高壓IGBT可減少高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用中的總功率損耗和電路板面積21ic 飛兆半導(dǎo)體——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦
iW1679數(shù)字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A適配器和充電器中的FET21ic訊 Dialog Semiconductor plc 日前推出業(yè)內(nèi)首個可輕松、高效驅(qū)動低成本、10W功率雙極晶體管
家里本來有臺24V的純正弦UPS,但它空載電流1.16A,太大了,發(fā)揮DIY精神自做了一臺修正弦一頻逆變。本來用高頻方式,技術(shù)已經(jīng)很成熟了,但有一個最大的不足,就是啟動CRT彩電
根據(jù)直線電動機基本原理,以M30620單片機為核心,SKIIP09NAC25T10模塊為驅(qū)動,結(jié)合相關(guān)外圍電路,設(shè)計出直線電動機專用變頻器,該變頻器結(jié)構(gòu)緊湊性能穩(wěn)定,價格低廉,可廣泛
一、 電子電路的設(shè)計基本步驟:1、 明確設(shè)計任務(wù)要求:充分了解設(shè)計任務(wù)的具體要求如性能指標(biāo)、內(nèi)容及要求,明確設(shè)計任務(wù)。2、 方案選擇:根據(jù)掌握的知識和資料,針對設(shè)計提
以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用目前遵循IEEE標(biāo)準(zhǔn)802.3af,它即將在今年的第二季度被802.3at(PoE+)所替代,新的PoE+標(biāo)準(zhǔn)將可為用電設(shè)備(PD)提供大約2倍的功率。本文提出一個簡單的工作
飽和開關(guān)的問題點:OFF延時時間如圖1所示,使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動作時,加給晶體管的基極電流IB:是IB=IC/hFE,決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
功率MOSFET的驅(qū)動當(dāng)然色可使明射極跟隨器。最近,制作了很多使用功率MOSFET的高速開關(guān)電源。觀察開關(guān)電源用控制IC的數(shù)據(jù)表,就會發(fā)現(xiàn)作為功率MOS的常見驅(qū)動的設(shè)備。代表性的
MC33035的3個上側(cè)驅(qū)動輸出(1、2、24腳)是集電極開路的NPN型晶體管,其吸入電流能力為50mA,耐壓為40V,可用來驅(qū)動外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。
為了減小干擾,增加控制電路的可靠性,在系統(tǒng)設(shè)計時,將控制電路與功率驅(qū)動電路完全分開,功率部分與控制部分不共地而控制信號采用光電隔離,其中主要的控制信號為PWM信號。
引言現(xiàn)代電子技術(shù)的應(yīng)用迅速地發(fā)展,對電子儀器和設(shè)備要求性能上更加安全可靠,功能上,不斷地增加。在使用上自動化程度越來越高。在體積上,要日趨小型化。這使采用具有眾
隨著射頻無線通訊事業(yè)的發(fā)展,高性能低成本的射頻設(shè)計方案越來越受到人們的親睞。肖特基勢壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成,屬于一種多數(shù)載流子器件,高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的基礎(chǔ)上,提出的集成肖特基二極管設(shè)計方法,并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實現(xiàn)。
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列,兩款更大功率
談多年開關(guān)電源的設(shè)計心得,從開關(guān)電源印制板的設(shè)計、印制板布線、印制板銅皮走線、鋁基板和多層印制板在開關(guān)電源中的應(yīng)用,到反激電源的占空比,絕對的實踐精華!開關(guān)電源印
倍壓整流電路的實質(zhì)是電荷泵。在一些需用高電壓、小電流的地方,常常使用倍壓整流電路。倍壓整流,可以把較低的交流電壓,用耐壓較低的整流二極管和電容器,“整&rdqu