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飛兆半導(dǎo)體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)

高壓IGBT可減少高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用中的總功率損耗和電路板面積21ic 飛兆半導(dǎo)體——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦

功率器件
2013-09-22

飛兆半導(dǎo)體 EPC IGBT 短路
DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器降低智能手機(jī)電源BOM成本和待機(jī)功耗

iW1679數(shù)字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A適配器和充電器中的FET21ic訊 Dialog Semiconductor plc 日前推出業(yè)內(nèi)首個(gè)可輕松、高效驅(qū)動(dòng)低成本、10W功率雙極晶體管

功率器件
2013-09-22

智能手機(jī) 控制器機(jī)電 PWM
發(fā)揮DIY全橋修正弦波逆變器誕生記

家里本來有臺(tái)24V的純正弦UPS，但它空載電流1.16A，太大了，發(fā)揮DIY精神自做了一臺(tái)修正弦一頻逆變。本來用高頻方式，技術(shù)已經(jīng)很成熟了，但有一個(gè)最大的不足，就是啟動(dòng)CRT彩電

功率器件
2013-09-20

電阻正弦波逆變器 DIY BSP
小功率低成本直線電動(dòng)機(jī)專用變頻器設(shè)計(jì)

根據(jù)直線電動(dòng)機(jī)基本原理，以M30620單片機(jī)為核心，SKIIP09NAC25T10模塊為驅(qū)動(dòng)，結(jié)合相關(guān)外圍電路，設(shè)計(jì)出直線電動(dòng)機(jī)專用變頻器，該變頻器結(jié)構(gòu)緊湊性能穩(wěn)定，價(jià)格低廉，可廣泛

功率器件
2013-09-20

變頻器小功率通用變頻器直線電動(dòng)機(jī)
電子電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)

一、電子電路的設(shè)計(jì)基本步驟：1、明確設(shè)計(jì)任務(wù)要求：充分了解設(shè)計(jì)任務(wù)的具體要求如性能指標(biāo)、內(nèi)容及要求，明確設(shè)計(jì)任務(wù)。2、方案選擇：根據(jù)掌握的知識(shí)和資料，針對(duì)設(shè)計(jì)提

功率器件
2013-09-19

元器件基礎(chǔ)知識(shí) 接地電子電路設(shè)計(jì)
可提供13W到70W功率的PoE+電路設(shè)計(jì)指南

以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用目前遵循IEEE標(biāo)準(zhǔn)802.3af，它即將在今年的第二季度被802.3at(PoE+)所替代，新的PoE+標(biāo)準(zhǔn)將可為用電設(shè)備(PD)提供大約2倍的功率。本文提出一個(gè)簡單的工作

功率器件
2013-09-18

電路設(shè)計(jì) POE BSP MAX5941B
晶體管開關(guān)電路的加速電容器

飽和開關(guān)的問題點(diǎn)：OFF延時(shí)時(shí)間如圖1所示，使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動(dòng)作時(shí)，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V

功率器件
2013-09-17

晶體管電容器開關(guān)電路 BSP
射極跟隨器時(shí)的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)

功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)當(dāng)然色可使明射極跟隨器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速開關(guān)電源。觀察開關(guān)電源用控制IC的數(shù)據(jù)表，就會(huì)發(fā)現(xiàn)作為功率MOS的常見驅(qū)動(dòng)的設(shè)備。代表性的

功率器件
2013-09-17

開關(guān)電源射極跟隨器功率MOSFET BSP
MC33035的驅(qū)動(dòng)輸出電路

MC33035的3個(gè)上側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出(1、2、24腳)是集電極開路的NPN型晶體管，其吸入電流能力為50mA，耐壓為40V，可用來驅(qū)動(dòng)外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。

功率器件
2013-09-17

電流輸出電路逆變橋 MC33035
控制電路與功率驅(qū)動(dòng)電路的隔離

為了減小干擾，增加控制電路的可靠性，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，將控制電路與功率驅(qū)動(dòng)電路完全分開，功率部分與控制部分不共地而控制信號(hào)采用光電隔離，其中主要的控制信號(hào)為PWM信號(hào)。

功率器件
2013-09-17

信號(hào) 隔離控制電路功率驅(qū)動(dòng)電路
一款-48V轉(zhuǎn)5VSTBY電源電路的設(shè)計(jì)

引言現(xiàn)代電子技術(shù)的應(yīng)用迅速地發(fā)展，對(duì)電子儀器和設(shè)備要求性能上更加安全可靠，功能上，不斷地增加。在使用上自動(dòng)化程度越來越高。在體積上，要日趨小型化。這使采用具有眾

功率器件
2013-09-16

電源電路 MOS管 ST TOP
標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

隨著射頻無線通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設(shè)計(jì)方案越來越受到人們的親睞。肖特基勢壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數(shù)載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的基礎(chǔ)上，提出的集成肖特基二極管設(shè)計(jì)方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實(shí)現(xiàn)。

功率器件
2013-09-16

集成金屬肖特基二極管 CMOS工藝
美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用

VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率

功率器件
2013-09-16

器件 MOSFET 大功率高電壓
從印制板到反激電源/開關(guān)電源設(shè)計(jì)

談多年開關(guān)電源的設(shè)計(jì)心得，從開關(guān)電源印制板的設(shè)計(jì)、印制板布線、印制板銅皮走線、鋁基板和多層印制板在開關(guān)電源中的應(yīng)用，到反激電源的占空比，絕對(duì)的實(shí)踐精華!開關(guān)電源印

功率器件
2013-09-13

反射反激開關(guān)電源設(shè)計(jì) 印制板
介紹倍壓整流電路結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)

倍壓整流電路的實(shí)質(zhì)是電荷泵。在一些需用高電壓、小電流的地方，常常使用倍壓整流電路。倍壓整流，可以把較低的交流電壓，用耐壓較低的整流二極管和電容器，“整&rdqu

功率器件
2013-09-11

整流電路倍壓整流電路結(jié)構(gòu) BSP

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飛兆半導(dǎo)體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)

DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器降低智能手機(jī)電源BOM成本和待機(jī)功耗

發(fā)揮DIY全橋修正弦波逆變器誕生記

小功率低成本直線電動(dòng)機(jī)專用變頻器設(shè)計(jì)

電子電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)

可提供13W到70W功率的PoE+電路設(shè)計(jì)指南

晶體管開關(guān)電路的加速電容器

射極跟隨器時(shí)的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)

MC33035的驅(qū)動(dòng)輸出電路

控制電路與功率驅(qū)動(dòng)電路的隔離

一款-48V轉(zhuǎn)5VSTBY電源電路的設(shè)計(jì)

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用

從印制板到反激電源/開關(guān)電源設(shè)計(jì)

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