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  • 漲漲漲！蘋(píng)果將采用NOR Flash,Cypress發(fā)布漲價(jià)通知

    蘋(píng)果新手機(jī)iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)，已讓NOR芯片缺貨更為嚴(yán)重。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，今年NOR芯片供給缺口將擴(kuò)大至20%，主要供應(yīng)大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價(jià)通知，業(yè)者估計(jì)今年漲幅可能擴(kuò)大至逾60%。 存儲(chǔ)器渠道商透露，去年下半年以來(lái)，市場(chǎng)焦點(diǎn)一直以DRAM和存儲(chǔ)型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)缺貨為重心，兩大主流存儲(chǔ)器也從去年下半年迄今，價(jià)格上漲近六成。 但今年在蘋(píng)果iPhone 8將跟進(jìn)三星導(dǎo)入主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)面板，華為、OPPO及VIVO等大陸品牌手機(jī)也將跟進(jìn)，加上車(chē)用及物聯(lián)網(wǎng)也都大舉導(dǎo)入NOR芯片，讓NOR缺貨也浮出臺(tái)面，且如滾雪球般擴(kuò)大。 集邦咨詢(xún)光電研究中心(WitsView)分析，NOR Flash應(yīng)用在AMOLED面板上的功能，主要是記憶狀態(tài)跟補(bǔ)償AMOLED的電流、亮度，AMOLED面板中的藍(lán)色光會(huì)隨使用時(shí)間增加，逐步分解消退，要藉由NOR Flash來(lái)維持AMOLED的持續(xù)性。 Witsview預(yù)估，今年AMOLED面板在智能手機(jī)市占率將接近三成。其中蘋(píng)果iPhone系列手機(jī)就需要7,500萬(wàn)片，加速今年NOR Flash產(chǎn)品價(jià)格上漲。 據(jù)了解，臺(tái)灣電子代工大廠已接受旺宏首季調(diào)漲NOR Flash報(bào)價(jià)10%。 市場(chǎng)排名第二的賽普拉斯和第三的美光，日前也正式發(fā)出漲價(jià)通知，甚至要求首季的報(bào)價(jià)作廢，凸顯NOR Flash缺貨問(wèn)題愈來(lái)愈嚴(yán)重。 雖然賽普拉斯和美光未對(duì)第2季NOR芯片漲幅做任何說(shuō)明，但強(qiáng)調(diào)相關(guān)價(jià)格得在下月27日前重新議定。 存儲(chǔ)器渠道商透露，推估今年NOR芯片供給缺口在各大手機(jī)廠及車(chē)用電子等導(dǎo)入下，缺口將比預(yù)期還嚴(yán)重，恐達(dá)20%。 至于第2季NOR芯片價(jià)格，旺宏、華邦電將調(diào)漲逾20%;賽普拉斯因很多NOR芯片是自用作為嵌入式多芯片封裝(eMCP)存儲(chǔ)器，導(dǎo)入車(chē)用，外賣(mài)有限;美光則打算淡出，預(yù)料漲幅也是跟進(jìn)臺(tái)廠。

    半導(dǎo)體 Cypress nor 電子元器件 蘋(píng)果 flashi

  • 真正的“Grow Getter”？還是與業(yè)務(wù)增長(zhǎng)失之交臂

     如果企業(yè)管理者不注重實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，那么企業(yè)就不可能獲得增長(zhǎng)。隨著新興市場(chǎng)的擴(kuò)張，全球化成為常態(tài)，增長(zhǎng)的機(jī)會(huì)越來(lái)越有限，即便是細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域也可能呈現(xiàn)飽和狀態(tài)。經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定性以及專(zhuān)家和預(yù)測(cè)師們的觀點(diǎn)分歧讓許多市場(chǎng)變得前景不明朗，而日趨白熱化的競(jìng)爭(zhēng)和復(fù)雜化的經(jīng)營(yíng)則使得企業(yè)的境況雪上加霜。 如何讓企業(yè)獲得增長(zhǎng)?這個(gè)問(wèn)題并沒(méi)有正確或錯(cuò)誤的答案，因此我們的最新研究主要側(cè)重于影響企業(yè)增長(zhǎng)的各個(gè)變量。 利潤(rùn)的“圣杯” 利潤(rùn)通常被認(rèn)為是衡量企業(yè)增長(zhǎng)的基本標(biāo)準(zhǔn)，因此也成為企業(yè)目標(biāo)中的“圣杯”。增長(zhǎng)還有許多不同的衡量方式，例如發(fā)展軌跡、員工人數(shù)和產(chǎn)品范圍等，這些因素對(duì)企業(yè)的整體發(fā)展都有著切實(shí)的影響。這些要素通常需要先行增長(zhǎng)才能實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)增長(zhǎng)，因此企業(yè)必須制定相應(yīng)的策略來(lái)為增長(zhǎng)鋪平道路。 所有企業(yè)都有自己的增長(zhǎng)之路要走。截至目前，在全球范圍內(nèi)追蹤企業(yè)增長(zhǎng)以及相關(guān)衡量標(biāo)準(zhǔn)的研究還相當(dāng)有限。我們的最新研究試圖改變這個(gè)現(xiàn)狀，意在向世人揭示全球企業(yè)的增長(zhǎng)情況以及商業(yè)環(huán)境的演進(jìn)方向。 獲得增長(zhǎng)已成為全球趨勢(shì) 我們的研究從個(gè)體企業(yè)的發(fā)展道路中總結(jié)出了一些全球趨勢(shì)。研究表明，全球超過(guò)三分之一(36%)的企業(yè)在過(guò)去一年里沒(méi)有實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)增長(zhǎng)。我們不禁要問(wèn)，這些企業(yè)在他們的增長(zhǎng)之路上走到了哪一步?他們有沒(méi)有“獲得”增長(zhǎng)?他們的目標(biāo)是什么?利潤(rùn)對(duì)他們來(lái)說(shuō)是唾手可得還是遙不可及? 沒(méi)有實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)的病根可能出在戰(zhàn)略決策上。例如，企業(yè)的資金可能投向了別處，或者用于其他增長(zhǎng)方式，因而暫時(shí)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)增長(zhǎng)。 利潤(rùn)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的企業(yè)無(wú)一不是采取了一種“Grow Getter”(有計(jì)劃為企業(yè)的高增長(zhǎng)做好準(zhǔn)備，樂(lè)于大力投資科技、經(jīng)常尋找新機(jī)遇的人)的方法。當(dāng)機(jī)會(huì)來(lái)臨的時(shí)候他們總能牢牢把握， 例如來(lái)自印度和墨西哥等新興經(jīng)濟(jì)體的企業(yè)。“Grow Getter”企業(yè)通常會(huì)利用有前瞻性的技術(shù)投資來(lái)提高生產(chǎn)率，從而有能力進(jìn)軍新市場(chǎng)并靈活適應(yīng)變幻莫測(cè)的宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境。 采用這種“Grow Getter”方法的企業(yè)通常能夠?qū)崿F(xiàn)較高的利潤(rùn)增長(zhǎng)率和投資回報(bào)率。過(guò)去一年，印度企業(yè)中實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)增長(zhǎng)的比例高達(dá) 80%，而其他地區(qū)的企業(yè)則仍然處于規(guī)劃和準(zhǔn)備階段。他們也許在其他領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了增長(zhǎng)，但是利潤(rùn)增長(zhǎng)指標(biāo)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。 我們的最新研究得出了有趣而寶貴的成果，這些信息對(duì)于現(xiàn)代企業(yè)界的未來(lái)發(fā)展具有重要意義。有鑒于此，我們將繼續(xù)報(bào)道全球商業(yè)環(huán)境的變化。 你是“Grow Getter”嗎? 你的企業(yè)在“Grow Getter”的版圖上處于什么位置?你會(huì)看這篇文章就表明你具備成為“Grow Getter”的潛質(zhì)，但是你為企業(yè)制定了怎樣的增長(zhǎng)策略?面對(duì)躊躇滿(mǎn)志、急于實(shí)施最新技術(shù)和系統(tǒng)的全球企業(yè)，你是否做好了和他們競(jìng)爭(zhēng)的準(zhǔn)備? 如果覺(jué)得自己還沒(méi)有準(zhǔn)備好，不妨仔細(xì)研究一下如何利用最新企業(yè)技術(shù)來(lái)提高你的生產(chǎn)率。我們很樂(lè)意幫助你在“創(chuàng)造”增長(zhǎng)的道路上加快腳步。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) epicor

  • 美高森美航天太空產(chǎn)品支持Iridium NEXT衛(wèi)星項(xiàng)目

     致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司祝賀Iridium Communications Inc.、Thales Alenia Space、SpaceX及其項(xiàng)目分包商成功發(fā)射首批10顆Iridium NEXT衛(wèi)星。Iridium NEXT是Iridium新一代衛(wèi)星群，代替及增強(qiáng)其覆蓋全球的現(xiàn)有近地軌道衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)。該項(xiàng)目采用了美高森美20多萬(wàn)個(gè)非常適合衛(wèi)星通信應(yīng)用的器件。 Iridium NEXT作為太空中最大的商業(yè)衛(wèi)星群，采用包括RTSX32SU、RTAX1000S和RT3PE3000L 在內(nèi)的2000多件抗輻射的美高森美可編程邏輯器件(FPGA)，及公司許多JANS和JANTXV二極管，比如流行的1N6638、1N5806 和1N6640無(wú)隙密封型二極管。這些美高森美器件部署用于Iridium NEXT衛(wèi)星所搭載的各種衛(wèi)星總線和有效載荷應(yīng)用，而美高森美商業(yè)FPGA則用于SpaceX的運(yùn)載火箭。 美高森美航空航天營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Ken O’Neill稱(chēng)：“我們熱烈祝賀Iridium NEXT團(tuán)隊(duì)成功發(fā)射首批10顆衛(wèi)星，該項(xiàng)目利用我們60年豐富的太空傳承和廣泛的太空產(chǎn)品，我們感到非常自豪。美高森美可靠性高的創(chuàng)新FPGA、電源分立、系統(tǒng)和電源模塊在這些新一代商業(yè)通信衛(wèi)星中起著十分重要的作用，對(duì)此，我們感到很榮幸。我們將繼續(xù)實(shí)現(xiàn)對(duì)航空和國(guó)防市場(chǎng)的承諾，為客戶(hù)提供可信賴(lài)的產(chǎn)品，幫助他們?cè)谧羁量汰h(huán)境完成任務(wù)。” 美高森美的分立產(chǎn)品包括8000多種認(rèn)證產(chǎn)品清單(QPL)/認(rèn)證制造商清單(QML)器件，占美國(guó)國(guó)防后勤局(DLA)QPL/QML清單全部認(rèn)證產(chǎn)品的60%。據(jù)Databeans, Inc.標(biāo)題為“2016軍事和航空電子半導(dǎo)體”的研究報(bào)告稱(chēng)，美高森美是國(guó)防和航空半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先供應(yīng)商，約占20%市場(chǎng)份額。 美高森美的航空級(jí)產(chǎn)品包括二極管、整流器、齊納二極管、瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)和MOSFET。此外，其FPGA可提供幾種不同的密度和性能水平選擇，使客戶(hù)能夠靈活選擇適合應(yīng)用的最佳尺寸。這些范圍廣泛的器件反映了公司重視向市場(chǎng)提供差異化解決方案，其中商業(yè)衛(wèi)星通信是其持續(xù)承諾的一部分。除分立產(chǎn)品、電源DC至DC、混合、FPGA組合外，公司的振蕩器、電機(jī)控制和遙測(cè)器件也理想用于特定的衛(wèi)星應(yīng)用。 美高森美領(lǐng)先太空創(chuàng)新超過(guò)六十年 美高森美擁有業(yè)界最全面的太空產(chǎn)品產(chǎn)品組合之一，提供耐輻射FPGA、抗輻射混合信號(hào)IC、抗輻射DC-DC轉(zhuǎn)換器、精密定時(shí)和頻率解決方案、線性和POL混合電路、定制混合解決方案以及抗輻射分立器件，包括最廣泛的JANS Class二極管和雙極產(chǎn)品組合。美高森美致力于在客戶(hù)項(xiàng)目的整個(gè)產(chǎn)品生命周期中支持產(chǎn)品。公司繼續(xù)進(jìn)行創(chuàng)新并擴(kuò)展產(chǎn)品組合，最近增添新型LX7730耐輻射遙測(cè)控制器IC，提供用于傳感器監(jiān)控、姿態(tài)和有效載荷控制的重點(diǎn)功能，以及RTG4™高速信號(hào)處理耐輻射FPGA系列。RTG4的可重編程快閃技術(shù)在最嚴(yán)苛的輻射環(huán)境中提供了全面的輻射引發(fā)配置翻轉(zhuǎn)免疫能力，與SRAM FPGA技術(shù)不同，無(wú)需配置清洗。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體技術(shù) next衛(wèi)星

  • 半導(dǎo)體行業(yè)想自主，還得靠中國(guó)自己！

     為什么說(shuō)“核心技術(shù)受制于人是我們最大的隱患”?中國(guó)工程院院士倪光南在近召開(kāi)的2017中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)上表示，我國(guó)網(wǎng)信領(lǐng)域已經(jīng)用幾十年的發(fā)展實(shí)踐證明，真正的核心技術(shù)是買(mǎi)不來(lái)的，是市場(chǎng)換不到的。“中國(guó)發(fā)展到了現(xiàn)在這個(gè)階段，連比較重要的技術(shù)人家都不會(huì)給你，更不要說(shuō)核心技術(shù)了。”倪光南說(shuō)，“因?yàn)檫@類(lèi)技術(shù)關(guān)系到一個(gè)國(guó)家的核心競(jìng)爭(zhēng)力，被所擁有的國(guó)家奉作‘定海神針’、‘國(guó)之重器’，不能隨意開(kāi)放、隨意買(mǎi)賣(mài)，所以最關(guān)鍵最核心的技術(shù)必須靠自己研發(fā)、自己發(fā)展。”     真正的核心技術(shù)是買(mǎi)不來(lái)的 有觀點(diǎn)認(rèn)為，那些世界市場(chǎng)上通用的軟硬件不可能存在后門(mén)。倪光南用維基解密網(wǎng)站日前發(fā)布的相關(guān)文件否定了這一觀點(diǎn)。 該網(wǎng)站披露了據(jù)稱(chēng)是美國(guó)中央情報(bào)局(CIA)黑客項(xiàng)目的大量文件，其中詳細(xì)列明了當(dāng)局如何利用黑客科技侵入智能手機(jī)、智能電視、手機(jī)應(yīng)用等等。文件顯示了CIA如何利用硬件和軟件系統(tǒng)的漏洞，包括美國(guó)公司的系統(tǒng)漏洞來(lái)進(jìn)行入侵行動(dòng)，卻并未通知這些公司其系統(tǒng)存在問(wèn)題。 倪光南表示，對(duì)于這類(lèi)復(fù)雜的軟硬件，設(shè)計(jì)者僅僅為了測(cè)試或維護(hù)，就要設(shè)置許多不公開(kāi)說(shuō)明的功能，如有需要，其中的一些就可以用作入侵的“后門(mén)”?？傊切┦澜缡袌?chǎng)上通用的軟硬件是存在后門(mén)的。 倪光南還援引“中興被罰”事件強(qiáng)調(diào)我國(guó)應(yīng)自主研發(fā)核心技術(shù)的必要性。近日，中興通訊因“違反美國(guó)的出口禁令”而被美國(guó)司法部等課以8.9億美元巨額罰款。而由于目前中興在芯片等核心技術(shù)上還依賴(lài)于美國(guó)方面，眼下只能咽下這一苦果。 在倪光南看來(lái)，近年來(lái)中國(guó)在掌握包括CPU、操作系統(tǒng)等在內(nèi)的網(wǎng)信核心技術(shù)方面有了很大進(jìn)展，但總體說(shuō)來(lái)核心技術(shù)仍受制于人，還未構(gòu)成自己的技術(shù)體系和生態(tài)系統(tǒng)，尤其是存在著某些短板(如芯片制造等)，這在“中興被罰” 事件中暴露無(wú)遺。 目前，由于中國(guó)與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距已經(jīng)不是很大，而且追趕很快，一些外國(guó)跨國(guó)公司就開(kāi)始調(diào)整策略，從對(duì)中國(guó)實(shí)施封鎖禁運(yùn)轉(zhuǎn)變?yōu)橥菩?ldquo;技術(shù)合作”。但是眾多事實(shí)表明，這種“技術(shù)合作”往往是徒有其名，實(shí)際上只是為了給外國(guó)產(chǎn)品穿上“中國(guó)國(guó)產(chǎn)”的馬甲以打入中國(guó)市場(chǎng)，并以此誘使中國(guó)放棄繼續(xù)追趕的努力。 倪光南強(qiáng)調(diào)，希望“中興被罰”能夠促使人們認(rèn)清“真正的核心技術(shù)是買(mǎi)不來(lái)的，是市場(chǎng)換不到的”這一歷史教訓(xùn)，在發(fā)展核心技術(shù)上堅(jiān)持走自己研發(fā)、自己發(fā)展的道路，不要因受到誘惑而轉(zhuǎn)向，導(dǎo)致功虧一簣。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 芯片

  • 聯(lián)芯獲聯(lián)電28nm技術(shù)授權(quán)，內(nèi)地芯片又將遭受創(chuàng)擊

     晶圓代工廠聯(lián)電獲準(zhǔn)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國(guó)子公司聯(lián)芯集成電路制造(廈門(mén))，聯(lián)芯28 納米預(yù)計(jì)第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，將搶攻中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng)。 聯(lián)芯甫于去年底投產(chǎn)，目前以40 納米制程技術(shù)為主，月產(chǎn)能約1.1 萬(wàn)片規(guī)模。 聯(lián)電近日公告，獲準(zhǔn)技術(shù)授權(quán)28 納米技術(shù)予中國(guó)子公司聯(lián)芯，技術(shù)授權(quán)金額2 億美元。聯(lián)電表示，聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入28 納米制程，預(yù)計(jì)第二季可進(jìn)入量產(chǎn)，將搶攻中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng);聯(lián)芯預(yù)計(jì)至今年底月產(chǎn)能將擴(kuò)增至1.6 萬(wàn)片規(guī)模。 至于2 億美元技術(shù)授權(quán)金，聯(lián)電指出，將依進(jìn)度認(rèn)列，只因與聯(lián)芯為母子公司關(guān)系，對(duì)損益無(wú)影響，僅有現(xiàn)金收入。 N-1規(guī)則，14nm量產(chǎn)后的推進(jìn) 根據(jù)臺(tái)灣規(guī)定，投資大陸的技術(shù)要比臺(tái)灣的落后一代，也就是所謂的“N-1”規(guī)則，聯(lián)電這次進(jìn)入大陸，是因?yàn)槠?4nm正式投入量產(chǎn)。 23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶(hù)開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。 聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶(hù)，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)，同時(shí)與其他客戶(hù)的合作也在順利進(jìn)行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢(shì)，以驅(qū)動(dòng)次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類(lèi)消費(fèi)產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。 聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)，速度較28nm增快55%，閘密度則達(dá)兩倍，此外，功耗亦較28納米減少約50%。 此14nm客戶(hù)芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺(tái)南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來(lái)將因應(yīng)客戶(hù)需求，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。 聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門(mén)聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn)，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī)。 顏博文強(qiáng)調(diào)，14納米FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，速度比28 nm增快55%，閘密度達(dá)兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。 28nm進(jìn)攻大陸，中芯國(guó)際受沖擊? 聯(lián)芯集成電路是聯(lián)電和廈門(mén)政府合作的12寸晶圓廠，計(jì)劃開(kāi)始于2015年，而到2016年6月，該工廠已經(jīng)交付投產(chǎn)，并在7月底投入試產(chǎn)，良率也高達(dá)98%。在產(chǎn)能布建上，2016第4季月產(chǎn)能約達(dá)3千片，從2017年開(kāi)始，逐季擴(kuò)充產(chǎn)能，2018年第二季平均月產(chǎn)能就可達(dá)到2.5萬(wàn)片規(guī)模。 業(yè)界人士認(rèn)為，聯(lián)芯55/40納米制程可用來(lái)生產(chǎn)嵌入式芯片、CMOS影像感測(cè)器、通訊芯片等，高通將成為聯(lián)芯主要客戶(hù)之一。 目前，聯(lián)電28納米制程采用嶄新的應(yīng)力技術(shù)(SMT， t-CESL， c-CESL) 與嵌入式SiGe，以強(qiáng)化電子遷移率的表現(xiàn)，專(zhuān)為需要高效能與低功耗之應(yīng)用產(chǎn)品所開(kāi)發(fā)。目前已采用28HLP SiON 與28HPM/HPC HK/MG 制程量產(chǎn)多家客戶(hù)產(chǎn)品。聯(lián)電現(xiàn)正積極擴(kuò)增28納米產(chǎn)能，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)此廣受歡迎制程的高度需求。 28HLP-采用強(qiáng)化的SiON技術(shù) 聯(lián)電高效能低功耗(HLP) 制程為40納米平順的制程移轉(zhuǎn)途徑，具備了便于設(shè)計(jì)采用，加速上市時(shí)程，以及優(yōu)異的效能/成本比。針對(duì)有高速要求的客戶(hù)應(yīng)用產(chǎn)品，此制程提供了大幅提升的效能與功耗，速度可較業(yè)界其他晶圓專(zhuān)工廠提供的28nm SiON制程提升10%。 28HPM/HPC -采用高介電系數(shù)/金屬閘極堆疊技術(shù) 聯(lián)電28HPM/HPC 技術(shù)廣泛支援各種元件選項(xiàng)，以提升彈性及符合效能需求，同時(shí)針對(duì)多樣的產(chǎn)品系列，例如應(yīng)用產(chǎn)品處理器、手機(jī)基頻、WLAN、平板電腦、FPGA 及網(wǎng)通IC等。具備高介電系數(shù)/金屬閘極堆疊及豐富的元件電壓選項(xiàng)、記憶體位元組及降頻/超頻功能，有助于系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司推出效能及電池壽命屢創(chuàng)新高的產(chǎn)品。 在聯(lián)芯進(jìn)入28nm之后，因?yàn)槁?lián)電的良率明顯比中芯國(guó)際的穩(wěn)定，而這個(gè)制程更是中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片的必備制程，他們進(jìn)入大陸，勢(shì)必會(huì)給中芯國(guó)際造成沖擊。對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，需要應(yīng)對(duì)的問(wèn)題又多了一個(gè)。

    半導(dǎo)體 聯(lián)芯 聯(lián)電 28nm技術(shù)

  • 一張圖帶你了解驍龍835：最牛SoC不是吹的

     幾乎每一代高通驍龍?zhí)幚砥鞫荚诎雽?dǎo)體工藝上有所進(jìn)步。從去年14納米工藝的高通驍龍820到今天10納米工藝的高通驍龍835，高通用實(shí)力演繹了什么叫每一步都有驚喜! 近日，繼高通835芯片在世界移動(dòng)大會(huì)上首次亮相之后，在北京迎來(lái)了其亞洲首秀 作為業(yè)界第一款商用10納米FinFET制程的移動(dòng)平臺(tái)，驍龍835擁有更為強(qiáng)大的性能與能效、快如光纖的千兆級(jí)LTE、沉浸式體驗(yàn)等諸多先進(jìn)特性。 搭載驍龍835平臺(tái)的終端將于今年上半年面市，全球范圍內(nèi)第一批驍龍835手機(jī)應(yīng)該是月底發(fā)布的Galaxy S8家族，而國(guó)內(nèi)首發(fā)該SoC的廠商應(yīng)該是小米，官方已經(jīng)確認(rèn)小米6會(huì)基于該平臺(tái)研發(fā)。 下面，一起來(lái)看看太平洋電腦網(wǎng)制作的圖片吧，了解一下驍龍835到底有哪些過(guò)人之處。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 驍龍835

  • 高通驍龍835芯片引領(lǐng)移動(dòng)芯片市場(chǎng)，未來(lái)不是高通自己的戲。

     幾乎占據(jù)安卓手機(jī)主導(dǎo)地位的美國(guó)高通公司，每一次發(fā)布旗艦處理器都成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。日前，高通旗艦級(jí)芯片驍龍835在中國(guó)亮相，10納米的制造工藝讓這家美國(guó)公司繼續(xù)稱(chēng)霸移動(dòng)芯片市場(chǎng)。 今年年初，高通驍龍835在CES展上首次亮相。與上幾代驍龍820、821相比，835的10nm工藝相比14nm使得芯片速度快27%，效率提升40%，而芯片面積也變得更小。 目前，驍龍835已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行生產(chǎn)，不過(guò)它要等到今年上半年才能正式出貨。據(jù)悉，下周將發(fā)布的三星S8將鎖定驍龍835的首發(fā)，還有外界猜測(cè)，4月將要發(fā)布的小米6也將搭載驍龍835。 在業(yè)界看來(lái)，芯片廠商之所以如此積極采用10納米工藝，有著技術(shù)上的迫切需求。因?yàn)橄冗M(jìn)的工藝是降低產(chǎn)品功耗、縮小尺寸的重要手段。這可以讓高端芯片更輕薄省電，將有助于提升手機(jī)廠商的產(chǎn)品均價(jià)與競(jìng)爭(zhēng)力。 例如大屏、超薄、超高像素、大內(nèi)存、大電池容量再到去年的雙攝，這幾年已逐漸成為用戶(hù)和手機(jī)廠商最關(guān)注的功能，而這些功能之所以能實(shí)現(xiàn)離不開(kāi)有著先進(jìn)工藝制程的芯片。 據(jù)了解，今年估計(jì)會(huì)有5顆10nm芯片先后問(wèn)世，除了高通的835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、海思的Kirin 970、還有蘋(píng)果用于iPad的A10X以及三星的Exynos 8895。 相比之下，高通835優(yōu)勢(shì)在于更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，以至于高通此番對(duì)外宣傳時(shí)把835稱(chēng)作一個(gè)移動(dòng)平臺(tái)而非芯片。除了智能手機(jī)和平板電腦，該公司表示，該芯片也是專(zhuān)門(mén)為VR構(gòu)建而成。 據(jù)高通介紹，驍龍835的設(shè)計(jì)在熱限與功率效率可滿(mǎn)足AR/VR的需求，同時(shí)支持了Google mobile VR平臺(tái)Daydream，以及在聲音與視覺(jué)品質(zhì)的提升。這對(duì)手機(jī)廠商而言，一顆芯片便解決了手機(jī)和VR兩套產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提升效率同時(shí)也大幅減少成本。 除此之外，驍龍835還將用于低處理能力的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、云計(jì)算和機(jī)器學(xué)習(xí)。最近數(shù)年，高通越來(lái)越專(zhuān)注于在一個(gè)芯片中提供完整的系統(tǒng)解決方案，例如驍龍系列芯片中就直接集成有ISP、DSP和傳感器技術(shù)。 不管什么場(chǎng)景，如何集成，可以確定的是，移動(dòng)芯片在2017年真正進(jìn)入了10納米時(shí)代。 華為小米攪局芯片戰(zhàn)爭(zhēng) 在手機(jī)芯片領(lǐng)域，高通盤(pán)踞霸主之位已多年，背后離不開(kāi)其持續(xù)的投入和創(chuàng)新，但隨著智能手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈和上游原材料緊缺的局面，芯片市場(chǎng)陸續(xù)涌入了不少玩家，對(duì)高通的影響自然是與日俱增。 老對(duì)手聯(lián)發(fā)科從來(lái)沒(méi)有放棄蠶食高通的市場(chǎng)份額。2016年，聯(lián)發(fā)科就靠著Helio P10、X20、X25在千元機(jī)里表現(xiàn)相當(dāng)不錯(cuò)，像魅藍(lán)系列、MX6 、Pro 6、360N4等等。聯(lián)發(fā)科也一直希望打入高通的高端市場(chǎng)。 據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科今年推出的Helio X30芯片也引入臺(tái)積電的10nm工藝。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)在下半年規(guī)模上市，雖然比高通的835晚些，但聯(lián)發(fā)科的成本優(yōu)勢(shì)依然是眾多國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌看重的地方。 聯(lián)發(fā)科稱(chēng)，Helio X30已經(jīng)投入量產(chǎn)，相關(guān)設(shè)備將在今年第二季度面世，甚至聯(lián)發(fā)科還與臺(tái)積電商談7nm的工藝，雖然有些激進(jìn)，但也說(shuō)明與高通的競(jìng)爭(zhēng)程度在不斷加劇。尤其是在OPPO、vivo兩家去年的高速增長(zhǎng)下(兩家產(chǎn)品都有用聯(lián)發(fā)科和高通的芯片)，聯(lián)發(fā)科必然會(huì)與高通搶奪更多訂單。 此外，從低端市場(chǎng)成長(zhǎng)起來(lái)的紫光集團(tuán)旗下的展訊通信，在去年(展訊+銳迪科)拿到了全球手機(jī)基帶27%的市場(chǎng)份額，與聯(lián)發(fā)科只有1個(gè)百分點(diǎn)的差距。 去年，展訊推出的14納米八核Intel X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺(tái)SC9861G-IA，其瞄準(zhǔn)的其實(shí)是高通和聯(lián)發(fā)科都很重視的中端市場(chǎng)。這家背后英特爾投資并聯(lián)合研發(fā)該芯片的公司對(duì)高通也形成了一定威脅。用展訊通信董事長(zhǎng)兼CEO李力游的話來(lái)講，去年已經(jīng)做到6億顆芯片的展訊，必須往高處走了。 另一方面，影響高通位置的恐怕還要有手機(jī)廠商，從目前不斷涌入該市場(chǎng)的玩家也可窺見(jiàn)一斑。 目前，蘋(píng)果、三星、華為以及剛?cè)刖值男∶锥纪瞥鲎匝行酒?。在高通主要的安卓陣地上，三星和華為在芯片上的布局已讓高通損失了不少訂單。 從騰訊科技了解的情況來(lái)看，三星的Exynos和華為的海思麒麟在自家高端產(chǎn)品中使用頻率和規(guī)模在不斷加大。尤其是同樣基于三星10nm工藝的Exynos 8895版S8的性能超出驍龍835版本。從跑分結(jié)果來(lái)看，Exynos 8895版其單核心成績(jī)1978分，多核心6375分。相比之下，搭載高通驍龍835處理器的三星S8 Plus單核成績(jī)?yōu)?929分，多核成績(jī)?yōu)?048分。 要知道，三星在制造工藝、芯片技術(shù)等方面擁有先進(jìn)和完整的流程，對(duì)于自家產(chǎn)品完全可以提供更好的技術(shù)支持。如行業(yè)流傳的一句話：“同樣用的是三星屏，可三星手機(jī)顯示效果就是比其他手機(jī)品牌好，且供貨優(yōu)先三星自己。”芯片制程工藝又未嘗不是。 自從有了海思麒麟，高通便再無(wú)緣華為的高端手機(jī)，這個(gè)打擊高通現(xiàn)在或許已經(jīng)習(xí)慣。海思麒麟處理器主要被用在華為的旗艦系列Mate系列和P系列中，雖然高通的芯片華為也在用，但基本在中端機(jī)上，聯(lián)發(fā)科的芯片使用在了以暢享系列為代表的入門(mén)機(jī)上。 從華為終端的戰(zhàn)略部署來(lái)看，海思麒麟用在高端產(chǎn)品目的是為了保證利潤(rùn)，而隨著華為對(duì)利潤(rùn)的更高追求，其必然會(huì)加大對(duì)自主芯片的使用，這對(duì)高通的影響不言而喻，但前提是華為需要加強(qiáng)海思麒麟的量產(chǎn)能力。 今年3月，繼蘋(píng)果、三星、華為之后，小米也加入了自研芯片的行列，推出澎湃S1芯片。從28nm工藝和整體特性來(lái)看，這是一款針對(duì)入門(mén)級(jí)智能手機(jī)的芯片，對(duì)于高通、聯(lián)發(fā)科而言，中低端芯片市場(chǎng)又多了一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，小米的芯片部署應(yīng)該會(huì)像學(xué)習(xí)三星、華為，因?yàn)殡S著芯片的不斷迭代，小米必然會(huì)將澎湃使用在自身的高端產(chǎn)品上，用以提升利潤(rùn)。 央視曾經(jīng)透漏，中國(guó)每年進(jìn)口的芯片所花費(fèi)的價(jià)值都已經(jīng)超過(guò)了原油，中國(guó)在芯片核心技術(shù)的突破已經(jīng)迫在眉睫。然而核心技術(shù)的突破并不是一蹴而就的，在芯片行業(yè)有個(gè)著名的理論叫做“十億起步，十年結(jié)果”，意思就是做芯片初期就需要10個(gè)億的投入才能開(kāi)工，而要做到有穩(wěn)定的成就，需要長(zhǎng)達(dá)十年的不懈努力和投入。 現(xiàn)在有三星、華為、小米，未來(lái)也必然會(huì)有更多手機(jī)廠商加入。來(lái)自Strategy Analytics數(shù)據(jù)顯示，高通2014年市占率為52%，2015年驟降至42%;2016年全年數(shù)據(jù)尚未出爐，但上半年高通份額續(xù)降至 39%。 與此對(duì)應(yīng)的高通業(yè)績(jī)也是一路下滑。從2015年開(kāi)始，高通公司營(yíng)業(yè)收入出現(xiàn)罕見(jiàn)的負(fù)增長(zhǎng)-5%。其中芯片銷(xiāo)售收入下滑較大，達(dá)到-8%。2016財(cái)年的第一、二、三季度數(shù)據(jù)顯示，高通的營(yíng)業(yè)收入分別下滑-19%，-19%和-12%，其中芯片銷(xiāo)售收入分別下滑-22%、-23%和-16%。 現(xiàn)在，智能手機(jī)霸主基本上三年一換，高通又豈能穩(wěn)如磐石呢?

    半導(dǎo)體 驍龍835 芯片自主開(kāi)發(fā)

  • 美國(guó)空軍選用PTC服務(wù)備件管理解決方案優(yōu)化其供應(yīng)鏈

     近日，PTC宣布美國(guó)空軍已選用PTC服務(wù)備件管理(SPM)SaaS解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)綜合性供應(yīng)鏈規(guī)劃，并增強(qiáng)全球各地空軍維護(hù)中心(AFSC)的武器系統(tǒng)支持。PTC SPM SaaS是Servigistics®服務(wù)生命周期管理解決方案系列的一部分。 美國(guó)空軍以管理著全球最復(fù)雜的供應(yīng)鏈之一而備受尊崇，目前擁有5,000多架飛機(jī)、650,000多個(gè)項(xiàng)目，在整個(gè)全球支持著1,500個(gè)地點(diǎn)的武器系統(tǒng)。PTC服務(wù)備件管理以SaaS模式提供，能讓美國(guó)空軍更為高效地管理供應(yīng)鏈，并改善庫(kù)存績(jī)效。 有了PTC服務(wù)備件管理SaaS解決方案，美國(guó)空軍就能更精確地進(jìn)行需求預(yù)測(cè)、減少規(guī)劃工作量、實(shí)施具有保障能力的綜合供應(yīng)規(guī)劃、獲得幾近實(shí)時(shí)的供應(yīng)鏈度量指標(biāo)、改善物流成本估算，并優(yōu)化各個(gè)地點(diǎn)的飛機(jī)可用性。憑借PTC云解決方案，美國(guó)空軍能夠在安全可靠、符合國(guó)防部要求的環(huán)境下開(kāi)展協(xié)作和共享信息?？蓴U(kuò)展服務(wù)備件管理SaaS解決方案是結(jié)合航空航天和國(guó)防工業(yè)多年來(lái)積累的經(jīng)驗(yàn)打造而成，在以下方面提供了敏捷的綜合性規(guī)劃流程，能幫助美國(guó)空軍為作戰(zhàn)人員提供更好的支持： · 需求規(guī)劃，用于生成獨(dú)立(計(jì)劃外)和非獨(dú)立(計(jì)劃內(nèi))預(yù)測(cè)，包括預(yù)測(cè)算法的行家選擇，以及飛行時(shí)數(shù)等起因的應(yīng)用。 · 庫(kù)存優(yōu)化，旨在實(shí)現(xiàn)指定武器系統(tǒng)的可用性，同時(shí)盡可能減少庫(kù)存投資、遵守財(cái)政約束，并結(jié)合基于戰(zhàn)備完好性的備件配置(RBS)原則、飛機(jī)正常運(yùn)行時(shí)間、供應(yīng)比率優(yōu)化以及其他業(yè)務(wù)規(guī)則。 · 供應(yīng)規(guī)劃，旨在制定供應(yīng)和分配計(jì)劃，從而將維修、采購(gòu)、(再)分配訂單與當(dāng)前或未來(lái)需求相掛鉤。分配規(guī)劃可協(xié)調(diào)各項(xiàng)資產(chǎn)，以支持武器系統(tǒng)可用性，并主動(dòng)管理維護(hù)/運(yùn)行地點(diǎn)的材料缺口。 · 異常管理，具備強(qiáng)大的錯(cuò)誤報(bào)告和事件管理能力，用于向用戶(hù)通報(bào)相關(guān)信息，并提出自主建議，以針對(duì)需求規(guī)劃、庫(kù)存優(yōu)化和對(duì)分散的規(guī)劃人員工作隊(duì)列內(nèi)的異常情況進(jìn)行協(xié)調(diào)。 · 性能管理，具備分析、數(shù)據(jù)分層、指標(biāo)、報(bào)告和儀表板功能，用于支持根本原因和假設(shè)分析。 PTC總裁兼首席執(zhí)行官Jim Heppelmann表示：“美國(guó)空軍擁有全球最大、最復(fù)雜的供應(yīng)鏈之一。我們很榮幸能以PTC技術(shù)支持美國(guó)空軍實(shí)現(xiàn)物流基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化。” PTC服務(wù)備件管理還被美國(guó)海軍、美國(guó)海岸警衛(wèi)隊(duì)、洛克希德馬丁和波音等領(lǐng)先的航空航天及國(guó)防機(jī)構(gòu)所采用。借助PTC服務(wù)備件管理，美國(guó)海岸警衛(wèi)隊(duì)的飛機(jī)可用性提升了6%，不能執(zhí)行任務(wù)的補(bǔ)給減少了4%，準(zhǔn)時(shí)交付率提高了40%，服務(wù)水平達(dá)到91%，同時(shí)還降低了運(yùn)行成本。美國(guó)海軍還利用PTC服務(wù)備件管理連年實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)約。

    半導(dǎo)體 ptc服務(wù) 武器系統(tǒng)

  • 驍龍835芯片亮相北京發(fā)布會(huì)

     近日，高通公司在北京舉行驍龍835芯片亞洲首秀發(fā)布會(huì)，這是835芯片繼2月份在世界移動(dòng)大會(huì)首次亮相后，在亞洲的首次亮相。 驍龍835首次采用了10納米制造技術(shù)，不斷提升的芯片制造工藝，可以降低手機(jī)功耗，同時(shí)更小的尺寸、更小的封裝，還可以給智能設(shè)備的設(shè)計(jì)師更好的設(shè)計(jì)靈活度，設(shè)計(jì)更輕薄的手機(jī)。 10納米不到頭發(fā)絲直徑的千分之一，對(duì)于最新的835芯片，在不到硬幣大小的芯片內(nèi)，集成了超過(guò)30億個(gè)晶體管。高通上一代芯片產(chǎn)品820、821采用了14納米制造工藝，810芯片采用了20納米工藝，2014年2月發(fā)布的801芯片采用了28納米制造技術(shù)。 驍龍835芯片中，DSP運(yùn)算模塊在整個(gè)平臺(tái)中所占比重增加，顯示下一代旗艦智能手機(jī)將可能在設(shè)備端獲得更好支持深度學(xué)習(xí)和人工智能的能力。“大家知道，DSP適用于多維數(shù)據(jù)矩陣預(yù)算，適用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算、深度學(xué)習(xí)。”高通產(chǎn)品市場(chǎng)高級(jí)總監(jiān)張?jiān)平榻B說(shuō)。 就在一天前，ARM公司發(fā)布的下一代技術(shù)中，也將芯片端對(duì)人工智能、深度學(xué)習(xí)的支持作為一大特點(diǎn)。目前談?wù)撊斯ぶ悄埽藗兏嗾務(wù)摰氖窃贫说闹悄?，而芯片商從設(shè)備端對(duì)人工智能的發(fā)力，將有望在越來(lái)越強(qiáng)大的云體系之中，避免智能終端功能角色的弱化。 此外，驍龍835芯片宣布支持千兆LTE網(wǎng)絡(luò)，也顯示了芯片商對(duì)LTE(4G)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步優(yōu)化的態(tài)度。業(yè)界預(yù)計(jì)，2019年5G將規(guī)模商用，屆時(shí)5G網(wǎng)絡(luò)將實(shí)現(xiàn)10Gb/s以上的峰值下載速率，是目前的數(shù)十倍以上，目前LTE的持續(xù)演進(jìn)，預(yù)計(jì)在2018年實(shí)現(xiàn)千兆下載速率，而能否體現(xiàn)千兆LTE網(wǎng)絡(luò)的價(jià)值，需要芯片商、終端設(shè)備商的跟進(jìn)。 此外值得注意的是，驍龍835芯片對(duì)沉浸式體驗(yàn)的優(yōu)化，以及宣布支持移動(dòng)PC，顯示高通正在嘗試在智能手機(jī)市場(chǎng)之外拓展更多智能終端市場(chǎng)。目前，AR/VR市場(chǎng)被業(yè)界看好，但待進(jìn)一步成熟，而PC市場(chǎng)目前是英特爾的優(yōu)勢(shì)市場(chǎng)。

    半導(dǎo)體 驍龍835

  • 線圈一體型“micro DC/DC”轉(zhuǎn)換器　擴(kuò)充升壓型產(chǎn)品陣容 最適于以單節(jié)電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備、無(wú)線設(shè)備、音響設(shè)備！ 輸入電流0.8A升壓“micro DC/DC” XCL102/XCL103系列

     特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京、 6616:東京證券交易所 東證第二部)研發(fā)了線圈與控制IC一體化的升壓型“micro DC/DC”轉(zhuǎn)換器XCL102/XCL103系列。 此次研發(fā)的XCL102/XCL103系列是一種將線圈與控制IC一體化的超小型(外形尺寸∶2.5mm x 2.0mm x h1.0mm)升壓微型DC/DC轉(zhuǎn)換器，只需在外部零件中增加陶瓷電容就能組成電源電路，因此將為節(jié)省基板面積的空間和縮短研發(fā)工期做出貢獻(xiàn)。此外，因內(nèi)置線圈，所以基板設(shè)計(jì)變得容易，可將輻射噪聲和電路的工作故障控制在最小限度。 輸入電壓范圍為0.65V(工作保持電壓)～6.0V，輸出電壓范圍為2.2V～5.5V(精度±2.0%)，可以0.1V步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置。開(kāi)關(guān)(工作)頻率為3.0MHz，控制方式可從PWM控制(XCL102)或PWM/PFM轉(zhuǎn)換(自動(dòng)切換工作模式)控制(XCL103)中選擇。 XCL102/XCL103系列與以往產(chǎn)品的升壓微型DC/DC轉(zhuǎn)換器XCL101(輸出電流為150mA，VIN=3.6V、VOUT=5.0V時(shí))相比，在相同條件下輸出電流為500mA，可支持更大電流的應(yīng)用程序。 此外，以往產(chǎn)品僅支持PFM控制，采用PWM控制型(XCL102)與PFM/PWM轉(zhuǎn)換(自動(dòng)切換工作模式)控制型(XCL103)作為控制方法，可支持廣泛的應(yīng)用程序。 特瑞仕的微型DC/DC轉(zhuǎn)換器的重大特性之一就是，通過(guò)降低輻射噪聲，也最適于易受噪聲影響的無(wú)線設(shè)備等應(yīng)用程序。工作開(kāi)始電壓為0.9V，工作保持電壓為0.65V，您也可用于以單節(jié)電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。 作為其他功能，還內(nèi)置了軟啟動(dòng)、負(fù)載切斷、CL自動(dòng)放電、旁路開(kāi)關(guān)功能。保護(hù)電路內(nèi)置了過(guò)流限制、積分閉鎖、輸出短路保護(hù)。 此次研發(fā)的產(chǎn)品通過(guò)加入產(chǎn)品陣容，可進(jìn)一步根據(jù)用途進(jìn)行選擇。 特瑞仕今后也將根據(jù)市場(chǎng)需求努力擴(kuò)大“微型DC/DC”的XCL系列。 【XCL102/XCL103系列的特點(diǎn)】 ・因是超小型線圈一體型微型DC/DC轉(zhuǎn)換器，所以可節(jié)省基板設(shè)計(jì)的空間 ・因輸入電流為0.8A，輸出電流為500mA，也可支持大電流應(yīng)用程序 ・最適于以堿性或鎳氫 電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備、無(wú)線設(shè)備、音響設(shè)備 ・可實(shí)現(xiàn)降低無(wú)需輻射噪聲 ▲XCL102/XCL103系列 CL-2025-02 (2.5 ×2.0, h=1.0mm) ▲XCL102/XCL103系列 Efficiency vs. Output Current  

    半導(dǎo)體 micro DC/DC 升壓型 線圈一體型 xcl102/xcl103系列

  • 安富利任命傅錦祥(Frederick Fu)為安富利亞太區(qū)總裁

     近日， 全球領(lǐng)先技術(shù)分銷(xiāo)商安富利今天宣布擢升傅錦祥先生為安富利亞太區(qū)總裁，任命即刻生效。傅先生將直接向安富利首席執(zhí)行官William J. Amelio匯報(bào)，在新任上，全面負(fù)責(zé)本地區(qū)的戰(zhàn)略方向與業(yè)務(wù)成長(zhǎng)。 傅先生有30余年亞洲地區(qū)電子行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擔(dān)任過(guò)工程、市場(chǎng)和商業(yè)管理的多個(gè)職位。他于2006年10月加入安富利，時(shí)任安富利中國(guó)區(qū)總裁，負(fù)責(zé)公司中國(guó)地區(qū)的電子元件業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。最近，他擔(dān)任安富利亞洲和日本代理總裁。 加入安富利前，傅先生在電子行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域工作過(guò)，包括半導(dǎo)體IDM、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)和EMS業(yè)務(wù)等。 他曾任Surface Mount Technology 公司首席市場(chǎng)官，負(fù)責(zé)全球市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和公司全球網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建。在此之前，他任職STMicroelectronics 臺(tái)灣總裁，并在STMicroelectronics 臺(tái)灣和STMicroelectronics 新加坡工作了14年。Frederick擁有香港大學(xué)工業(yè)工程碩士學(xué)位。 安富利首席執(zhí)行官William J. Amelio表示：“Frederick是一位出色的領(lǐng)導(dǎo)，在推動(dòng)公司成長(zhǎng)和實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)卓越方面成績(jī)驕人。他是幫助我們實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略推進(jìn)，為設(shè)計(jì)工程師提供從設(shè)想和產(chǎn)品構(gòu)思到批量生產(chǎn)階段無(wú)縫支持所需的正確領(lǐng)導(dǎo)人。他所具備的商業(yè)頭腦和對(duì)安富利業(yè)務(wù)的深入理解，他的領(lǐng)導(dǎo)能力和遠(yuǎn)見(jiàn)卓識(shí)，都將有助于在整個(gè)亞洲地區(qū)激勵(lì)我們的電子元件和分銷(xiāo)業(yè)務(wù)提升地位和擴(kuò)大全球影響力。” 傅先生表示：“這些市場(chǎng)為我們培育成長(zhǎng)機(jī)會(huì)，在業(yè)內(nèi)推廣領(lǐng)先解決方案蘊(yùn)藏了巨大潛力。我們的全套創(chuàng)新解決方案及豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)、卓越的設(shè)計(jì)和供應(yīng)鏈服務(wù)，不僅讓我們公司擁有別人難以企及的內(nèi)部設(shè)計(jì)能力，也為客戶(hù)提供有及時(shí)上市優(yōu)勢(shì)的解決方案。” 他補(bǔ)充說(shuō)：“能擔(dān)任這一職務(wù)，在客戶(hù)與供應(yīng)商的支持下，推動(dòng)我們的業(yè)務(wù)發(fā)展，加深在本地區(qū)的影響力，這讓我深感榮幸。”

    半導(dǎo)體 安富利亞 傅錦祥

  • 英特爾第一塊大容量Optane固態(tài)硬盤(pán)將售，最高 1.5TB

        關(guān)于被英特爾吹得叮當(dāng)響的 Optane 黑科技就不用多說(shuō)了，英特爾稱(chēng)其是 60 年代到現(xiàn)在的最新革命性?xún)?nèi)存和儲(chǔ)存類(lèi)別技術(shù)，此類(lèi)非易失性設(shè)備不僅將內(nèi)存和存儲(chǔ)結(jié)合在一起，而且比 DRAM 更便宜、比 NAND 更快，至少比傳統(tǒng) NAND固態(tài)硬盤(pán)快 10 倍的速度。在 Optane 儲(chǔ)存的背后是與美光合作開(kāi)發(fā)的 3D Xpoint 非易失性存儲(chǔ)器介質(zhì)，融合了英特爾先進(jìn)的系統(tǒng)內(nèi)存控制器、接口硬件和軟件 IP，有助于充分釋放未來(lái)眾多產(chǎn)品的巨大性能潛力。 去年 12 月份的時(shí)候，英特爾的第一款 Optane 存儲(chǔ)正式出現(xiàn)在成品 PC 上，也就是為 2017 年準(zhǔn)備的 ThinkPad T 系列，不過(guò)遺憾的是最高只有 16GB 或 32GB 可選。今年 2 月初，英特爾宣布第一代 Optane 儲(chǔ)存正式出貨，并且希望 Optane 儲(chǔ)存接下來(lái)體積更小，密度更高，同時(shí)更加便宜，耐用性更高，推動(dòng)全面普及。 更大容量的 Optane 儲(chǔ)存要等到何時(shí)呢?日前英特爾官方進(jìn)行回應(yīng)，聲稱(chēng)不用等多久，因?yàn)榈谝淮笕萘康?Optane SSD 固態(tài)硬盤(pán) DC P4800X 系列周日開(kāi)始出貨，最大容量可以達(dá)到 1.5TB。當(dāng)然了，率先出貨的只是售價(jià) 1520 美元的 375GB 款， 750GB 款要等到第二季度，而最高 1.5TB 的款式還要等到下半年。 這一次，英特爾終于分享更多關(guān)于實(shí)物 Optane 儲(chǔ)存的信息，今天我們就來(lái)看看到底英特爾還公布了哪些值得一看的內(nèi)容。 DC P4800X 性能遠(yuǎn)超 DC P3700 首批大容量的 Optane 硬盤(pán)均相容 NVMe PCIe 規(guī)范和 U.2 插槽，說(shuō)明可以在大多數(shù)工作站和服務(wù)區(qū)上使用，包括 AMD 最新公布的基于 32 核處理器 Naples 服務(wù)器平臺(tái)。按照英特爾的計(jì)劃，采用 Optane 技術(shù)的 DRAM 內(nèi)存可能要等到明年才會(huì)登場(chǎng)，但在此之前，還是沒(méi)有關(guān)于 Optane 消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的消息，畢竟 DC P4800X 系列主要針對(duì)企業(yè)和服務(wù)器領(lǐng)域。       除了英特爾之外，沒(méi)有其他廠商打造 Optane 儲(chǔ)存了嗎?其實(shí)英特爾的合作方鎂光也有，只不過(guò)不叫做 Optane，而是取名為 QuantX ，去年秋季就曾通過(guò) PPT 展示過(guò)相關(guān)產(chǎn)品了，有 200GB、400GB、800GB 和 1.6TB 容量版的固態(tài)硬盤(pán)，同樣率先在今年晚些時(shí)候部署到企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。 Optane 第一代 DC P4800X 系列固態(tài)硬盤(pán)的性能數(shù)據(jù)還只是第一次公布，主要是與三年前的 SSD DC P3700 系列相比，當(dāng)時(shí)這一代 PCIe 固態(tài)硬盤(pán)是數(shù)據(jù)中心隨機(jī)讀取和寫(xiě)入最快的產(chǎn)品。但是，DC P4800X 系列更快，遠(yuǎn)超現(xiàn)實(shí)中能達(dá)到的性能水平，簡(jiǎn)而言之你的平臺(tái)環(huán)境越好性能就越出色。 英特爾描述稱(chēng)，Optane 儲(chǔ)存的隨機(jī)寫(xiě)入速度是傳統(tǒng)固態(tài)硬盤(pán)的 10 倍以上，讀取速度則快 3 倍左右，這是在最優(yōu)環(huán)境如高端 PC 和服務(wù)器下的極端速度，就標(biāo)準(zhǔn)的 4K 數(shù)據(jù)塊測(cè)試來(lái)說(shuō)，差不多是讀取快了 70%，寫(xiě)入快了 30%，DC P4800X 相比 DC P3700 性能提升了 5 到 8 倍左右。 具體來(lái)說(shuō)， DC P4800X 系列讀取最高為 2400MB/s，寫(xiě)入 2000MB/s，4K 隨機(jī)讀取為550,000IOPS，寫(xiě)入 500,000IOPS，相當(dāng)無(wú)敵。另外，DC P4800X 每天寫(xiě)入次數(shù)指標(biāo)為 30DWPD，寫(xiě)入數(shù)據(jù)量為 12.3 PBW，相比 P3700 的 17DWPW 和 7.3PBW 也要高出將近一倍。     Optane 將改善數(shù)據(jù)中心效率和成本 除了公布具體測(cè)試成績(jī)之外，英特爾表示 Optane 一定會(huì)是未來(lái)的儲(chǔ)存技術(shù)，但傳統(tǒng)基于 NAND 的閃存不會(huì)滅亡，而且 Optane 必然不會(huì)一夜之間完成翻天覆地 。還在不斷研發(fā)和完善的 Optane 儲(chǔ)存價(jià)格相當(dāng)昂貴，那些加入 MRAM 或 RRAM 技術(shù)的硬盤(pán)同樣會(huì)有春天。 有意思的是，英特爾花了如此之長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)研發(fā) Optane 固態(tài)硬盤(pán)，耐用性及高度可靠性的問(wèn)題暫時(shí)未完美解決，因?yàn)?DC P4800X 系列固態(tài)硬盤(pán)還是提供五年質(zhì)保，究竟實(shí)際耐用性如何還有待測(cè)試。英特爾只是表示，Optane 固態(tài)硬盤(pán)將加快數(shù)據(jù)中心服務(wù)器之間的數(shù)據(jù)移動(dòng)，儲(chǔ)存性能一直是服務(wù)器的瓶頸， Optane 將大幅減少等待時(shí)間，提高服務(wù)器效率，尤其是處理大型數(shù)據(jù)集的效果明顯。 一般消費(fèi)者可能不會(huì)有如此明顯的感受，最大的受益者應(yīng)該是云服務(wù)提供商， MySQL 和 Memcached 應(yīng)用的效率提升明顯，例如像百度搜索和新浪微博的服務(wù)器，在使用 Optane 固態(tài)硬盤(pán)之后，將能夠更快實(shí)現(xiàn)社交或搜索請(qǐng)求的即時(shí)響應(yīng)速度。     英特爾預(yù)計(jì)，采用 DC P4800X 系列固態(tài)硬盤(pán)的服務(wù)器，在 MySQL 下的速度相比 DC P3700 快 10 倍以上，更快的速度必然能夠讓處理事務(wù)成本降低 91% 左右。當(dāng)然了，要想 Optane 硬盤(pán)發(fā)揮完整性能，就要改動(dòng)數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)架構(gòu)，這一成本代價(jià)相當(dāng)沉重，不過(guò)從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，Optane 未來(lái)對(duì)加速數(shù)據(jù)庫(kù)、云和深度學(xué)習(xí)等方面的應(yīng)用是有益的。 此外，Optane 固態(tài)硬盤(pán)對(duì)支持企業(yè)預(yù)置型部署和云部署模式的內(nèi)存計(jì)算平臺(tái) SAP HANA 也能促使發(fā)揮更出色的性能，因?yàn)?Optane 固態(tài)硬盤(pán)自帶的 Memory Drive 功能能夠模擬內(nèi)存計(jì)算，直接運(yùn)用到內(nèi)存計(jì)算當(dāng)中。 Optane 固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)始滲透到企業(yè)中 英特爾最后表示，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始考慮 Optane 儲(chǔ)存，其中 Facebook 已經(jīng)評(píng)估一年多了，暫時(shí)還沒(méi)有評(píng)估結(jié)果，而 IBM 也已經(jīng)將 Optane 儲(chǔ)存部署到 Bluemix 云服務(wù)當(dāng)中，只得到實(shí)測(cè)結(jié)果。另外，惠普將會(huì)提供基于 Optane 固態(tài)硬盤(pán)的 3PAR 陣列儲(chǔ)存系統(tǒng)，屆時(shí)陣列儲(chǔ)存系統(tǒng)的延遲將從 400 微妙或 1 毫秒縮減到 200 微妙。 此外，Optane 也兼容 Vmware VSAN 虛擬化存儲(chǔ)環(huán)境。阿里巴巴承諾在其數(shù)據(jù)庫(kù)和深度學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)設(shè)施使用 Optane 儲(chǔ)存。目前英特爾還與微軟合作將 Optane 帶到 Windows Server 存儲(chǔ)環(huán)境當(dāng)中。至于其他公司，包括聯(lián)想、Nutanix 和戴爾都已經(jīng)證實(shí)，很快將推基于 Optane 儲(chǔ)存的硬件產(chǎn)品。  

    半導(dǎo)體 英特爾 optane固態(tài)硬盤(pán)

  • 匯聚創(chuàng)新視界，引領(lǐng)行業(yè)未來(lái)——CCBN年度創(chuàng)新獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮隆重舉行

    以“視界融合，智享未來(lái)”為主題的CCBN2017行業(yè)盛會(huì)在初春的三月如期拉開(kāi)帷幕。3月22日，作為CCBN展覽會(huì)重要組成部分的“CCBN年度創(chuàng)新獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在北京國(guó)際會(huì)議中心CCBN2017主題報(bào)告會(huì)現(xiàn)場(chǎng)隆重舉行。中國(guó)工程院院士鄔賀銓、湖南廣播電視臺(tái)副臺(tái)長(zhǎng)聶玫、廣東省廣播電視網(wǎng)絡(luò)股份有限公司總經(jīng)理?xiàng)盍Ψ謩e獲得“CCBN杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”;北京市新聞出版廣電局、安徽省新聞出版廣電局、廣東省新聞出版廣電局三家機(jī)構(gòu)榮獲“CCBN2017用戶(hù)組織貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”; “CCBN2017產(chǎn)品創(chuàng)新獎(jiǎng)”分別授予了有線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商、設(shè)備制造商、技術(shù)服務(wù)供應(yīng)商等共二十家企業(yè)(獲獎(jiǎng)名單見(jiàn)下表)。 國(guó)家新聞出版廣電總局黨組成員、副局長(zhǎng)田進(jìn)、國(guó)家新聞出版廣電總局科學(xué)技術(shù)委員會(huì)副主任杜百川、國(guó)家新聞出版廣電總局廣播科學(xué)研究院副院長(zhǎng)周毅、國(guó)家新聞出版廣電總局廣播科學(xué)研究院副院長(zhǎng)杜國(guó)柱、重慶市文化委員會(huì)副主任江衛(wèi)寧、天津廣播電視網(wǎng)絡(luò)有線公司黨委書(shū)記、董事長(zhǎng)楊紅杰分別為獲獎(jiǎng)單位和個(gè)人頒發(fā)了獎(jiǎng)杯和證書(shū)。 黨的十八大以來(lái)，習(xí)近平總書(shū)記高度重視科技創(chuàng)新，強(qiáng)調(diào)要把創(chuàng)新擺在國(guó)家發(fā)展全局的核心位置，圍繞實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略、加快推進(jìn)以科技創(chuàng)新為核心的全面創(chuàng)新。2017年是十三五發(fā)展規(guī)劃實(shí)施承上啟下的關(guān)鍵之年，中國(guó)廣電科技創(chuàng)新事業(yè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也即將進(jìn)入新的跨界融合發(fā)展階段! 科技創(chuàng)新是推動(dòng)社會(huì)發(fā)展的原動(dòng)力，也是推動(dòng)廣播電視發(fā)展的一個(gè)新動(dòng)力，更是廣播電視產(chǎn)業(yè)向著更為廣闊空間發(fā)展的生命力，通過(guò)評(píng)選我們相信，科技創(chuàng)新能改變?nèi)藗兊纳罘绞剑旅襟w的不斷涌現(xiàn)也真正體現(xiàn)了創(chuàng)新魅力所在，未來(lái)中國(guó)廣播技術(shù)的發(fā)展將邁向新的臺(tái)階，與全球廣播事業(yè)共同前進(jìn)。 CCBN2017產(chǎn)品創(chuàng)新獎(jiǎng) 獲獎(jiǎng)企業(yè)名單

    半導(dǎo)體 ccbn 科技創(chuàng)新

  • 臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)恐陷10年失落

    臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在2016年被大陸一口氣超前，面對(duì)全球半導(dǎo)體新興技術(shù)將全面朝向5G、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、工業(yè)4.0、虛擬實(shí)境/擴(kuò)增實(shí)境(VR/AR)及人工智能(AI)等全新世代技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展，醞釀龐大市場(chǎng)商機(jī)，然目前臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者除了聯(lián)發(fā)科之外，幾乎絕大多數(shù)業(yè)者的投資布局都相當(dāng)緩步，半導(dǎo)體業(yè)者憂心地指出，若臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值成長(zhǎng)動(dòng)能一直未見(jiàn)起色，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)未來(lái)可能陷入失落的10年。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，由于技術(shù)發(fā)展跟不上腳步，難以抓緊市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值開(kāi)始走向負(fù)成長(zhǎng)趨勢(shì)恐難避免，除非聯(lián)發(fā)科持續(xù)購(gòu)并國(guó)外芯片大廠，否則未來(lái)營(yíng)運(yùn)包括成長(zhǎng)率、毛利率、市占率、營(yíng)益率及投資報(bào)酬率等紛將全面走跌，更遑論其他IC設(shè)計(jì)業(yè)者，營(yíng)運(yùn)走滑情況可能更明顯。 過(guò)去美國(guó)硅谷及臺(tái)灣竹科考量投資IC設(shè)計(jì)公司，最簡(jiǎn)單的方法就是看這家公司是否有能力在臺(tái)積電投片，因?yàn)榕_(tái)積電的晶圓代工價(jià)格較高，若IC設(shè)計(jì)公司能負(fù)擔(dān)得起，應(yīng)是芯片本身效能與成本具備超越其他同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。 此外，臺(tái)積電業(yè)務(wù)單位向來(lái)對(duì)于客戶(hù)相當(dāng)嚴(yán)選，能夠在臺(tái)積電投片的IC設(shè)計(jì)公司，必須后續(xù)在芯片市場(chǎng)表現(xiàn)及營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)前景，獲得臺(tái)積電一定程度的肯定，因此，過(guò)去投資國(guó)內(nèi)、外IC設(shè)計(jì)公司的重要依據(jù)，就是能否有能力在臺(tái)積電投片生產(chǎn)。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，以這樣的條件來(lái)看，目前恐怕有超過(guò)80%的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司，已難具備投資的吸引力，現(xiàn)階段除了聯(lián)發(fā)科及少數(shù)一直跟著臺(tái)積電制程技術(shù)的臺(tái)系類(lèi)比IC供應(yīng)商，仍堅(jiān)守在臺(tái)積電投片，其他的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者投片訂單多已流竄到聯(lián)電、大陸、甚至韓系晶圓代工廠。 由于以終端成熟產(chǎn)品市場(chǎng)為主力的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司，已無(wú)力承擔(dān)臺(tái)積電晶圓代工成本結(jié)構(gòu)，被迫四處尋求更便宜的晶圓代工來(lái)源，以應(yīng)付客戶(hù)每年、每季要求芯片降價(jià)壓力，這種現(xiàn)象自從進(jìn)入12吋晶圓世代就非常明顯，甚至在進(jìn)入28納米制程技術(shù)之后，只剩下聯(lián)發(fā)科在臺(tái)積電投片。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，國(guó)際芯片大廠及大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者持續(xù)搶進(jìn)臺(tái)積電10/16納米最先進(jìn)制程技術(shù)，甚至摩拳擦掌投入7納米世代，相較之下，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在先進(jìn)制程落后情況恐愈益嚴(yán)重，讓不少半導(dǎo)體業(yè)者感到憂心，未來(lái)在新世代制程技術(shù)的競(jìng)賽上，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)者勢(shì)必將居于下風(fēng)，恐影響產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。 值得注意的是，全球5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、VR/AR及人工智能等全新應(yīng)用風(fēng)潮急速竄起，可能引爆相當(dāng)可觀的市場(chǎng)商機(jī)，現(xiàn)階段臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司在資金、人力及市場(chǎng)投資持續(xù)慢半拍的情況，雖然可以降低芯片投資的風(fēng)險(xiǎn)，但這亦已預(yù)告未來(lái)幾年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)恐難有大突破，產(chǎn)值成長(zhǎng)空間非常有限，屆時(shí)將面臨與大陸差距持續(xù)拉大的窘境。 近年來(lái)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)較佳的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司除了聯(lián)發(fā)科之外，多是偏重供應(yīng)端客戶(hù)進(jìn)行變革的PC相關(guān)芯片及類(lèi)比IC解決方案，由于臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司多仍在成熟產(chǎn)品市場(chǎng)打轉(zhuǎn)，與新世代技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展?jié)u行漸遠(yuǎn)，業(yè)者紛采取保守的偏安策略，恐影響未來(lái)10年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 集成電路 ic設(shè)計(jì)

  • 去年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1.2W億元,同比增長(zhǎng)8.7%

    近年來(lái)，中國(guó)集成電路市場(chǎng)需求始終保持高速增長(zhǎng)?；仡?016年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)延續(xù)了這一發(fā)展勢(shì)頭，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到11985.9億元，同比增長(zhǎng)8.7%，無(wú)論是在規(guī)模上，還是在增速上，均繼續(xù)領(lǐng)跑全球。 中國(guó)集成電路市場(chǎng)持續(xù)快速擴(kuò)大，國(guó)內(nèi)供給不足矛盾依舊突出 從應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)看，汽車(chē)電子和工業(yè)控制領(lǐng)域仍是增速最快的領(lǐng)域。 2016年國(guó)內(nèi)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量均超過(guò)2800萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)14%以上，新能源車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量均超過(guò)50萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)50%以上。汽車(chē)銷(xiāo)量的顯著提升以及國(guó)內(nèi)汽車(chē)消費(fèi)升級(jí)對(duì)汽車(chē)電子產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)直接帶動(dòng)了汽車(chē)電子領(lǐng)域集成電路產(chǎn)品的銷(xiāo)售。2016年汽車(chē)電子類(lèi)集成電路市場(chǎng)的增速達(dá)到34.4%。與此同時(shí)，隨著國(guó)家《中國(guó)制造2025》戰(zhàn)略的深入實(shí)施，制造業(yè)的升級(jí)換代進(jìn)程加快，工業(yè)控制領(lǐng)域集成電路產(chǎn)品的需求也同樣旺盛。工業(yè)控制類(lèi)集成電路市場(chǎng)的規(guī)模增速也達(dá)到21%。 在市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)的同時(shí)，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在迅速擴(kuò)大。 2016年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到4335.5億元，同比增長(zhǎng)20.1%。其中，設(shè)計(jì)業(yè)繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，銷(xiāo)售額為1644.3億元，同比增長(zhǎng)24.1%，超過(guò)封裝測(cè)試業(yè)成為第一大產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié);制造業(yè)受到國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)線滿(mǎn)產(chǎn)以及擴(kuò)產(chǎn)的帶動(dòng)，銷(xiāo)售額1126.9億元，同比增長(zhǎng)25.1%，增速超過(guò)設(shè)計(jì)業(yè);封裝測(cè)試業(yè)銷(xiāo)售額1564.3億元，同比增長(zhǎng)13%。 雖然國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)迅猛，但我們應(yīng)看到，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供給不足的矛盾依然十分突出。從供給總量上看，目前國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)自給率尚不足20%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)所需的集成電路產(chǎn)品主要依賴(lài)進(jìn)口。2016年，中國(guó)集成電路產(chǎn)品進(jìn)口2270.7億美元，繼續(xù)為國(guó)內(nèi)最大的進(jìn)口商品。通用CPU、存儲(chǔ)器等關(guān)鍵核心產(chǎn)品基本均依賴(lài)進(jìn)口。 從供給結(jié)構(gòu)上看。以IC產(chǎn)品的工藝線寬劃分，目前，國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)需求金額中，28納米及以下IC產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)55%的份額。而目前國(guó)內(nèi)無(wú)論是IC設(shè)計(jì)行業(yè)，還是芯片制造行業(yè)，能夠提供28納米技術(shù)解決方案的企業(yè)均屈指可數(shù)?？梢哉f(shuō)，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿(mǎn)足規(guī)模龐大且水平不斷提升的內(nèi)需市場(chǎng)要求。 國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資旺盛增長(zhǎng)，但與國(guó)際同行差距依舊巨大 在市場(chǎng)需求的牽引和國(guó)家政策的推動(dòng)之下，從2014年開(kāi)始國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資迅速增長(zhǎng)。這一狀況主要體現(xiàn)在兩方面，一是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的固定資產(chǎn)投資大幅度增長(zhǎng)，二是集成電路企業(yè)的上市融資、收并購(gòu)活動(dòng)顯著增多。 首先在重大項(xiàng)目投資方面。包括中芯國(guó)際、紫光集團(tuán)、華力微電子等我國(guó)大陸企業(yè)，以及Intel、三星、臺(tái)積電、GlobalFoundry、海力士、聯(lián)電、力晶等半導(dǎo)體公司均在2016年宣布了各自在我國(guó)大陸的投資計(jì)劃，計(jì)劃投資金額為歷年之最。 雖然國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資在近一兩年大幅增長(zhǎng)，但與全球水平仍存在極大差距。盡管近幾年國(guó)內(nèi)國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)需求低迷，但產(chǎn)業(yè)投資依然保持兩位數(shù)的高速增長(zhǎng)。2016年，全球20大半導(dǎo)體廠商的新增投資合計(jì)達(dá)到354億美元，約為當(dāng)年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)際投資額的10倍，同比增速則達(dá)到了17%的水平，增速約為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增速的6倍?？梢哉f(shuō)，無(wú)論是從市場(chǎng)需求增速，還是產(chǎn)業(yè)規(guī)?，F(xiàn)狀，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的投資強(qiáng)度均遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。 在企業(yè)收并購(gòu)方面，2016年是國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)并購(gòu)的高峰年，多家國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)進(jìn)行了國(guó)內(nèi)或跨國(guó)的收并購(gòu)活動(dòng)。這些并購(gòu)活動(dòng)甚至引起了部分外國(guó)政府及行業(yè)組織的注意與抵觸。但是，我們還是應(yīng)理智地看到，當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也正處于大的整合浪潮中。 2016年，全球半導(dǎo)體行業(yè)收并購(gòu)案的總金額突破1300億美元，諸如高通收購(gòu)恩智浦、軟銀收購(gòu)ARM這樣的重量級(jí)并購(gòu)交易頻頻發(fā)生。而同年中國(guó)集成電路行業(yè)內(nèi)并購(gòu)案總金額約為178.2億元人民幣，折合26.3億美元，占全球并購(gòu)金額比重僅為2.4%，且缺乏有影響力和有實(shí)質(zhì)性產(chǎn)業(yè)提升的收并購(gòu)案例。國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)在收并購(gòu)方面，同樣還有很長(zhǎng)的路要走。 引導(dǎo)行業(yè)理性投資，推動(dòng)集成電路供給側(cè)改革 展望未來(lái)，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》明確提出，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強(qiáng)。移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系初步形成。16/14nm制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測(cè)試技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系，基本建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。要實(shí)現(xiàn)這一發(fā)展目標(biāo)，必要的投資強(qiáng)度無(wú)疑是極其重要的。 但是，從目前國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)的實(shí)際狀況來(lái)看，普遍存在分散投資、盲目收購(gòu)的情況。部分企業(yè)及地方政府，出于卡位國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展先機(jī)、集聚產(chǎn)業(yè)資源的考慮，在新建項(xiàng)目、并購(gòu)企業(yè)方面已經(jīng)出現(xiàn)了盲目沖動(dòng)的苗頭。這些盲動(dòng)的行為不僅給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)了“虛火”，更無(wú)端導(dǎo)致了國(guó)際企業(yè)及部分外國(guó)政府對(duì)國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)的投資的警覺(jué)，反而干擾了國(guó)內(nèi)企業(yè)的正常投資與并購(gòu)活動(dòng)。 對(duì)于以上問(wèn)題，從國(guó)內(nèi)集成電路供給側(cè)改革的角度加以分析，我國(guó)集成電路市場(chǎng)供給不足、產(chǎn)業(yè)投資強(qiáng)度不足的整體格局始終未有改變，但局部性的供給過(guò)剩、投資過(guò)熱也有可能發(fā)生。對(duì)此，有必要未雨綢繆，集中精力在重點(diǎn)領(lǐng)域、重點(diǎn)區(qū)域進(jìn)行布局，避免分散性的低水平重復(fù)投資。 從重點(diǎn)領(lǐng)域來(lái)看，以國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求以及實(shí)現(xiàn)突破的難度，近期宜以存儲(chǔ)器及晶圓代工領(lǐng)域的突破為重。存儲(chǔ)器一直是國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)需求最大的單一產(chǎn)品，且技術(shù)相對(duì)單一，并高度依賴(lài)密集投資，十分適合后進(jìn)國(guó)家作為趕超的核心產(chǎn)品，當(dāng)年日、韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起無(wú)不選擇存儲(chǔ)器作為突破口來(lái)滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)多樣性的市場(chǎng)需求以及IC設(shè)計(jì)行業(yè)的發(fā)展要求。因此，繼續(xù)鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)晶圓代工行業(yè)的發(fā)展也是應(yīng)有之意。 從重點(diǎn)區(qū)域來(lái)看，截至目前，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)基本分布在省會(huì)城市或沿海計(jì)劃單列市，并基本呈現(xiàn)出“一軸一帶”的分布特征，即東起上海市、西至成都市的集成電路產(chǎn)業(yè)“沿江發(fā)展軸”，以及北起大連市、南至珠海市的集成電路產(chǎn)業(yè)“沿海產(chǎn)業(yè)帶”。近兩年來(lái)，國(guó)內(nèi)新的集成電路重點(diǎn)項(xiàng)目布局依然集中于上述區(qū)域，如“沿江發(fā)展軸”上的成都市、重慶市、武漢市、南京市，以及“沿海產(chǎn)業(yè)帶”上的天津市、上海市、泉州市、廈門(mén)市、深圳市等。未來(lái)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將進(jìn)一步強(qiáng)化核心區(qū)域的進(jìn)一步集聚以及不同區(qū)域之間的差異化協(xié)同，其他區(qū)域?qū)⒏嗟囟ㄎ粸閰^(qū)域性配套發(fā)展或者特殊產(chǎn)品及工藝的補(bǔ)充發(fā)展。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 集成電路 ic芯片

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