很多家庭仍然選擇使用燃?xì)鉄崴?,這與其供熱水快、即開(kāi)即用、水量不受限制、使用成本低等因素有關(guān)。但是在享受燃?xì)鉄崴鲙?lái)的諸多便捷時(shí),更應(yīng)當(dāng)關(guān)心下你家的燃?xì)鉄崴魇欠翊嬖诎踩[患。近日,中消協(xié)發(fā)布安全消
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮
日前業(yè)界傳出中國(guó)大陸工信部將推出新的節(jié)能政策。從11月起,大陸的LED路燈工程標(biāo)將分三梯次開(kāi)標(biāo),主要是二、三線城市,規(guī)模會(huì)大過(guò)第一波的十城萬(wàn)盞三倍。由于新一波的LED路燈標(biāo)強(qiáng)調(diào)規(guī)格,以臺(tái)灣已經(jīng)開(kāi)標(biāo)的
2013年對(duì)于亞太地區(qū)許多行業(yè)來(lái)說(shuō),依然極具挑戰(zhàn),尤其對(duì)那些客戶比較依靠全球經(jīng)濟(jì)的行業(yè)。e絡(luò)盟亞太區(qū)董事(北亞洲)奧瑪·平加利先生表示,目前電子產(chǎn)業(yè)中有許多細(xì)分市場(chǎng)銷(xiāo)售額處于增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),例如照明市場(chǎng),尤其是L
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013&rdq
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮
LED晶 粒廠推出的覆晶元件,獲得日系智慧型手機(jī)廠的認(rèn)證,將會(huì)用在智慧型手機(jī)的Flash閃光燈,預(yù)計(jì)將在明年第一季出貨。由于手機(jī)閃光燈需要可以承受瞬 間高電流的晶粒產(chǎn)品,能獲得認(rèn)識(shí)相當(dāng)不簡(jiǎn)單,也成為首家
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”(日本
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開(kāi)始提供該晶圓的樣品,此次確立了量產(chǎn)化技術(shù),從10月份開(kāi)始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開(kāi)銷(xiāo)售。據(jù)介紹,6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開(kāi)始提供該晶圓的樣品,此次確立了量產(chǎn)化技術(shù),從10月份開(kāi)始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開(kāi)銷(xiāo)售。據(jù)介紹,6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本,也適合
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開(kāi)始提供該晶圓的樣品,此次確立了量產(chǎn)化技術(shù),從10月份開(kāi)始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開(kāi)銷(xiāo)售。據(jù)介紹,6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢(shì)于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對(duì)手攻勢(shì),將全面啟動(dòng)輕晶圓
PCB焊盤(pán)是指元件通過(guò)PCB上的引線孔,用焊錫焊接固定在PCB上,印制導(dǎo)線把焊盤(pán)連接起來(lái),實(shí)現(xiàn)元件在電路中的電氣連接。引線孔及周?chē)你~箔稱(chēng)為焊盤(pán)。通常把貼裝元器件放置PCB焊盤(pán)上的設(shè)備使用的是貼片機(jī)。貼片機(jī)又稱(chēng)又
臺(tái)灣LED廠受惠于產(chǎn)品線調(diào)整,照明訂單穩(wěn)定之下,本季稼動(dòng)率大幅回升,上看8成-9成。為避免上游磊晶過(guò)度投資的產(chǎn)能競(jìng)賽,也跨足覆晶元件,與臺(tái)積電轉(zhuǎn)投資的臺(tái)積固態(tài)照明成為唯二的兩家供應(yīng)商,力拚單季轉(zhuǎn)盈。
LED產(chǎn)業(yè)迎來(lái)LED照明時(shí)代,臺(tái)LED晶片廠璨圓先進(jìn)制程部專(zhuān)案經(jīng)理李仁智指出,LED產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)M型化趨勢(shì),高單價(jià)但量少的產(chǎn)品占據(jù)一頭,另一邊則是考量成本且量大的產(chǎn)品,而成本下降的趨勢(shì)也促使LED晶片積極投入無(wú)封
東麗2013年9月20日宣布,該公司的“聚合物有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池”達(dá)到了全世界最高的10.6%的轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)天,該公司在“第74屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)秋季學(xué)術(shù)演講會(huì)”(2013年9月16日~20日)上公開(kāi)了該電池的詳細(xì)情況。據(jù)東麗