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  • iPUBLISH新產(chǎn)品選擇賽普拉斯觸摸屏解決方案

    賽普拉斯半導體公司（Cypress）日前宣布，iPUBLISH GmbH將在新款MERIAN scout NAVIGATOR個人旅行助手產(chǎn)品中采用賽普拉斯的PSoC® CapSense™觸摸屏控制方案。這款新產(chǎn)品將GPS裝置的導航功能與多媒體旅行向?qū)Чδ芙Y(jié)合到了一臺使用方便的手持設備中。用戶只需觸摸其3.7英寸VGA分辨率觸摸屏就可獲取地圖和信息，其中包括35個小時的音頻導游和照片，可涵蓋30000多個地點，如博物館、餐館、旅館和其它感興趣的地方。 CapSense觸摸屏解決方案提供了高度精確的觸摸操作性能，十分適用于小屏幕便攜設備，例如MERIAN scout NAVIGATOR。該方案還讓設計者可以采用單一器件來替代多個機械式按鈕和滑條，并能夠?qū)崿F(xiàn)接近感應功能。工程師還可以利用PSoC的靈活性來實現(xiàn)超出CapSense本身以外的功能，也就是一種稱為CapSensePLUS的能力。這些功能包括，驅(qū)動LED、背光控制、馬達控制、電源管理、I/O擴展、控制加速度計和環(huán)境照明傳感器。這些功能與靈活的通信能力（I2C和SPI）相結(jié)合，還能夠達到前所未有的系統(tǒng)集成度。 iPUBLISH GmbH執(zhí)行董事Carsten Leininger指出：“這款MERIAN scout NAVIGATOR最具吸引力的特色就是觸摸屏技術，這項技術讓所有客戶的操作變得非常簡便。賽普拉斯基于CapSense的觸摸屏解決方案十分靈活，提供了優(yōu)異的功能，而其可編程性也縮短了我們的設計時間?！?賽普拉斯公司CapSense部門主管Carl Brasek指出：“這款MERIAN scout NAVIGATOR是展示CapSense觸摸屏技術應用效果的一個出色實例。它凸顯了我們的觸摸屏解決方案在優(yōu)異的精確度、響應時間和低功耗方面的卓爾不凡?！?nbsp;

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  • 科學家研制出單分子寬度有機電路，有望大幅縮小電子器件的尺寸

    美國匹茲堡大學的研究人員研究出了迄今為止最好的一種方法，它可以組建只有一個分子寬度的線狀結(jié)構(gòu)。這種技術可以讓我們把電子器件的電路尺寸縮小到分子級，以便制造出更小、更快和更節(jié)能的電子產(chǎn)品。該成功發(fā)表在9月26日的美國化學學會學報的網(wǎng)站上。 研究人員展示了一個組建分子的模板，線寬只有單個銅原子大小，但可延伸的無缺陷長度可達幾百個銅原子。這個超細的線是一維的，這樣它就可以以最低的能耗傳導電流，因此提升電子設備的性能，項目領導人、匹茲堡大學文理學院物理和化學教授及匹茲堡皮特森納米科學和工程學院主任Hrvoje Petek如是說。 發(fā)表的文章中使用有機的（或以炭原子為基礎的）、橄欖球形狀的稱作fullerenes的分子，但該方法也可以推廣到其他的一系列有機分子。這種線狀結(jié)構(gòu)的優(yōu)點只有通過有機分子實現(xiàn)。目前電子行業(yè)普遍采用的無機硅材料尚無法做到一維尺寸。

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  • IR授權英飛凌科技使用DirectFET封裝技術

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，后者將獲授權使用IR的DirectFET先進功率管理封裝專利技術。 DirectFET 功率封裝是業(yè)界首個在SO-8或更小占位面積，提供高效上部散熱的表面貼裝功率MOSFET封裝技術，適用于計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用。與標準塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構(gòu)造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。 英飛凌將把DirectFET功率封裝技術應用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技術，預計在2008年初開始提供DirectFET封裝的OptiMOS 2樣品。 IR企業(yè)功率業(yè)務部副總裁Tim Phillips表示：“由于采用了獨特的雙面散熱設計，IR的DirectFET封裝技術可以降低能量損耗，減小設計占位面積，是先進計算、消費及通信應用首選的解決方案?！?他還表示：“我們不斷為節(jié)省能源開發(fā)尖端技術，并通過授權協(xié)議擴大 DirectFET這類創(chuàng)新技術在節(jié)能方面的影響力，進一步擴展我們在功率管理市場最主要領域的業(yè)務?！?nbsp;英飛凌科技功率管理及驅(qū)動器業(yè)務部高級副總裁兼總經(jīng)理Arunjai Mittal表示：“根據(jù)這項協(xié)議，英飛凌將繼續(xù)擴充旗下的功率半導體產(chǎn)品系列。把我們成功的OptiMOS芯片技術與不同封裝規(guī)格相結(jié)合，以適應廣泛的應用，使電源設計師可以為特定應用采用節(jié)能的、有成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性，現(xiàn)在加上具有雙面散熱能力的封裝，將進一步鞏固英飛凌在功率轉(zhuǎn)換市場的地位。”

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  • Synopsys經(jīng)硅驗證的IP可用于0.13微米工藝

    Synopsys公司宣布基于中芯國際130納米G工藝的DesignWare®  USB 2.0 nanoPHY IP已獲USB標志認證，PCI Express (PCIe) PHY IP已通過一致性測試。 DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP針對高容量和功耗要求高的應用進行了優(yōu)化，可同時實現(xiàn)小尺寸和低功耗。該PHY獨特的可調(diào)性使設計者能夠根據(jù)工藝變化和系統(tǒng)寄生效應做出快速調(diào)整，從而實現(xiàn)高良率和強大的互操作性。DesignWare USB 2.0 nanoPHY是整套USB協(xié)議實施解決方案的一部分，整套方案還包括OTG數(shù)字控制器、主控制器和驗證IP。經(jīng)過硅驗證的DesignWare USB OTG解決方案已在領先的消費、計算和無線產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。 用于PCI Express的 DesignWare PHY IP與PCI Express 1.1兼容，可提供最低功耗，相當于競爭產(chǎn)品的一半，并可保證接收器和小尺寸芯片的出色容限性能。該IP高級的內(nèi)置診斷引擎和ATE測試向量能夠?qū)HY進行快速生產(chǎn)測試。此外，用于PCI Express的 DesignWare PHY IP還可提供x1 到 x8局域網(wǎng)仿真配置，支持打線封裝和倒裝芯片封裝。用于PCI Express的 DesignWare PHY IP是經(jīng)過硅驗證的完整PCIe解決方案的一部分，該解決方案還包括終端、雙重模式、根聯(lián)合體、交換IP和驗證IP。   中芯國際市場及銷售部門副總裁歐陽雄表示：“Synopsys為我們的客戶提供了業(yè)內(nèi)領先的USB和PCIe IP，這些產(chǎn)品具有卓越豐富的性能和出色的技術支持。將Synopsys公司經(jīng)過硅驗證的IP與我們的制造工藝技術結(jié)合，設計者能夠?qū)崿F(xiàn)快速上市的目標，同時這也是低風險快速實現(xiàn)量產(chǎn)的最佳途徑?！?Synopsys IP及服務業(yè)務高級市場總監(jiān)John Koeter表示：“與中芯國際合作，將我們的PCIe 和 USB IP用于中芯國際的0.13微米工藝，對其進行硅驗證和認證，表明我們不斷為客戶提供業(yè)內(nèi)領先的標準連接IP。我們將為設計者提供經(jīng)過認證的高質(zhì)量IP解決方案，并將隨著先進工藝技術的發(fā)展而不斷完善，以滿足客戶的嚴格要求?！?基于中芯國際0.13微米工藝的DesignWare USB 2.0 PHY IP、USB 2.0 nanoPHY IP和PCI Express PHY IP 現(xiàn)已供貨。

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  • iSuppli調(diào)低2007年全球半導體收入預期

        周三市場調(diào)查公司iSuppli調(diào)低2007年全球半導體收入預期，從6月預期的增長6%下調(diào)為增長3.5%。并表示后半年半導體的收入增長不能夠彌補前半年的銷售疲軟。  　　iSuppli稱，目前預期全球半導體的收入將從2006年的2606億美元增長為2699億美元。今年前半年全球半導體的收入比2006年后半年下降了6%，其主要原因是儲存芯片制造商盲目擴展產(chǎn)能，今年前半年儲存芯片發(fā)貨量增長了94%，而整個半導體行業(yè)的發(fā)貨量平均增長了55%至60%。  　　部分市場產(chǎn)品充斥造成平均銷售價格下降，儲存芯片行業(yè)的收入下降了13%，前半年的市場環(huán)境潛在的限制了半導體收入的增長。但調(diào)查公司表示，后半年全球半導體市場的環(huán)境發(fā)生了轉(zhuǎn)變，不僅表現(xiàn)在年終的購物季節(jié)，儲存芯片的價格和收入都出現(xiàn)強勁反彈。  　　iSuppli預期后半年全球半導體的收入比前半年將增長10%，其中三季度的收入比二季度增長8.8%，四季度將增長4%。這一增長趨勢將延續(xù)到2008年，預期2008年全球半導體的收入將增長9.3%。  　　iSuppli預期后半年NAND閃存芯片的價格在經(jīng)過前半年每MB下降40%后將開始回升，假日季節(jié)的來臨和計算機銷售強勁，后半年儲存芯片的收入比前半年將增長15%，2007年儲存芯片的收入預期將占半導體行業(yè)收入總數(shù)的23%。

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  • 臺積電被判竊取美公司商業(yè)機密 賠三千萬美元

        9月26日下午消息，臺積電今天宣布，針對UniRAM科技公司指控其不當使用商業(yè)機密的訴訟，美國舊金山聯(lián)邦地方法院判決臺積電支付3050萬美元賠償金。臺積電認為陪審團的裁決不正確，將采取一切行動保護自身權益。 　　臺積電在新聞稿中稱，舊金山聯(lián)邦地方法院判決其支付給UniRAM 3050萬美元的賠償金，并可繼續(xù)上訴。臺積電法務長杜東佑稱：“我們認為陪審團對此案的裁決并不正確，臺積公司將會采取一切行動來保護自己的權益?！?　　代表UniRAM的律師事務所發(fā)表聲明稱，涉案商業(yè)秘密涉及嵌入式DRAM的設計技術。 　　UniRAM于1998年創(chuàng)立于美國加州，是一家專業(yè)從事高性能內(nèi)存解決方案設計、開發(fā)及授權的公司。

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  • 中芯國際興建武漢晶圓廠進度受阻

         據(jù)一名外國分析師透露，中國晶圓代工廠中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下簡稱中芯國際)放緩了他們在武漢的300毫米晶圓廠的施工進度。 　　“我們聽說這座新武漢晶圓廠的建設由于與爾必達的定價談判未最終達成而不得不推遲，”匯豐銀行一名分析師Steven Pelayo說?！斑@將影響他們的短期管理費用和明年的潛在利潤。此外，它還將影響那些寄望這批07年第三季訂單的半導體設備廠商?！?　　Steven Pelayo所提及的這家日本內(nèi)存芯片(DRAM)廠商爾必達與中芯國際簽訂了一份代工合作協(xié)議。最近，爾必達出售了部分200毫米晶圓廠設備予中芯國際負責運營的一家實體企業(yè)——總部在成都的中國成都成芯半導體制造有限公司(Cension Semiconductor Manufacturing Corp.)。 　　與此同時，有報道稱中芯國際已經(jīng)于去年開始在湖北省武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)興建一座300毫米晶圓廠。但這座工廠并非中芯國際自己的，而是由當?shù)卣鲑Y并要求中芯國際負責管理的。新芯積體電路制造有限公司(Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing)將擁有這座晶圓廠，并且他們已經(jīng)委托中芯國際負責未來的運營，預期這座工廠將于2007年底竣工，而投入商業(yè)量產(chǎn)定于2008年的第一季度。預計這座晶圓制造廠初始階段的晶圓月產(chǎn)量在12500片左右，未來有能力將月產(chǎn)量提升至20000甚至25000片的水平。 　　事實上，最近一段時間以來，中芯國際的情況有點起伏不定。這家公司自成立以來始終沒有試過大幅盈利。 　　Steven Pelayo表示，“中芯國際繼續(xù)提升其300毫米內(nèi)存晶圓的產(chǎn)量，不過，隨著內(nèi)存芯片(DRAM)的價格不斷沖擊新低并且短期內(nèi)沒有回升的跡象，所以他們基本上只是在原地踏步?！睋?jù)他透露，內(nèi)存芯片仍然占該公司收入的大約30%。 　　中芯國際的邏輯芯片業(yè)務也是喜憂參半。他們的300毫米邏輯芯片業(yè)務在最大的客戶德州儀器近期削減晶圓訂單后顯得有點疲弱，“而好消息是我們又聽說上海的200毫米晶圓廠在爭取到新的大客戶高通(Qualcomm)后正高速運作，”Steven Pelayo說。“現(xiàn)在這座工廠的產(chǎn)量大約是產(chǎn)能的一半，但收入?yún)s減少了，而且這是一座相對落后的工廠，只能生產(chǎn)最小130納米級別產(chǎn)品?！?

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  • 天宏計劃總投資37億元 多晶硅項目咸陽開建

        9月23日10時，陜西天宏硅材料有限責任公司多晶硅項目在咸陽市渭城區(qū)正陽鎮(zhèn)正式奠基開工，并舉行了隆重的開工典禮。該項目建成投產(chǎn)后，將填補我國微電子級多晶硅材料規(guī)?；a(chǎn)的空白。     多晶硅是制造集成電路和太陽能電池的基礎材料，是發(fā)展信息產(chǎn)業(yè)和光伏新能源產(chǎn)業(yè)的重要基石。目前，我國多晶硅使用量已占到全球總量的10%以上，但產(chǎn)量卻不到全球總產(chǎn)量的1%。為擺脫多晶硅依賴進口的局面，在省政府的支持下，多晶硅項目由陜西有色金屬控股集團有限責任公司控股，并與陜西延長石油（集團）有限責任公司、西安綠晶科技有限責任公司、陜西省投資集團（有限）公司共同投資建設。      該項目計劃總投資37億元人民幣，年產(chǎn)多晶硅3750噸，廠區(qū)面積33萬平方米，首期建成年產(chǎn)微電子級多晶硅1250噸生產(chǎn)線，建設期為24個月。項目技術含量高，產(chǎn)品檔次高，技術和產(chǎn)品質(zhì)量居于國際先進水平。該項目成功投產(chǎn)后將全面滿足8英寸以上晶圓片生產(chǎn)的需要，對我國電子材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有劃時代意義。 

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  • 賽普拉斯發(fā)運第2.5億片PSoC系列產(chǎn)品

    賽普拉斯半導體公司近日宣布其PSoC®混合信號陣列產(chǎn)品出貨量已超過2.5億片。目前，賽普拉斯在全球各個應用領域的PSoC客戶已超過5000家，這些客戶廣泛分布在消費電子產(chǎn)品、手機、計算和網(wǎng)絡設備、工業(yè)系統(tǒng)以及汽車系統(tǒng)等領域。其中著名的PSoC客戶包括惠普、思科系統(tǒng)公司、LG電子、海爾、聯(lián)想、任天堂和賓得公司。賽普拉斯曾在2006年6月宣布其銷量突破了1億片大關。 2007年第2季度，賽普拉斯PSoC系列產(chǎn)品的業(yè)務收入創(chuàng)造了歷史新高，而且業(yè)務收入有望繼續(xù)增長。新PSoC設計中標的增長速度也創(chuàng)造了新高，高出2006年40%。傳統(tǒng)上，設計中標是確保后期增長的指標之一。 PSoC混合信號陣列將1個8位微控制器與可編程模擬模塊和數(shù)字模擬集成在一起，這種獨特的組合方式在各種應用領域內(nèi)為設計者提供了無與倫比的靈活性。這種靈活性為其眾多細分市場的客戶提供了卓越的價值。 市場研究企業(yè)Databeans（總部位于內(nèi)華達州里諾市）的研究部門主管Susie Inouye指出：“PSoC系列產(chǎn)品的增長率給人們留下了極為深刻的印象，把曾在微控制器和混合信號市場出現(xiàn)過的增長率遠遠甩在了后面。這種結(jié)構(gòu)能夠應用于眾多不同的應用領域，并根據(jù)在具體系統(tǒng)中的使用方式而提供不同的優(yōu)勢。” 賽普拉斯負責市場營銷和應用的高級副總裁Babak Hedayati指出：“除了贏得了大客戶的大批量產(chǎn)品設計以外，我們還贏得了眾多不同應用領域的許許多多中小型公司，因為PSoC所具有的靈活性縮短了產(chǎn)品上市周期、減少了元器件數(shù)量并節(jié)約了板卡空間?？蛻魯?shù)量的迅速擴大證明了我們獨有的混合信號可編程產(chǎn)品和解決方案為客戶帶來的巨大價值?！?

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  • 吉時利和CNSI共推納米系統(tǒng)研發(fā)的快速商用化

    吉時利儀器公司日前宣布結(jié)盟位于加州大學洛杉磯分校（UCLA）的加州納米系統(tǒng)研究院（CNSI）并展開合作。CNSI將在半導體行業(yè)下一代儀器和測量所需的納米技術和納米科學領域提供研究合作，吉時利和CNSI將分享在納米技術和納米電子技術領域的研究成果。 吉時利將加入CNSI合作者計劃。該計劃旨在盡CNSI學院的努力，促進與愿意支持納米系統(tǒng)研發(fā)成果快速商用化的公司展開合作。吉時利將與CNSI研究人員密切合作，促進該研究計劃早日啟動。吉時利將在協(xié)作研究中提供專業(yè)儀器技術支持和專家，以及提供各種測試儀器，例如在納米研究領域廣泛使用的4200-SCS型半導體特征分析系統(tǒng)，應用到CNSI的WIN/FENA實驗室的合作研究中。 UCLA工程與應用科學亨利塞繆爾學院電氣工程教授、WIN和FENA研究中心主任Kang Wang表示，“吉時利提供具有高級測量功能的工具，將幫助UCLA進一步推進研究工作，吉時利儀器的靈敏測試技術非常適合應用于碳納米管電子學的電流電壓特征分析、分子電子學、納米級場效應器件和材料研究等領域?！?納米工程功能材料研究中心（FENA）,屬于納米電子研究創(chuàng)新聯(lián)盟（NRI）核心機構(gòu)的西部納米電子研究所（WIN），以及半導體研發(fā)中心計劃（FCRP）（NRI和FCRP都是半導體產(chǎn)業(yè)基金的核心機構(gòu)）, 專門致力于構(gòu)造和研究新型納米工程功能材料與器件，以及構(gòu)建新型信息處理系統(tǒng)所需的、超越傳統(tǒng)CMOS技術限制的新結(jié)構(gòu)和計算架構(gòu)。 吉時利副總裁、商業(yè)主管Mark Hoersten表示，“吉時利之所以選擇與CNSI和WIN/FENA組織合作，是因為其在材料科學、物理學、生物學、化學和半導體領域擁有世界頂尖的科研團隊，雙方技術合作產(chǎn)生的研究成果，將會應用于今后為納米科學與半導體行業(yè)不斷提供的測試產(chǎn)品之中。同時，吉時利的設備將會幫助WIN/FENA的研究人員更好開展研究工作。本項合作將為吉時利開發(fā)新一代測量技術提供寶貴機遇，從而推動納米技術早日走出實驗室，投入全面生產(chǎn)與應用。”

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  • TI出資1500萬美元資助大學醫(yī)療技術研究

    日前，德州儀器 (TI) 宣布將出資1,500 萬美元資助其全球選定大學的醫(yī)療技術研究。該項資金將用于支持未來幾年內(nèi)關鍵新興醫(yī)療技術在多個領域中的研發(fā)工作，如個人醫(yī)療設備、可移植設備、醫(yī)學成像、無線醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng)以及生物傳感器技術等。 TI 醫(yī)療業(yè)務部副總裁 Kent Novak 表示：“TI 始終處于技術研究的前沿，與全球大學的合作將有助于我們開發(fā)出新一代醫(yī)療電子產(chǎn)品，使客戶享受到更高質(zhì)量的醫(yī)療保健服務?！?多項最新醫(yī)療成就中都有 TI 技術的身影，其中包括便攜式影像、用于病人監(jiān)護的無線通信、視網(wǎng)膜修復技術，以及旨在提高截肢病人生活質(zhì)量的基于 DSP 的機器人技術。 Novak 還談到：“上個世紀 90 年代，電子行業(yè)的研發(fā)重點與市場主要推動力是無線通信系統(tǒng)、手機以及個人數(shù)字助理 (PDA)。上述發(fā)展的成果實現(xiàn)了更高的系統(tǒng)集成度與更低功耗要求。許多最新醫(yī)療系統(tǒng)都采用這些成熟技術，以提高醫(yī)院對病人的監(jiān)護水平，如功能增強型個人護理設備。鑒于許多發(fā)展中國家實際上并不具備標準化的醫(yī)療系統(tǒng)，這些技術還有助于加速醫(yī)療系統(tǒng)的現(xiàn)代化進程?！?

    半導體 醫(yī)療技術 NOVA BSP

  • 我國無源電子元件研究發(fā)展及若干戰(zhàn)略思考

    無源電子元件是一大類重要的電子信息產(chǎn)品。無源元件與有源器件（集成電路等半導體產(chǎn)品）共同構(gòu)成電路的核心部分，是各類電子信息產(chǎn)品的基礎。在新型電子產(chǎn)品中，集成電路和無源元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的46.1%和9.1%，而在總安裝成本中卻分別占12.7%和55.1%，甚至某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過其價格。不難看出，無源電子元件已經(jīng)成為制約整機進一步向小型化、集成化發(fā)展的瓶頸。  1、無源電子元件在我國經(jīng)濟社會發(fā)展中的地位  根據(jù)信息產(chǎn)業(yè)部的統(tǒng)計資料，我國的電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模已經(jīng)成為國民經(jīng)濟第一大產(chǎn)業(yè)。信息業(yè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已成為決定我國的國民經(jīng)濟、社會發(fā)展、人民生活、國家安全水平的主要因素。  電子元件及其組件制造業(yè)是電子元器件行業(yè)的主要組成部分，也是電子信息產(chǎn)業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)。電子設備一般都是由基本的電子元件構(gòu)成的，從日常生活中的電腦、電視、PDA、手機、DVD等電子產(chǎn)品到載人航天、先進武器的尖端技術，電子元件無處不在。電容器、電阻器、電感器、變壓器、濾波器、天線等無源元件都是電子產(chǎn)品中必不可少的基礎元器件，在日常生活和國家戰(zhàn)略中均發(fā)揮著重要的作用。電子元件及其組件屬于電子信息產(chǎn)業(yè)的中間產(chǎn)品，介于電子整機行業(yè)和原材料行業(yè)之間，其發(fā)展的快慢、所達到的技術水平和生產(chǎn)規(guī)模，不僅直接影響著整個電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而且對發(fā)展信息技術，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高現(xiàn)代化裝備水平，促進科技進步都具有重要意義。  隨著電子信息整機產(chǎn)品制造的規(guī)?；?，其對上游產(chǎn)品的配套能力要求日益強烈，電子元器件制造業(yè)作為基礎產(chǎn)品的重要地位日益明顯。目前，我國電子信息產(chǎn)業(yè)處于高速增長時期，一方面，新一代電子整機產(chǎn)品市場規(guī)模迅速擴張，急需各種電子元器件產(chǎn)品，尤其是新型電子元器件為之配套；另一方面，隨著電子整機產(chǎn)品向數(shù)字化、信息化方向發(fā)展，電子元器件在電子整機產(chǎn)品中所占的比重日益增加，電子整機產(chǎn)品對電子元器件的依存度也越來越大。  2、高端電子元件及其關鍵材料和技術研發(fā)的戰(zhàn)略意義  從產(chǎn)量上看，我國的多種無源元件產(chǎn)品，如電容器、電阻器、磁性元件等在世界上均名列前茅。但從銷售額來看，這些產(chǎn)品都不占世界首位，這說明高檔產(chǎn)品還有一定差距。如何將我國從電子元件大國變?yōu)殡娮釉妵恢笔俏覈?、產(chǎn)業(yè)界和科技工作者長期探索、努力解決的一個問題。   目前我國電子元器件市場的供需矛盾仍然比較明顯，突出表現(xiàn)為產(chǎn)品供給與整機需求之間的脫節(jié)。一方面，我國很多領域的電子元器件產(chǎn)品產(chǎn)量位居世界前列，并大量出口；而另一方面，我國也是全球最主要的電子元器件產(chǎn)品進口國之一。形成這種局面的原因主要在于，國產(chǎn)電子元器件產(chǎn)品主要集中在技術含量較小的中低端領域，因此大量新型電子元器件依靠進口，同時，價格、渠道、服務因素也在很大程度上影響了我國電子元器件產(chǎn)品穩(wěn)定進入整機配套體系。以用量最大的一類電子元件――多層陶瓷電容器（MLCC）為例，如表1所示，從2000到2004年間，盡管我國的元件產(chǎn)量從960億只增加到1550億只，但進出口貿(mào)易逆差卻從440億只增加到880億只。  從電感類產(chǎn)品得情況看，目前我國的片式電感生產(chǎn)總和只占全球的不足5%，與我國每年占全球約30％左右的片式電感用量嚴重不成比例，且主要應用于一些中低檔次的電子產(chǎn)品中，幾乎所有的領先性電子產(chǎn)品（如移動通信）中所采用的這類基礎元件基本上完全被日本、韓國和臺灣的企業(yè)所壟斷。  （三）無源元件發(fā)展的歷史機遇  近年來電子元件產(chǎn)品進入了一個迅速升級換代的時期。其突出表現(xiàn)是插裝向表面組裝、模擬化向數(shù)字化、固定式向移動式、分離式向集成化轉(zhuǎn)變。從技術上看，無源電子元件的多層化、多層元件片式化、片式元件集成化和多功能化成為發(fā)展的主要方向。基于多層陶瓷技術（MLC）和低溫共燒陶瓷技術（LTCC）的新一代電子元件已成為電子元件的主流，而集成化則是電子元件的主要發(fā)展方向。新一代電子元件與無源技術的發(fā)展正在成為高技術發(fā)展的制高點和產(chǎn)業(yè)生長點。  此外，在國際化的趨勢下，國際電子制造產(chǎn)業(yè)中心向中國轉(zhuǎn)移，將對中國的電子元件產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了巨大的拉動。電子元件采購的本土化將成為大勢所趨。未來5－10年，我國的電子元件市場將出現(xiàn)高速增長。   電子元件產(chǎn)業(yè)的主要利潤點在于新一代高端產(chǎn)品。片式電子元件的全面升級換代，無源集成技術的迅速崛起，為我國有關企業(yè)提供了一系列實現(xiàn)跨越式發(fā)展的技術切入點。通過國家大項目的牽引，組織產(chǎn)學研聯(lián)合的研發(fā)隊伍，從材料、制程和設計方面全方位的研究開發(fā)，將有望使我國電子元件產(chǎn)業(yè)站在高的起點上參與國際競爭。  在電子元件升級換代速度加快、無源集成產(chǎn)業(yè)剛剛興起、以及國際性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移之時，抓住機遇，投入力量，研究開發(fā)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的新一代電子元件及無源集成材料系統(tǒng)、模塊設計、及制程工藝，對我國信息技術的長期發(fā)展將是十分必要的。   （四）世界各國無源元件研發(fā)情況  近年來，隨著電子信息產(chǎn)品升級換代速度的加快，電子元件的進一步升級換代和集成化的問題日益為世界各國政府、產(chǎn)業(yè)界和學術界所關注。特別是由于低溫共燒陶瓷（LTCC）等技術的突破使無源集成技術進入了實用化和產(chǎn)業(yè)化階段，新一代無源元件和相關的集成技術成為倍受關注的技術制高點。早在上世紀90年代中期，美國政府就曾撥款7000萬美元，實施了一個旨在研究發(fā)展無源集成和多芯片組裝的三年計劃。2000年，美國商務部、國家標準與計劃研究院和一些大型企業(yè)聯(lián)合發(fā)起了一個規(guī)模更大的“先進嵌入式無源元件聯(lián)合研究計劃”，這一為期四年的計劃是通過建立一個國家制造科學中心，推動新一代集成化無源元件的研究開發(fā)，其研究內(nèi)容涉及發(fā)展新材料、新制程、以及新的設計工具（軟件），據(jù)稱目前已取得重要成果。美國軍方也相當重視電子元件和無源集成技術的研究發(fā)展，美國國防部2004財政年度的計劃中，“先進元件開發(fā)與樣品”作為列為7個重大計劃之一，預算經(jīng)費將高達132億美元，其中一部分被用于新一代無源元件及其集成技術方面。歐盟通過其Brite-Euram框架，支持了“微波與電力模塊的快速制造”研究計劃（簡稱RAMP計劃）。日本政府將無源集成技術列入到了政府優(yōu)先支持的“關鍵技術中心計劃”；德國政府啟動了旨在推進用于衛(wèi)星通信用集成模塊的KERAMIS項目、旨在研究多功能無源集成模塊的4M項目等。  一些大型高技術企業(yè)，如美國杜邦公司、IBM公司、摩托羅拉公司,日本TDK公司、NEC公司、村田公司、3M公司、富士通公司，荷蘭菲利普公司等均投入巨資參與新一代無源電子元件及其集成技術的角逐。2001年，臺灣工業(yè)巨頭臺塑集團以LTCC模塊作為切入點，啟動了“科技臺塑”計劃，他們通過購買美國高科技企業(yè)的技術，開發(fā)藍牙模塊和移動通信產(chǎn)品，進入了電子信息領域。由國際電子與封裝協(xié)會（IEAPS）發(fā)起的旨在推動世界范圍內(nèi)無源集成技術發(fā)展的名為Ceramic Interconnect Initiative的計劃（簡稱CII）得到了世界各國很多研究結(jié)構(gòu)和企業(yè)的積極響應。   （五）研究發(fā)展的思路與政策建議  總體思路：以發(fā)展新型高端元件為牽引，以關鍵材料為突破口，以提升生產(chǎn)工藝技術為著眼點，將“材料研究－工藝開發(fā)－元件生產(chǎn)”相結(jié)合。在 “十五”有關項目的研究基礎上，進一步組織力量，通過產(chǎn)學研相結(jié)合，發(fā)展新型材料，突破關鍵技術，形成自主知識產(chǎn)權，全面提升我國電子元件產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和技術水平。  重點發(fā)展方向：針對無源電子元件高端產(chǎn)品和無源集成的關鍵技術問題，重點研究開發(fā)以下內(nèi)容：（1）能促進量大面廣的無源元件產(chǎn)品升級換代的核心材料；（2）具有共性的關鍵元件工藝技術；（3）高附加值的高端集成模塊產(chǎn)品。  總體目標：形成我國在無源元件高端產(chǎn)品和無源集成技術方面的自主知識產(chǎn)權；發(fā)展出一系列技術指標居國際先進水平新型材料、元件和模塊，及其制程工藝；研制并生產(chǎn)出集成度20以上的無源集成模塊；形成5－10個具有國際先進水平的片式電子元件成果轉(zhuǎn)化基地及產(chǎn)業(yè)鏈，其總生產(chǎn)規(guī)模達到年產(chǎn)數(shù)百億只無源元件；建立的無源集成標準體系和測試平臺。爭取在“十一五”末，使我國在若干種新一代電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模及水平居世界前列，推動我國從電子元件大國走向電子元件強國。為我國3G移動通信、數(shù)字電視、載人航天工程等重大計劃的實施提供元件基礎。  研究內(nèi)容包括：   （1）若干重要電子元件的關鍵材料與相關元件研究：以推動重要元件產(chǎn)品的升級換代和發(fā)展新型高端元件產(chǎn)品為目標，探索具有高性能的電子陶瓷和相關材料，為全面實現(xiàn)我國基礎電子元件的升級換代提供材料基礎。包括：高性能介電陶瓷材料及相關元件、高性能軟磁鐵氧體材料及相關元件、高性能微波陶瓷介質(zhì)材料、高性能壓電陶瓷材料、高性能敏感陶瓷材料。  （2）無源元件工藝中的共性技術研究：面向無源元件的小型化工藝的要求，開展對MLC技術的關鍵工藝環(huán)節(jié)研究和開發(fā)，研究內(nèi)容包括陶瓷前驅(qū)體粉料的超細加工制備工藝（粉體粒度 

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  • 我國電子元器件領域 “十一五”發(fā)展重點

    我國電子信息產(chǎn)業(yè)由電子信息產(chǎn)品制造業(yè)和軟件業(yè)構(gòu)成，電子信息產(chǎn)品制造業(yè)是最具活力的科技創(chuàng)新領域之一，其規(guī)模占整個電子信息產(chǎn)業(yè)的90%左右，是我國信息化建設的關鍵支撐，是推動經(jīng)濟增長的重要引擎。而電子元器件制造業(yè)在整個電子信息產(chǎn)品制造業(yè)中也占據(jù)著重要位置。   “十一五”時期，是我國信息產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)強國戰(zhàn)略的重要起步期。電子信息產(chǎn)業(yè)主要是圍繞從規(guī)模速度型向創(chuàng)新效益型轉(zhuǎn)變的發(fā)展思路，加強自主創(chuàng)新，提升產(chǎn)業(yè)技術水平；優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整；壯大核心基礎產(chǎn)業(yè)，延伸完善產(chǎn)業(yè)鏈；培育一批骨干企業(yè)和知名品牌，提高產(chǎn)業(yè)競爭能力。主要任務是大力發(fā)展核心基礎產(chǎn)業(yè)，重點培育新的產(chǎn)業(yè)群，積極推進產(chǎn)業(yè)集聚式發(fā)展。  在電子元器件方面，力爭使集成電路、新型元器件等核心產(chǎn)業(yè)的規(guī)模翻兩番，產(chǎn)業(yè)鏈進一步向上游延伸，元器件、材料、專用設備國內(nèi)配套能力得到顯著增強，集聚優(yōu)勢資源，形成一批在全球具有特色和影響力的產(chǎn)業(yè)基地和產(chǎn)業(yè)園，以及一批效益突出、國際競爭力較強的優(yōu)勢企業(yè)。   集成電路   在集成電路領域，我國對外依存度一直很高，CPU、DSP、存儲器、手機基帶芯片等計算機、移動通信、音視頻等主流整機產(chǎn)品所需的高端芯片主要依賴進口，貿(mào)易逆差持續(xù)擴大。2005年我國集成電路的貿(mào)易逆差高達672.7億美元，同比增長50%，集成電路關鍵裝備基本依賴國外。因此，“十一五”期間，我國集成電路領域的發(fā)展重點是完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，通過設計、芯片制造、封裝檢測、關鍵裝備和基礎材料各環(huán)節(jié)的協(xié)調(diào)發(fā)展，建立起植根于國內(nèi)、具有核心競爭力的產(chǎn)業(yè)體系。   要優(yōu)先發(fā)展集成電路設計業(yè)，重點發(fā)展通用的、新結(jié)構(gòu)的CPU、DSP、數(shù)/模、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器、存儲器、可編程器件等核心關鍵芯片。在SOC核心芯片設計、SOC設計方法和設計自動化等領域集中部署一批對SOC發(fā)展起支撐作用的原創(chuàng)研究和關鍵技術研究，積極研發(fā)下一代集成電路設計工具，開發(fā)一批關鍵可復用IP核產(chǎn)品，產(chǎn)生一批集成電路設計領域的專利、標準和專有技術，提升我國集成電路設計業(yè)的自主創(chuàng)新能力。   積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線建設，推動現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術升級。在集成電路制造工藝方面，要重點發(fā)展面向8～12英寸圓片的90納米、65納米、45納米大生產(chǎn)工藝技術、特種工藝技術，形成工藝自主開發(fā)能力，開發(fā)新型集成電路封裝技術及產(chǎn)品，積極采用新型封裝測試技術，重點發(fā)展球柵陣列（BGA）、針柵陣列（PGA）、芯片級封裝（CSP）、多芯片組件（MCM）、系統(tǒng)級封裝（SIP）等高密度封裝技術。在半導體集成電路制造裝備方面，著力在關鍵核心設備上集中投入，形成突破，贏得裝備發(fā)展的主動權。   預計到2010年，我國集成電路制造業(yè)大生產(chǎn)技術將達到12英寸、90～65納米；封裝測試業(yè)進入國際主流領域，實現(xiàn)BGA、SIP、CSP、MCM等新型封裝形式的規(guī)模生產(chǎn)能力，部分關鍵技術裝備、材料將取得突破。集成電路設計業(yè)具備采用屆時國際最先進大生產(chǎn)工藝進行產(chǎn)品設計，支撐網(wǎng)絡通信、信息安全和數(shù)字家電等關鍵電子信息產(chǎn)品自主發(fā)展的能力，在設計方法學和設計工具的部分領域取得突破性進展。   元器件   隨著全球信息技術從模擬向數(shù)字轉(zhuǎn)變，電子元器件正面臨著升級換代，新型平板顯示器件正在逐步替代CRT，微型化、高性能等片式元器件正逐步替代傳統(tǒng)器件。  然而，我國國內(nèi)整機產(chǎn)品所需的新型元器件還大量依賴進口，貿(mào)易逆差在逐步加大。因此，“十一五”期間，要繼續(xù)鞏固我國在傳統(tǒng)元器件領域的優(yōu)勢，堅持跟蹤與突破相結(jié)合、引進與創(chuàng)新相結(jié)合，加快新型元器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。重點發(fā)展平板顯示器件及其他片式化、微型化、集成化、高性能、綠色環(huán)保的新型元器件。   在平板顯示器件方面，要優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的結(jié)合，提高自主創(chuàng)新能力。支持建設第六代以上TFT-LCD面板生產(chǎn)線，加快國內(nèi)關鍵配套件的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產(chǎn)設備以及材料上取得突破；重點發(fā)展42英寸以上PDP顯示屏、驅(qū)動電路及模塊，掌握規(guī)模量產(chǎn)技術，建設PDP顯示屏及模塊生產(chǎn)線，鼓勵引導設備和專用材料的開發(fā)和國產(chǎn)化。   積極組織OLED/PLED、SED器件和模塊的基礎技術研發(fā)，掌握部分關鍵技術，為產(chǎn)業(yè)化奠定基礎；積極發(fā)展小尺寸手機主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏，力爭滿足國內(nèi)市場需求。加快傳統(tǒng)彩管產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端彩管產(chǎn)品。   在元器件產(chǎn)業(yè)方面，要以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標，突破關鍵技術，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游互動發(fā)展，著力培育優(yōu)勢骨干企業(yè)，推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級。重點圍繞計算機、網(wǎng)絡通信、數(shù)字化家電產(chǎn)品、汽車電子、環(huán)保節(jié)能產(chǎn)品以及改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的需求，發(fā)展相關的片式電子元器件、印制電路板、敏感元件和傳感器、混合集成電路、新型機電組件、綠色電池、新型電力電子器件、光通信器件、高亮度發(fā)光二極管。   預計到2010年，我國電子元器件總產(chǎn)量將達到3萬億只，銷售收入達到2.6萬億元，阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到30%，國內(nèi)市場占有率達到50%。新型顯示器件產(chǎn)業(yè)具有較強的國際競爭力，建立起以企業(yè)為主體，產(chǎn)學研相結(jié)合的創(chuàng)新體系，形成可持續(xù)發(fā)展能力。逐步提高國產(chǎn)化水平，實現(xiàn)中、高檔產(chǎn)品滿足國內(nèi)市場需求的50%以上，中、低檔產(chǎn)品基本滿足國內(nèi)市場的需求。   電子材料和專用設備儀器   電子材料和電子專用設備儀器是我國電子信息制造業(yè)的核心基礎產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，位于整個產(chǎn)業(yè)鏈的前端。然而，我國電子材料的基礎薄弱，缺乏骨干企業(yè)，研發(fā)能力不強，國內(nèi)急需的電子材料基本被國外企業(yè)控制，電子專用設備儀器的總體水平距離世界先進水平有很大距離，集成電路關鍵設備基本依賴進口。這些都成為制約我國電子產(chǎn)品制造業(yè)由大到強的瓶頸。因此，從國家的中長期科技發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃中，都強調(diào)電子專用設備儀器材料等基礎產(chǎn)業(yè)的重要地位，強調(diào)要加強產(chǎn)業(yè)鏈的延伸和完善。   在電子材料領域，“十一五”重點要提高電子專用材料配套能力，重點加大基礎技術研究和產(chǎn)品工藝技術的開發(fā)，提高電子材料的本地化水平；重   點發(fā)展半導體關鍵材料；提高平板顯示器件重要材料的國產(chǎn)化配套能力；鼓勵量大面廣的電子材料的升級換代，發(fā)展環(huán)保型電子材料。   在電子專用設備儀器方面，加大國際合作，加強共性基礎技術研究，突破部分關鍵技術，縮小電子專用設備和儀器、工模具與國外先進水平的差距。  以數(shù)字電視和新一代移動通信等產(chǎn)業(yè)發(fā)展為契機，推動產(chǎn)品工藝與設備儀器開發(fā)相結(jié)合，促進產(chǎn)用結(jié)合。加強政策引導，加大政府投入，大力發(fā)展集成電路、平板顯示器件等重大技術裝備，鼓勵開發(fā)量大面廣的新型元器件生產(chǎn)設備、表面貼裝和支持無鉛工藝的整機裝聯(lián)設備，加大高性能測試儀器的研發(fā)力度。   經(jīng)過“十一五”的發(fā)展，到2010年，使我國電子材料產(chǎn)業(yè)國內(nèi)平均自我配套能力達到30%以上，培育若干名牌產(chǎn)品和重點企業(yè)，主要電子信息材料的技術水平和產(chǎn)品性能與當時的國際水平相當，并形成相應的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。部分電子專用設備產(chǎn)品技術水平接近國際先進水平。電子測量儀器產(chǎn)業(yè)基本實現(xiàn)以正向設計為主的開發(fā)模式，初步掌握核心技術并部分擁有自主知識產(chǎn)權。 

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  • 盤點上半年臺灣地區(qū)IC產(chǎn)業(yè) 設計表現(xiàn)最佳

    工研院IEK日前針對2007上半年(07H1)臺灣IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況發(fā)表最新調(diào)查報告指出，該產(chǎn)業(yè)總體產(chǎn)值(含設計、制造、封裝、測試)為6,813億新臺幣，較06H2衰退9.1%，較06H1增長5.8%。 以產(chǎn)業(yè)類別來看，其中設計業(yè)產(chǎn)值為1,815億新臺幣，較06H2增長4.9%，較06H1增長20.8%；制造業(yè)為3,503億新臺幣，較06H2衰退16.5%，較06H1增長0.8%；封裝業(yè)為1,020億新臺幣，較06H2衰退6.8%，較06H1增長0.7%；測試業(yè)為475億新臺幣，較06H2增長0.4%，較06H1增長5.3%。 在IC設計業(yè)的部分，根據(jù)IEK的觀察，2007上半年雖然為計算機產(chǎn)業(yè)及消費電子產(chǎn)品的傳統(tǒng)淡季，但淡季不淡，各產(chǎn)品線營收仍比前季有增長表現(xiàn)。其中，受惠于全球新興市場對多媒體功能手機的強勁需求，手機芯片營收表現(xiàn)比去年同期倍增；高分辨率電視芯片則因?qū)H一線大廠客戶出貨續(xù)增、全球需求驟增，營收為去年同期三倍。 在消費類芯片方面，臺灣消費類芯片業(yè)者營收在無殺手級新產(chǎn)品出現(xiàn)的情況下陷入低迷。至于內(nèi)存設計業(yè)者在光驅(qū)、顯卡內(nèi)存等利基型內(nèi)存價格持穩(wěn)，以及手持裝置用(如手機、PDA)所需的內(nèi)存出貨增加下，廠商營運表現(xiàn)尚可。通信與模擬芯片則是2007Q2表現(xiàn)最搶眼的二個類別，由于新產(chǎn)品持續(xù)推出與量產(chǎn)，使得通信與模擬芯片設計公司業(yè)績比去年同期增加三四成。 在晶圓代工方面，2007年第一季表現(xiàn)不佳，但2007年第二季顯現(xiàn)提前復蘇的跡象，比第一季增長13.2%，產(chǎn)值達到1,035億新臺幣。展望第三季，IEK認為隨著晶圓代工客戶庫存消化順利，訂單將呈現(xiàn)逐季擴增的情形。 IEK表示，尤其在PC及手機相關芯片需求增長以及IDM大廠持續(xù)在12寸晶圓廠90及65納米制程訂單擴大外包的情況下，再搭配成熟制程市場方面來自于DTV、Display Drivers等消費性電子步入第三季出貨旺季，與2008年北京奧運所帶動的商機推動下，臺灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)第三季將延續(xù)第二季觸底反彈后的態(tài)勢持續(xù)增長。 就DRAM而言，2007上半年受到PC產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季的影響，加上DRAM產(chǎn)能供過于求，致使DRAM產(chǎn)品的ASP大幅下降。使得臺灣IC制造業(yè)自有產(chǎn)品(主要為DRAM)產(chǎn)值比上季(2007年第一季)下滑29.4%，但比去年同期(2006年第二季)則下滑11.4%。 IEK指出，臺灣DRAM業(yè)者在12寸廠產(chǎn)能及良率不斷提升，以及制程技術進一步微縮的推進之下，DRAM產(chǎn)出顆粒持續(xù)增加；展望第三季，由于國際的內(nèi)存大廠如韓國的Samsung及Hynix因應NAND Flash市場的需求回溫，以及較好的ASP，已將上半年投入DRAM生產(chǎn)的產(chǎn)能重新回撥，以增加NAND Flash的產(chǎn)能。 此一趨勢這使得DRAM產(chǎn)能的供需回到較好的狀況，配合下半年PC出貨的傳統(tǒng)旺季、新版微軟操作系統(tǒng)Vista的降價，以及企業(yè)用戶采用的比例增加等有利因素，將使臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的增長性比上半年來得好。 在IC封裝業(yè)的部分，2007年第一季產(chǎn)值雖然呈現(xiàn)衰退6.5%，但2007年第二季整體營收比上季呈現(xiàn)微幅增長的態(tài)勢。展望下半年新客戶及訂單量增加的趨勢，配合封裝廠商的產(chǎn)能利用率及平均接單價格(ASP)都呈現(xiàn)趨穩(wěn)的態(tài)勢，供需情勢穩(wěn)定，產(chǎn)能及營收將可呈現(xiàn)逐季擴增的情況?？傆?007年第二季臺灣封裝產(chǎn)值為520億新臺幣，較2007年第一季增長4.0%。 在IC測試業(yè)的部分，2007年第一季產(chǎn)值雖然小幅衰退2.1%，但2007年第二季的季增長率為6.5%。展望下半年，除DRAM測試產(chǎn)能之外，NAND Flash的需求也受惠于國際大廠的持續(xù)釋單而增加，帶動NAND Flash的測試需求及整體測試市場。而國際整合組件制造廠外包代工的比重也持續(xù)增加。 展望07Q3臺灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可達3,960億新臺幣，較07Q2增長15.9%。其中設計業(yè)產(chǎn)值為1,010億新臺幣，較07Q2增長3.6%；制造業(yè)為2,060億新臺幣，較07Q2增長22.8%；封裝業(yè)為620億新臺幣，較07Q2增長19.2%；測試業(yè)為270億新臺幣，較07Q2增長10.2%。整體而言，預估2007年臺灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可達1兆5,291億新臺幣。

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  • 飛兆訴訟官司受挫 被判侵犯PI四項專利

    飛兆半導體(Fairchild Semiconductor)日前表示，在官司中遭到挫折。美國特拉華州聯(lián)邦地方法院的一個陪審團裁定，一起訴訟中涉及的四項Power Integrations Inc.(PI)專利有效。 去年末，陪審團裁定飛兆半導體蓄意侵犯了Power Integrations公司的四項專利，并要求向后者賠償約3,400萬美元的損失。 飛兆半導體表示該裁決不當而且令人失望，并表示計劃質(zhì)疑該裁決以及訴訟過程中的其它問題。飛兆半導體表示，將很快啟動這一程序，將在未來幾天和幾周提出一系列動議，必要的話將提起上訴。 飛兆半導體已經(jīng)推出了新一代先進脈寬調(diào)制(PWM)控制器，以及代替涉案產(chǎn)品的相關產(chǎn)品。飛兆半導體也在另一起訴訟中控告Power Integrations侵犯其專利。

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