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  • 晶澳太陽(yáng)能第一季出貨量超265兆瓦

    晶澳太陽(yáng)能公司(JASO)表示，目前預(yù)計(jì)第一季太陽(yáng)能電池出貨量超過(guò)265兆瓦，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)此前的預(yù)期。該公司表示，在精簡(jiǎn)生產(chǎn)設(shè)施之后，仍然能夠滿足用戶增長(zhǎng)的需求。該公司贏得了新的歐洲客戶，在主要太陽(yáng)能市場(chǎng)的銷(xiāo)售強(qiáng)勁，在新興太陽(yáng)能市場(chǎng)的銷(xiāo)售也實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。今年2月，晶澳曾表示，預(yù)計(jì)第一季度出貨量將在215兆瓦至225兆瓦之間。該公司周三表示，新的預(yù)期是根據(jù)客戶訂單和現(xiàn)有產(chǎn)品交付情況做出的。晶澳計(jì)劃于5月中旬發(fā)布第一季業(yè)績(jī)。屆時(shí)該公司還將發(fā)布第二季業(yè)績(jī)預(yù)期，并更新全年預(yù)期。該公司去年12月表示，預(yù)計(jì)2010年出貨量在750兆瓦至800兆瓦之間。

    半導(dǎo)體 太陽(yáng)能 太陽(yáng)能電池

  • 東芝半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)總部落戶無(wú)錫新區(qū)

    日本東芝半導(dǎo)體株式會(huì)社社長(zhǎng)齋藤4月9日率隊(duì)訪錫，一個(gè)信息隨之被證實(shí)：無(wú)錫將成為東芝半導(dǎo)體的中國(guó)區(qū)總部。東芝集團(tuán)是日本最大的半導(dǎo)體制造商，早在1994年就在錫投資設(shè)廠。去年11月，東芝半導(dǎo)體無(wú)錫公司和南通富士通微電子股份有限公司達(dá)成合資協(xié)議，設(shè)立通芝微電子公司。據(jù)介紹，東芝半導(dǎo)體無(wú)錫公司將保留生產(chǎn)管理職能，變身為東芝的中國(guó)區(qū)總部；而通芝微電子則將進(jìn)行大規(guī)模集成電路及其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)生產(chǎn)以及半導(dǎo)體產(chǎn)品、相機(jī)模塊的加工、委托加工、檢測(cè)，成為東芝在中國(guó)唯一的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。無(wú)錫市長(zhǎng)毛小平說(shuō)，無(wú)錫面臨經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的根本性調(diào)整，集成電路等高科技領(lǐng)域成為發(fā)展方向，他希望無(wú)錫和東芝在以往的合作基礎(chǔ)上尋求新的開(kāi)始、新的合作，市政府將給予最大的支持。

    半導(dǎo)體 富士通 相機(jī) 微電子 東芝半導(dǎo)體

  • 09年全球前十大NAND供貨商排行榜出爐

    市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-FeetResearch公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(SamsungElectronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk；SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。在其它市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因?yàn)樵谀承┣闆r下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-FeetResearch報(bào)告中列出了17家閃存制造商的出貨成績(jī)，東芝與SanDisk的出貨是分開(kāi)計(jì)算，也沒(méi)有包括其它零組件的營(yíng)收。而整體閃存市場(chǎng)規(guī)模，估計(jì)在2009年達(dá)到208億美元，較08年成長(zhǎng)2%。閃存市場(chǎng)的主要成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自NAND閃存，該領(lǐng)域營(yíng)收09年成長(zhǎng)16%，達(dá)到161億美元規(guī)模；至于NOR閃存市場(chǎng)則于09年衰退27.9%，營(yíng)收來(lái)到47.2億美元。大多數(shù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)例如世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)/半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)，估計(jì)2009年閃存零組件市場(chǎng)規(guī)模在148~150億美元之間；Web-Feet表示，該機(jī)構(gòu)所估計(jì)的NAND市場(chǎng)規(guī)模與其它家數(shù)據(jù)有11億美元左右的差距，是因?yàn)榧佑?jì)了SanDisk的出貨。Web-Feet指出，SanDisk在2009年的OEM與自有品牌NAND閃存出貨都有成長(zhǎng)。

    半導(dǎo)體 東芝 NAND NAND閃存 SANDISK

  • 三星電子第1季營(yíng)運(yùn)獲利可望成長(zhǎng)9倍

    亞洲最大芯片、手機(jī)、平板電視制造廠三星電子(SamsungElectrnoics)在2010年第1季財(cái)報(bào)發(fā)表前夕指出，因?yàn)镻C、電視需求強(qiáng)勁，第1季綜合營(yíng)運(yùn)獲利(Operatingprofit)約有4.3兆韓元(約38億美元)。根據(jù)市場(chǎng)分析師一般預(yù)測(cè)，三星電子2010年第1季營(yíng)運(yùn)獲利約落在4.1至4.3兆韓元之間。然而，由于市場(chǎng)景氣復(fù)蘇及iPad、智能型手機(jī)等熱門(mén)新品帶動(dòng)對(duì)其存儲(chǔ)器、電視等核心產(chǎn)品的需求，并拉高其價(jià)格，三星電子遂宣布其第1季營(yíng)運(yùn)獲利可來(lái)到4.3兆韓元，而這與去年同期的470億韓元相比，成長(zhǎng)約有9倍之多。這股獲利成長(zhǎng)動(dòng)能可望持續(xù)至2010年第3季，并讓三星電子2010年全年銷(xiāo)售額達(dá)到2位數(shù)的成長(zhǎng)。NHInvestment&Securities分析師SeoWonSeok表示，目前尚未看到會(huì)對(duì)三星造成負(fù)面影響的因素。即使行動(dòng)設(shè)備價(jià)格下滑及電視市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈這2個(gè)因素所造成的影響仍待觀察，但對(duì)三星并不會(huì)有太大的沖擊。所以Seo仍相當(dāng)看好三星的后續(xù)表現(xiàn)。

    半導(dǎo)體 三星電子 ECU SE

  • 日本半導(dǎo)體業(yè)整合目標(biāo)直指中國(guó)市場(chǎng)

    日本芯片巨頭NEC電子(NECElectronics)與瑞薩科技(RenesasTechnology)日前宣布合并，成立大型半導(dǎo)體制造公司——“瑞薩電子”。合并后的公司營(yíng)收達(dá)到113億美元，將成為僅次于英特爾及三星電子的全球第三大半導(dǎo)體制造商。此前任瑞薩科技社長(zhǎng)的赤尾泰將出任此合并公司社長(zhǎng)，他表示：“新公司將努力提升海外銷(xiāo)量，重點(diǎn)是內(nèi)需強(qiáng)勁的中國(guó)市場(chǎng)。中國(guó)地區(qū)有許多獨(dú)立的設(shè)計(jì)公司，因此瑞薩電子計(jì)劃與更多中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司合作。”合并前的瑞薩科技系全球MCU領(lǐng)域排名第一的頂級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)，公司從2006年開(kāi)始開(kāi)發(fā)面向中國(guó)市場(chǎng)的MCU，中國(guó)已經(jīng)成為瑞薩科技最重要的海外市場(chǎng)。迄今為止，瑞薩科技在中國(guó)已經(jīng)成立了制造、設(shè)計(jì)、應(yīng)用技術(shù)和銷(xiāo)售等各種職能的分公司和辦事處，僅在中國(guó)就擁有員工3000余人。瑞薩科技正通過(guò)一系列對(duì)銷(xiāo)售、研發(fā)、生產(chǎn)以及服務(wù)能力的全面加強(qiáng)來(lái)不斷拓展自己在中國(guó)的事業(yè)。整合后的瑞薩電子將精簡(jiǎn)其現(xiàn)有產(chǎn)品線，以達(dá)到資源的最優(yōu)化配置，將著重關(guān)注于包括MCU(微控制器)、SoC解決方案、模擬與電源器件在內(nèi)的三大專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。據(jù)悉，目前瑞薩在國(guó)內(nèi)地區(qū)的中國(guó)本土業(yè)務(wù)銷(xiāo)售比例占據(jù)40%（轉(zhuǎn)口業(yè)務(wù)占據(jù)60%），公司計(jì)劃在未來(lái)5年內(nèi)努力將海外營(yíng)收提升至60%以上。瑞薩電子(上海)有限公司董事長(zhǎng)兼總裁平澤大表示：“未來(lái)瑞薩將加大針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)、IDH、大學(xué)合作的聯(lián)系。同時(shí)重點(diǎn)投入MCU和通用產(chǎn)品，加強(qiáng)家電、通信和汽車(chē)領(lǐng)域的投入?！?

    半導(dǎo)體 瑞薩電子 瑞薩科技 MCU

  • GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

    美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)換效率。所以，全面開(kāi)始商用化之后，市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)大。目前已開(kāi)始GaN功率半導(dǎo)體商用化的企業(yè)包括美國(guó)國(guó)際整流器公司(IR)及美國(guó)EfficientPowerConversions(EPC)。IR在POL(pointofload)轉(zhuǎn)換器用多芯片模塊上采用了GaN功率半導(dǎo)體。而EPC已開(kāi)始銷(xiāo)售GaN功率半導(dǎo)體單品。

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  • 發(fā)展碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題

    碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展日益受到重視。碲資源、電池成本、電池生產(chǎn)和使用對(duì)環(huán)境的影響等問(wèn)題是碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展中受到很多人關(guān)注的問(wèn)題。本文對(duì)此進(jìn)行了分析討論，最后分析了工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件的關(guān)鍵技術(shù)。引言碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展受到國(guó)內(nèi)外的關(guān)注，其小面積電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到了16.5%，商業(yè)組件的轉(zhuǎn)換效率約9%，組件的最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到11%。國(guó)內(nèi)四川大學(xué)制備出轉(zhuǎn)換效率為13.38%的小面積單元太陽(yáng)能電池，54cm2集成組件轉(zhuǎn)換效率達(dá)到7％，正在進(jìn)行0.1㎡組件生產(chǎn)線的建設(shè)和大面積電池生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)。成本估算考慮電池的結(jié)構(gòu)為玻璃/SnO2：F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni，碲化鎘薄膜的厚度為5微米，轉(zhuǎn)換效率為7%，1MW碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池所消耗的材料的成本如下表所示。碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的材料成本 可見(jiàn)，碲化鎘和透明導(dǎo)電玻璃構(gòu)成材料成本的主體，分別占到消耗材料總成本的45.4%和38.2%。消耗材料的成本還可以進(jìn)一步降低，如將碲化鎘薄膜的厚度減薄1微米，則碲化鎘材料的消耗將降低20%，從而使材料總成本降低9.1%，即從每峰瓦6.21元降為5.64元。如使用99.999%純度的碲化鎘，效率依然能達(dá)到7%，材料成本還將進(jìn)一步降低。因此，材料成本達(dá)到或低于每峰瓦5元人民幣是可能的?？紤]工資、管理、電力和設(shè)備折舊等其他成本，碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的成本大約是每峰瓦13.64元人民幣或更低。因此，即使銷(xiāo)售價(jià)格為每峰瓦20~22元人民幣，約為晶體硅太陽(yáng)能電池現(xiàn)在價(jià)格的60%，也能保證制造商有相當(dāng)?shù)睦麧?rùn)空間。由于碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池成本低，其發(fā)展對(duì)于解決我國(guó)西部地區(qū)分散居住人口的電力供應(yīng)具有重要意義。碲資源碲是地球上的稀有元素，發(fā)展碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池面臨的首要問(wèn)題就是地球上碲的儲(chǔ)藏量是否能滿足碲化鎘太陽(yáng)能電池組件的工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)及應(yīng)用。工業(yè)上，碲主要是從電解銅或冶煉鋅的廢料中回收得到。據(jù)相關(guān)報(bào)道，地球上有碲14.9萬(wàn)噸，其中中國(guó)有2.2萬(wàn)噸，美國(guó)有2.5萬(wàn)噸。在美國(guó)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池制造商FirstSolar年產(chǎn)量25MW的工廠中，300~340公斤碲化鎘即可以滿足1MW太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要?？紤]到碲的密度為6.25g/cm3，鎘的密度為8.64g/cm3，則130~140公斤碲即可以滿足1MW碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要。由以上數(shù)據(jù)可以知道，按現(xiàn)已探明儲(chǔ)量，地球上的碲資源可以供100個(gè)年生產(chǎn)能力為100MW的生產(chǎn)線用100年。環(huán)境影響由于碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池含有重金屬元素鎘，使很多人擔(dān)心碲化鎘太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和使用對(duì)環(huán)境的影響。多年來(lái)，一些公司和專家不愿步入碲化鎘太陽(yáng)能電池的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。那么，碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和使用中鎘的排放究竟有多嚴(yán)重呢？為此，美國(guó)布魯克文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家們專門(mén)研究了這個(gè)問(wèn)題。他們系統(tǒng)研究了晶體硅太陽(yáng)能電池、碲化鎘太陽(yáng)能電池與煤、石油、天然氣等常規(guī)能源和核能的單位發(fā)電量的重金屬排放量。在太陽(yáng)能電池的分析中，考慮了將原始礦石加工得到制備太陽(yáng)能電池所需材料、太陽(yáng)能電池制備、太陽(yáng)能電池的使用等全壽命周期過(guò)程。研究結(jié)果表明（見(jiàn)圖1），石油的鎘排放量是最高的，達(dá)到44.3g/GWh，媒次之，為3.7g/GWh。而太陽(yáng)能電池的排放量均小于1g/GWh，其中又以碲化鎘的鎘排放量最低，為0.3g/GWh。與天然氣相同，硅太陽(yáng)能電池的鎘排放量大約是碲化鎘太陽(yáng)能電池的兩倍。圖1太陽(yáng)能電池組件與其他能源的鎘排放量的比較圖 他們還研究了硅太陽(yáng)能電池和碲化鎘太陽(yáng)能電池生產(chǎn)與使用中其他重金屬的排放。研究結(jié)果表明（見(jiàn)圖2），碲化鎘太陽(yáng)能電池的砷、鉻、鉛、汞、鎳等其他重金屬的排放量也比硅太陽(yáng)能電池的低。該研究報(bào)告結(jié)論基于對(duì)美國(guó)FirstSolar公司碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線、碲化鎘太陽(yáng)能電池組件使用現(xiàn)場(chǎng)的系統(tǒng)考察，和對(duì)其他太陽(yáng)能電池、能源的實(shí)際生產(chǎn)企業(yè)的工藝、相關(guān)產(chǎn)品的使用環(huán)境研究分析得出。研究結(jié)果的科學(xué)性、公正性得到國(guó)內(nèi)外的認(rèn)可。研究者在2006年歐洲材料年會(huì)硫系半導(dǎo)體光伏材料分會(huì)作的報(bào)告引起了與會(huì)人員的強(qiáng)烈關(guān)注。圖2硅太陽(yáng)能電池和碲化鎘太陽(yáng)能電池的重金屬排放量的比較圖 美國(guó)的研究人員還針對(duì)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件使用過(guò)程中，遇到火災(zāi)等意外事故造成組件損毀時(shí)鎘的污染進(jìn)行了研究。他們將雙玻璃封裝的碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件在模擬建筑物發(fā)生火災(zāi)的情況下進(jìn)行試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)溫度高達(dá)1100℃。結(jié)果表明，高溫下玻璃變軟以至于熔化，化合物半導(dǎo)體薄膜被包封在軟化了的玻璃中，鎘流失量不到電池所含鎘總量的0.04%?？紤]到發(fā)生火災(zāi)的幾率，得出使用過(guò)程中，鎘的排放量不到0.06mg/GWh。雖然實(shí)驗(yàn)表明碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件的使用是安全的，但是建立壽命末期電池組件和損毀組件的回收機(jī)制可以增強(qiáng)公眾的信心。分離出的Cd、Te及其他有用材料，還可用于制造生產(chǎn)太陽(yáng)能電池組件所需的相關(guān)材料，進(jìn)行循環(huán)生產(chǎn)。美國(guó)、歐洲的研究表明，技術(shù)上是可行的，回收材料的效益高于回收成本。事實(shí)上，美國(guó)FirstSolar公司的碲化鎘太陽(yáng)能電池組件在銷(xiāo)售時(shí)就與用戶簽訂了由工廠支付回收費(fèi)用的回收合同。[!--empirenews.page--]綜上所述，碲化鎘太陽(yáng)能電池在生產(chǎn)、使用等方面是環(huán)境友好的。大面積碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件制造的關(guān)鍵技術(shù)與小面積單元電池相同，硫化鎘、碲化鎘、復(fù)合背接觸層等三層薄膜的沉積和后處理是獲得高效率的技術(shù)關(guān)鍵。不同的是，需要在電池的制備過(guò)程中對(duì)在特定的工藝環(huán)節(jié)分別對(duì)透明導(dǎo)電薄膜、CdS/CdTe半導(dǎo)體層、金屬背電極進(jìn)行刻劃，實(shí)現(xiàn)單元電池的串聯(lián)集成。此外，工業(yè)化大面積組件生產(chǎn)要求工藝條件重復(fù)性高，薄膜性質(zhì)均勻性好，使一些在制備高效率小面積單元電池時(shí)使用的有效技術(shù)，并不適用于大面積組件的制造，需要發(fā)展新的技術(shù)。圖3碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件集成結(jié)構(gòu)示意圖 圖4碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池組件制備工藝流程圖 1．集成技術(shù)集成工藝對(duì)組件的轉(zhuǎn)換效率具有決定性的影響。實(shí)現(xiàn)集成的刻劃技術(shù)有機(jī)械刻劃、激光刻劃兩種。機(jī)械刻劃的刻劃速度比激光刻劃的慢得多，而且對(duì)于如碲化鎘等厚度到微米量級(jí)的較脆的薄膜，保證刻槽的平直無(wú)渣工藝難度較大。激光刻劃能夠獲得較窄的刻槽，寬度最低可到100微米。通常，使用基頻（1.064微米）YAG：Nd激光刻劃系統(tǒng)刻劃透明導(dǎo)電薄膜，使用倍頻（532nm）YAG：Nd激光刻劃系統(tǒng)刻劃硫化鎘/碲化鎘膜層和金屬背電極。激光刻劃系統(tǒng)有兩種，其一是移動(dòng)樣品實(shí)現(xiàn)激光刻劃，其二是樣品固定激光頭移動(dòng)實(shí)現(xiàn)激光刻劃。前者受微動(dòng)臺(tái)的限制，刻劃速度只能達(dá)到300mm/Sec~500mm/Sec，后者的刻劃速度可高達(dá)3000mm/Sec以上?？毯坌蚊矊?duì)串聯(lián)集成的電子學(xué)特性有極大影響。激光入射方向、激光模式、刻劃速度和Q開(kāi)關(guān)調(diào)制頻率是決定刻痕形貌的主要參量。從玻璃面入射比從薄膜面入射更容易得到高質(zhì)量的刻痕。圖5是分別用1064nm激光和532nm的激光刻劃CdS/CdTe薄膜后，用探針式表面輪廓分析儀測(cè)量的刻痕形貌。1064nm激光刻劃的刻槽邊緣有高達(dá)4微米的“脊?fàn)罘濉?，這不利于后續(xù)沉積的背電極接觸層及金屬背電極與透明導(dǎo)電薄膜之間形成連續(xù)的具有良好歐姆特性的連接。圖5CdTe薄膜激光刻劃刻痕形貌 2．碲化鎘薄膜的表面腐蝕技術(shù)剛沉積的碲化鎘薄膜載流子濃度低，需要在含氧、氯的氣氛下進(jìn)行380℃～450℃的熱處理。該工藝同時(shí)也促進(jìn)CdS/CdTe的界面擴(kuò)散，減少界面的格子失配程度和鈍化了薄膜的晶界勢(shì)壘。但該工藝在碲化鎘膜面形成了一高阻氧化層，可以用化學(xué)腐蝕或離子刻蝕去除CdTe膜面的高阻氧化層。物理刻蝕技術(shù)廢料少，容易和其他工藝環(huán)節(jié)集成，但是不易獲得厚度在10nm～100nm的高質(zhì)量富碲層，該層對(duì)于形成良好歐姆接觸特性的背電極是非常關(guān)鍵的?；瘜W(xué)腐蝕方法中，常用體積濃度為0.1%的溴甲醇溶液作為腐蝕液，腐蝕時(shí)間8～15秒。雖然使用該腐蝕工藝制備的小面積電池轉(zhuǎn)換效率高達(dá)16.5%，但是溴甲醇溶液在空氣中容易氧化，不適合工業(yè)化生產(chǎn)使用，需要發(fā)展更穩(wěn)定的腐蝕液和速度慢的腐蝕工藝。使用磷酸-硝酸混合溶液可以獲得較好的腐蝕效果，典型溶液的體積濃度為（硝酸：磷酸：水）0.5：70：29.5，室溫下腐蝕時(shí)間為1分鐘。降低硝酸濃度和溫度可以進(jìn)一步延長(zhǎng)腐蝕。磷硝酸溶液沿晶界的擇優(yōu)腐蝕較為嚴(yán)重，容易在沉積背電極后形成局部的短路漏電通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以進(jìn)一步減輕晶體擇優(yōu)腐蝕程度，獲得更好的膜面腐蝕效果。圖6不同溫度下使用硝酸-冰乙酸腐蝕后碲化鎘的XRD譜圖 前景展望碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池正日益受到國(guó)內(nèi)外的關(guān)注。全球最大的碲化鎘太陽(yáng)能電池制造商——美國(guó)FirstSolar公司正加速擴(kuò)大產(chǎn)能，該公司正在德國(guó)建設(shè)年產(chǎn)量100MW的工廠，該工廠得到歐盟4000萬(wàn)歐元的投資。同時(shí)，F(xiàn)irstSolar還計(jì)劃在美國(guó)本土和亞洲分別建設(shè)一個(gè)100MW的工廠。鑒于碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展前景，日本計(jì)劃再啟動(dòng)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研究，意大利和德國(guó)也在進(jìn)行類(lèi)似的工作。國(guó)內(nèi)四川大學(xué)的碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研究進(jìn)展順利，將推動(dòng)我國(guó)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的規(guī)模生產(chǎn)。

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  • 精功科技太陽(yáng)能光伏裝備制造技改項(xiàng)目竣工

    精功科技年產(chǎn)200臺(tái)（套）太陽(yáng)能光伏裝備制造技改項(xiàng)目竣工，該工程決算審定工程總造價(jià)為2,708.71萬(wàn)元。本次竣工決算將增加公司的固定資產(chǎn)規(guī)模，進(jìn)一步推進(jìn)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。精功科技4月3日發(fā)布公告稱，公司董事會(huì)審議通過(guò)《關(guān)于公司年產(chǎn)200臺(tái)（套）太陽(yáng)能光伏裝備制造技改項(xiàng)目2C、2D生產(chǎn)車(chē)間工程竣工決算的議案》。該工程系經(jīng)公司2008年11月25日召開(kāi)的2008年第六次臨時(shí)股東大會(huì)審議同意而委托浙江精工輕鋼建筑工程有限公司、浙江精工世紀(jì)建設(shè)工程有限公司進(jìn)行。目前上述工程已竣工，公司委托浙江中興工程項(xiàng)目管理有限公司出具審計(jì)報(bào)告。本次關(guān)聯(lián)交易的標(biāo)的為公司位于浙江紹興柯橋經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)柯西工業(yè)區(qū)的建設(shè)工程項(xiàng)目，包括裝配車(chē)間（2C號(hào)車(chē)間）和焊接車(chē)間（2D號(hào)車(chē)間）及附屬工程共計(jì)24,485.50平方米。經(jīng)股東大會(huì)審議同意，上述工程建設(shè)總金額預(yù)計(jì)為2,820萬(wàn)元，其中，委托浙江精工輕鋼建筑工程有限公司主要為新建車(chē)間及附屬工程的鋼結(jié)構(gòu)工程建設(shè)，協(xié)議金額預(yù)計(jì)為1,400萬(wàn)元；委托浙江精工世紀(jì)建設(shè)工程有限公司主要為新建車(chē)間及附屬工程的土建工程建設(shè)，協(xié)議金額預(yù)計(jì)為1,420萬(wàn)元。目前，上述工程已竣工，根據(jù)審計(jì)報(bào)告，上述工程決算審定工程總造價(jià)為27,087,080元（其中，浙江精工輕鋼建筑工程有限公司承建的2C、2D鋼結(jié)構(gòu)工程造價(jià)為13,156,459元，浙江精工世紀(jì)建設(shè)工程有限公司承建2C、2D及其場(chǎng)外工程造價(jià)為13,930,621元）。本次關(guān)聯(lián)交易主要是為加快公司年產(chǎn)200臺(tái)（套）太陽(yáng)能光伏裝備制造技改項(xiàng)目的實(shí)施進(jìn)度及滿足公司發(fā)展所需而委托浙江精工輕鋼建筑工程有限公司、浙江精工世紀(jì)建設(shè)工程有限公司進(jìn)行的工程建設(shè)，本次竣工決算將增加公司的固定資產(chǎn)規(guī)模，進(jìn)一步推進(jìn)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進(jìn)公司持續(xù)、快速、健康發(fā)展。

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  • 日本2010年太陽(yáng)能上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼不變

    3月29日，日本貿(mào)易部長(zhǎng)表示，自4月1日起的一年內(nèi)，該國(guó)的太陽(yáng)能上網(wǎng)電價(jià)將保持不變。日本上網(wǎng)電價(jià)政策規(guī)定，日本家庭每利用太陽(yáng)能發(fā)一度電就能從公共事業(yè)部門(mén)得到48日元（約合0.51美元）的補(bǔ)貼，而公司、企業(yè)等享受的太陽(yáng)能上網(wǎng)補(bǔ)貼則少了一半，為24日元（約合0.25美元）。在國(guó)外，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展通常有兩種途徑，一種是實(shí)施“上網(wǎng)電價(jià)法”，對(duì)太陽(yáng)能的上網(wǎng)電價(jià)進(jìn)行確定。根據(jù)德國(guó)的法律，太陽(yáng)能的上網(wǎng)電價(jià)每年下降約5%。第二種就是對(duì)光伏太陽(yáng)能發(fā)電進(jìn)行補(bǔ)貼，日本走的就是第二種模式。不過(guò)有分析人士認(rèn)為，從世界幾大光伏發(fā)電大國(guó)的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，“上網(wǎng)電價(jià)法”是迄今為止全球采取的啟動(dòng)光伏市場(chǎng)最有效、最科學(xué)的舉措。

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  • 全球半導(dǎo)體收入2月下降1.3%但全年將超預(yù)期

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)表的報(bào)告稱，雖然今年2月全球芯片銷(xiāo)售收入為220億美元環(huán)比下降了1.3%，但是，SIA重申今年半導(dǎo)體市場(chǎng)的整體表現(xiàn)要好于它在去年11月的預(yù)測(cè)。SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，一些鼓舞人心的跡象表明全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇仍在繼續(xù)。我們對(duì)于今年半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)將超過(guò)我們?nèi)ツ?1月的預(yù)測(cè)持謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度。SIA去年11月預(yù)測(cè)2010年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將達(dá)到2421億美元，比2009年增長(zhǎng)10.2%。SIA在計(jì)算每個(gè)月的數(shù)字的時(shí)候采用3個(gè)月移動(dòng)平均數(shù)字。Scalise說(shuō)，2月份的銷(xiāo)售數(shù)字反應(yīng)了半導(dǎo)體銷(xiāo)售的繼續(xù)復(fù)蘇。半導(dǎo)體的需求主要是新興市場(chǎng)的電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(zhǎng)推動(dòng)的。推動(dòng)半導(dǎo)體銷(xiāo)售增長(zhǎng)的兩個(gè)主要產(chǎn)品PC和手機(jī)在2010年的銷(xiāo)售量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10至15%。今年2月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售同比增長(zhǎng)了56.2%。但是，投資者在高興之前應(yīng)該注意到，由于去年全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，這個(gè)同比標(biāo)準(zhǔn)是非常低的。

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  • 專利戰(zhàn)升級(jí)爾必達(dá)反告英飛凌芯片侵權(quán)

    爾必達(dá)近日向美國(guó)法院對(duì)英飛凌提起兩項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達(dá)對(duì)英飛凌起訴的反擊，雙方的半導(dǎo)體芯片大戰(zhàn)開(kāi)始升級(jí)。訴訟之一，爾必達(dá)稱英飛凌侵犯了其三項(xiàng)與手機(jī)有關(guān)的微控制器美國(guó)專利，這其中就涉及英飛凌為蘋(píng)果iPhone生產(chǎn)的微控制器。第二項(xiàng)訴訟是英飛凌侵犯用于汽車(chē)組件的微控制器專利。爾必達(dá)在手機(jī)微控制器侵權(quán)聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達(dá)的專利授權(quán)，在不顧爾必達(dá)專利的情況下繼續(xù)出售微控制器。該手機(jī)微控制器訴訟中還提到了百思買(mǎi)，原因則是后者銷(xiāo)售使用侵犯爾必達(dá)專利微控制器的手機(jī)。爾必達(dá)要求經(jīng)濟(jì)賠償，并要求法院禁止英飛凌使用爾必達(dá)相關(guān)專利。今年二月份，英飛凌對(duì)爾必達(dá)提起訴訟稱，爾必達(dá)侵犯了四項(xiàng)英飛凌DRAM芯片專利，并要求法院禁止?fàn)柋剡_(dá)的內(nèi)存芯片銷(xiāo)往美國(guó)?！?

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  • Spansion重組計(jì)劃獲新進(jìn)展法庭就遺留問(wèn)題提供指導(dǎo)意見(jiàn)

    Spansion公司近日宣布美國(guó)德拉維爾區(qū)地方破產(chǎn)法庭就Spansion公司重組計(jì)劃事宜作出了以下決議：法庭否決了一系列的反對(duì)意見(jiàn)，并就重組計(jì)劃遺留下的少數(shù)問(wèn)題提供指導(dǎo)意見(jiàn)。這項(xiàng)法庭的決議也拒絕了由Spansion可轉(zhuǎn)讓公司債券的持有人所組成的特別委員會(huì)發(fā)起的動(dòng)議。此動(dòng)議尋求撤銷(xiāo)法庭早前頒布的批準(zhǔn)Spansion的公開(kāi)聲明的命令和任命一名審查人員或第11章的受托人。Spansion公司CEOJohnKispert表示，“我們很高興又朝著重組計(jì)劃最終批準(zhǔn)的目標(biāo)邁進(jìn)了一大步。我們感謝法庭提出細(xì)致周全的意見(jiàn)，同時(shí)我們期待能解決法庭所擔(dān)心的遺留問(wèn)題?！睘榱四鼙M快獲得重組計(jì)劃的最終批準(zhǔn)以及成功脫離第11章，Spansion會(huì)努力解決法庭所擔(dān)心的遺留問(wèn)題。

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  • 創(chuàng)新是保持半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定關(guān)鍵

    據(jù)iSuppli公司，盡管2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%，擺脫2009年的銳減局面，但保持增長(zhǎng)的關(guān)鍵其實(shí)就是兩個(gè)字：創(chuàng)新。預(yù)計(jì)2010年支出仍將承壓，在這種情況下，產(chǎn)品創(chuàng)新性越強(qiáng)，最終會(huì)賣(mài)得越好。設(shè)備制造商和硅片供應(yīng)商都在依靠創(chuàng)新來(lái)推動(dòng)制造業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)，尤其他們都專注于下一代技術(shù)。創(chuàng)新性新產(chǎn)品的銷(xiāo)售增長(zhǎng)，使得相關(guān)各方獲得更多的利潤(rùn)。但是，對(duì)于半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，創(chuàng)新也是向300毫米晶圓轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵。iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年硅片總體需求將增長(zhǎng)17.4%。但是，300毫米硅片需求將增長(zhǎng)27.2%。這與2009年形成鮮明對(duì)比，當(dāng)時(shí)對(duì)于硅片的需求下降了11.1%。iSuppli公司預(yù)測(cè)，2013年300毫米晶圓產(chǎn)量將從2008年的36億平方英寸增長(zhǎng)到61億平方英寸，復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)為12.4%。相比之下，200毫米晶圓將從2008年的30億平方英寸下降到27億平方英寸，復(fù)合年度增長(zhǎng)率為負(fù)2%。圖1所示為iSuppli公司對(duì)2008-2013年硅片面積總產(chǎn)量的預(yù)測(cè)，按晶圓尺寸細(xì)分。 由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)改善和正常的增長(zhǎng)周期正在形成，廠商將更加傾向于增加硅片訂單。但是，關(guān)鍵問(wèn)題依然存在： ● 出貨量模式如何？ ● 哪些技術(shù)將驅(qū)動(dòng)硅片出貨量？ ● 向300毫米晶圓轉(zhuǎn)變會(huì)對(duì)其它尺寸晶圓有什么影響？iSuppli公司2010年將持續(xù)關(guān)注這些方面。衰退過(guò)后的轉(zhuǎn)變 在衰退之后，半導(dǎo)體制造業(yè)通常會(huì)發(fā)生一些變化，而2009年衰退過(guò)后也不例外。例如，在2001年的衰退之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)三個(gè)主要技術(shù)轉(zhuǎn)變：光刻向0.13微米的更小尺寸轉(zhuǎn)變，采用新型金屬化方案，轉(zhuǎn)向300毫米晶圓。當(dāng)時(shí)，由于制造商轉(zhuǎn)向成本最合算的200和300毫米晶圓，6英寸晶圓顯然已經(jīng)無(wú)人問(wèn)津。這是一個(gè)離我們更近的例子。2009年衰退之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用300毫米晶圓的趨勢(shì)非常明顯，50%的制造業(yè)務(wù)都轉(zhuǎn)向了這種尺寸較大的晶圓。就像150毫米晶圓在2001年的衰退之后失寵一樣，iSuppli公司預(yù)測(cè)200毫米晶圓將在2009年衰退過(guò)后淡出。產(chǎn)業(yè)積極向300毫米晶圓過(guò)渡，將繼續(xù)給硅片生產(chǎn)商帶來(lái)壓力，因?yàn)橛行S商尚未收回在200毫米產(chǎn)品制造設(shè)備上面的投資。

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  • AESSolar為意大利的光伏項(xiàng)目募集$23,470萬(wàn)資金

    AESSolarEnergyLimited募集17300萬(wàn)歐元($23,470萬(wàn))的資金，用于一座在意大利43兆瓦光伏項(xiàng)目的施工。CellinoSanMarco位于普利亞地區(qū)，據(jù)說(shuō)，這是太陽(yáng)能光伏項(xiàng)目獲得的最大融資。法國(guó)興業(yè)銀行的一位總經(jīng)理MassimilianoBattisti表示，意大利的太陽(yáng)能光伏項(xiàng)目對(duì)于投資具有高度的吸引力，因?yàn)檫@個(gè)國(guó)家實(shí)施有利的政策，并且可實(shí)施創(chuàng)新融資解決方案。法國(guó)興業(yè)銀行、意大利聯(lián)合信貸銀行、法國(guó)巴黎銀行、法國(guó)農(nóng)業(yè)信貸銀行以及DexiaCrediop參與了本輪的融資。他表示：“在這種背景下，我們認(rèn)為，能夠與AESSolar等這一領(lǐng)域最具經(jīng)驗(yàn)的公司進(jìn)行合作，對(duì)于我們來(lái)說(shuō)非常重要，因?yàn)樗麄兙哂行袠I(yè)和金融方面的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，并且能夠了解當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)的復(fù)雜之處”。這次募集的資金占項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資的大約85％，融資最終到期日為施工結(jié)束后18年。預(yù)計(jì)這座太陽(yáng)能電站將在年底完工，根據(jù)意大利二位裝機(jī)容量超過(guò)1兆瓦的光伏電站提供激勵(lì)措施的“contoenergia”計(jì)劃，該電站可享受20年調(diào)節(jié)上網(wǎng)電價(jià)。CellinoSanMarco項(xiàng)目將讓AESSolar在全球的裝機(jī)容量增加兩倍多，目前該公司在法國(guó)、希臘以及西班牙的裝機(jī)容量為38MW。AESSolar是總部位于弗吉尼亞州AESCorporation(NYSE:AES)與私人股權(quán)公司RiverstoneHoldingsL.L.C.建立的合資企業(yè)。AES通過(guò)其多樣化的熱能和可再生燃料資源為29個(gè)國(guó)家提供廉價(jià)、可持續(xù)利用的能源。據(jù)報(bào)道，該公司在2009年的收入為$140億。同時(shí)，總部位于紐約的RiverstoneHoldings管理總額大約為$170億六個(gè)投資基金，其中就包括世界最大的可再生能源基金。

    半導(dǎo)體 光伏 裝機(jī)容量 ST SOLAR

  • 創(chuàng)新是保持半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定關(guān)鍵

     據(jù)iSuppli公司，盡管2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%，擺脫2009年的銳減局面，但保持增長(zhǎng)的關(guān)鍵其實(shí)就是兩個(gè)字：創(chuàng)新。 預(yù)計(jì)2010年支出仍將承壓，在這種情況下，產(chǎn)品創(chuàng)新性越強(qiáng)，最終會(huì)賣(mài)得越好。設(shè)備制造商和硅片供應(yīng)商都在依靠創(chuàng)新來(lái)推動(dòng)制造業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)，尤其他們都專注于下一代技術(shù)。 創(chuàng)新性新產(chǎn)品的銷(xiāo)售增長(zhǎng)，使得相關(guān)各方獲得更多的利潤(rùn)。但是，對(duì)于半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，創(chuàng)新也是向300毫米晶圓轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵。iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年硅片總體需求將增長(zhǎng)17.4%。但是，300毫米硅片需求將增長(zhǎng)27.2%。這與2009年形成鮮明對(duì)比，當(dāng)時(shí)對(duì)于硅片的需求下降了11.1%。 iSuppli公司預(yù)測(cè)，2013年300毫米晶圓產(chǎn)量將從2008年的36億平方英寸增長(zhǎng)到61億平方英寸，復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)為12.4%。相比之下，200毫米晶圓將從2008年的30億平方英寸下降到27億平方英寸，復(fù)合年度增長(zhǎng)率為負(fù)2%。 圖1所示為iSuppli公司對(duì)2008-2013年硅片面積總產(chǎn)量的預(yù)測(cè)，按晶圓尺寸細(xì)分。 由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)改善和正常的增長(zhǎng)周期正在形成，廠商將更加傾向于增加硅片訂單。但是，關(guān)鍵問(wèn)題依然存在： ● 出貨量模式如何？ ● 哪些技術(shù)將驅(qū)動(dòng)硅片出貨量？ ● 向300毫米晶圓轉(zhuǎn)變會(huì)對(duì)其它尺寸晶圓有什么影響？ iSuppli公司2010年將持續(xù)關(guān)注這些方面。 衰退過(guò)后的轉(zhuǎn)變   在衰退之后，半導(dǎo)體制造業(yè)通常會(huì)發(fā)生一些變化，而2009年衰退過(guò)后也不例外。 例如，在2001年的衰退之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)三個(gè)主要技術(shù)轉(zhuǎn)變：光刻向0.13微米的更小尺寸轉(zhuǎn)變，采用新型金屬化方案，轉(zhuǎn)向300毫米晶圓。當(dāng)時(shí)，由于制造商轉(zhuǎn)向成本最合算的200和300毫米晶圓，6英寸晶圓顯然已經(jīng)無(wú)人問(wèn)津。 這是一個(gè)離我們更近的例子。2009年衰退之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用300毫米晶圓的趨勢(shì)非常明顯，50%的制造業(yè)務(wù)都轉(zhuǎn)向了這種尺寸較大的晶圓。就像150毫米晶圓在2001年的衰退之后失寵一樣，iSuppli公司預(yù)測(cè)200毫米晶圓將在2009年衰退過(guò)后淡出。產(chǎn)業(yè)積極向300毫米晶圓過(guò)渡，將繼續(xù)給硅片生產(chǎn)商帶來(lái)壓力，因?yàn)橛行S商尚未收回在200毫米產(chǎn)品制造設(shè)備上面的投資。

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