

在IGBT的使用過(guò)程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路工作頻率相對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)頻率不足時(shí)，導(dǎo)致的IGBT失效問(wèn)題。只有對(duì)IGBT失效原因進(jìn)

功率器件
2016-03-11

igbt 電源技術(shù)解析驅(qū)動(dòng)電路 igbt失效
GaN功率放大發(fā)展?fàn)顟B(tài)評(píng)測(cè)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大貢獻(xiàn)。通過(guò)降低器件的寄生參數(shù)，以及采用更短的柵極長(zhǎng)度和更高的工作電壓，GaN晶體管已實(shí)現(xiàn)更高的輸

功率器件
2016-03-10

電源技術(shù)解析功率
電源電路中的電容的選型和應(yīng)用：鉭電容/鋁電解電容

大家都知道，電解電容是很多電子設(shè)備壽命的短板，電源電路里離不開(kāi)使用各種電容進(jìn)行濾波、儲(chǔ)能、旁路等，了解電解電容的失效模式，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合選擇參數(shù)合適的電解電容，是

功率器件
2016-03-10

電源技術(shù)解析
Vishay的新款鉭式電容器進(jìn)一步提高容積效率以幫助便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品縮小體積

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新系列vPolyTan™表面貼裝聚合物鉭式電容器---T58系列，該電容器具有更高的容積效率，可用于手持式

功率器件
2016-03-10

消費(fèi)類(lèi)電子鉭式電容器容積效率電源新品
MCU晶體旁邊電容的作用及振蕩電路的分析

絕大多數(shù)的MCU愛(ài)好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。參考很多書(shū)籍，講解的很少，往往提到最多的是起穩(wěn)定作用，負(fù)載電容之

功率器件
2016-03-09

電源技術(shù)解析
如何實(shí)現(xiàn)有效的MCU設(shè)計(jì)

微控制器被用作幾乎每個(gè)應(yīng)用可以想象在主控制元件。他們的權(quán)力和靈活性，讓他們?nèi)サ浇M件的大多數(shù)設(shè)計(jì)的心臟。關(guān)鍵要建立高效的設(shè)計(jì)中使用的MCU往往依賴(lài)于使功耗和性能之間的

功率器件
2016-03-09

電源技術(shù)解析控制
ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例

一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動(dòng)引起的摩擦起電是重要的靜電來(lái)源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過(guò)器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送

功率器件
2016-03-09

電源技術(shù)解析功率
從浪涌抗擾度的角度設(shè)計(jì)EMC前級(jí)電路

大家都知道，EMC描述的是產(chǎn)品兩個(gè)方面的性能，即電磁發(fā)射/干擾EME和電磁抗擾EMS。EME中又包含傳導(dǎo)干擾和輻射干擾;而EMS中又包含靜電抗擾、脈沖群抗擾、浪涌抗擾等。下面將從

功率器件
2016-03-08

二極管電源技術(shù)解析
教你設(shè)計(jì)不規(guī)則形狀的PCB

在設(shè)計(jì)PCB的時(shí)候，我們市場(chǎng)會(huì)需要處理很多不規(guī)則形狀的PCB，我們預(yù)想中的完整 PCB 通常都是規(guī)整的矩形形狀。雖然大多數(shù)設(shè)計(jì)確實(shí)是矩形的，但是很多設(shè)計(jì)都需要不規(guī)則形狀的電

功率器件
2016-03-08

電源技術(shù)解析
使用能量收集到電源接入控制

電源是用于安裝門(mén)禁系統(tǒng)，如電子鎖的主要挑戰(zhàn)。能夠從環(huán)境中可提供成本更低，更容易整合和嵌合的和潛在供電這樣的裝置，使整個(gè)系統(tǒng)更加安全通過(guò)消除切斷電源的脆弱性。本文

功率器件
2016-03-07

電源技術(shù)解析控制功率
方案解析：高效率、高靈活性的USB－PD充電參考設(shè)計(jì)

隨著USB Type-C商用進(jìn)程的加速，與之同步推進(jìn)的USB-PD功率傳輸協(xié)議的發(fā)展也步入了快車(chē)道。在智能設(shè)備的電池容量越來(lái)越大的今天，這一基于新的USB接口標(biāo)準(zhǔn)，能夠承載更高電流

功率器件
2016-03-07

電源技術(shù)解析控制功率

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Litelfuste公司的兩種新型的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能優(yōu)于傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)二極管

壓敏電阻器的選用

三極管原理最通俗的表達(dá)理解

功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析

GaN功率放大發(fā)展?fàn)顟B(tài)評(píng)測(cè)

電源電路中的電容的選型和應(yīng)用：鉭電容/鋁電解電容

Vishay的新款鉭式電容器進(jìn)一步提高容積效率以幫助便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品縮小體積

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