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思坦科技助力深紫外Micro-LED顯示無掩膜光刻技術(shù)榮登Nature Photonics
深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技與南方科技大學(xué)、香港科技大學(xué)、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合攻關(guān)的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 顯示的無掩膜光刻技術(shù)，于10月15日正式在國際頂尖權(quán)威學(xué)術(shù)期刊 Nature Pho...
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光刻技術(shù)的基本原理是什么？主要有哪些應(yīng)用？
光刻技術(shù)是一種常用于半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵技術(shù)。它是通過使用光刻機將設(shè)計好的芯片圖形投射到半導(dǎo)體材料表面，并進行一系列加工步驟，最終形成微米級別的芯片結(jié)構(gòu)。本文將詳細介紹光刻技術(shù)的基本原理以及主要應(yīng)用。
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在當(dāng)下的半導(dǎo)體先進制程領(lǐng)域中，三星、英特爾、臺積電三足鼎立，各有千秋
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計2022年量產(chǎn)的3納米，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程，這是臺積電邏輯制程激蕩的35年。
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在當(dāng)下半導(dǎo)體先進制程領(lǐng)域中，三星、英特爾、臺積電三足鼎立各有千秋
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計2022年量產(chǎn)的3納米，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程，這是臺積電邏輯制程激蕩的35年。
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可編程邏輯件概述
可編程邏輯器件 英文全稱為：programmable logic device 即 PLD。PLD是做為一種通用集成電路產(chǎn)生的，他的邏輯功能按照用戶對器件編程來確定。一般的PLD的集成度很高，足以滿足設(shè)計一般的數(shù)字系統(tǒng)的需要。
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光刻技術(shù)的工藝流程和曝光系統(tǒng)
集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級)，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。
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中科院辟謠：5nm光刻技術(shù)被誤讀，國產(chǎn)水平在180nm
今年 7月份，中科院發(fā)表的一則《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關(guān)注。 當(dāng)時，華為正被美國打壓，中國芯片產(chǎn)業(yè)成為了國人的心頭憂慮。 因此，中科院此新聞一出，遭部分媒體夸張、誤解之后，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為“中國不用EUV光刻機，便能制造出5nm芯片”，但事實并非如此。
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5nm光刻技術(shù)突破ASML壟斷？中科院研發(fā)者回應(yīng)，真相是這樣的！
近日，中國科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布的一則研究進展顯示，該團隊研發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，隨后這被外界解讀為，已經(jīng)5nm ASML的壟斷，對此相關(guān)人士也是進行了回應(yīng)。
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深度：光刻技術(shù)的?歷史與現(xiàn)狀
集成電路的飛速發(fā)展有賴于相關(guān)的制造工藝—光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)是迄今所能達到的最高精度的加工技術(shù)。集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會的基石。集成電路的發(fā)明使電子產(chǎn)品成本大幅度降低，尺寸奇跡般減小。
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泛林集團推出全新適用于200mm的光刻膠剝離技術(shù)
泛林集團旗下GAMMA?系列干式光刻膠剝離系統(tǒng)推出最新一代產(chǎn)品，將該系列GxT?系統(tǒng)晶圓加工能力從300mm拓展至200mm。
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EV Group通過LITHOSCALE技術(shù)實現(xiàn)無掩膜光刻技術(shù)在批量生產(chǎn)中的運用
該系統(tǒng)整合了EV Group的MLE?（無掩膜曝光）技術(shù)的LITHOSCALE?，使多種應(yīng)用和市場得以利用數(shù)字光刻技術(shù)的優(yōu)勢。
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美國國防部資助了一項新的光刻技術(shù)項目
Multibeam Corporation 確認(rèn)已開始一項雄心勃勃的項目，以應(yīng)用其創(chuàng)新的Multicolumn電子束光刻技術(shù)（MEBL）對45nm及更大節(jié)點上的整個晶圓進行構(gòu)圖，無需使用任何光罩，即可進行后端（BEOL）處理。
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
這幾年，天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進：7nm工藝上獨步天下，5nm工藝也正在量產(chǎn)，3nm工藝就在不遠處，2nm工藝也正在藍圖上鋪開…… 在最新的2019年年報中，臺積電
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扇出型封裝技術(shù)難題
現(xiàn)在的技術(shù)的發(fā)展也推動著封裝技術(shù)的不斷發(fā)展。先進封裝技術(shù)已進入大量移動應(yīng)用市場，但亟需更高端的設(shè)備和更低成本的工藝制程。更高密度的扇出型封裝正朝著具有更精細布線層的復(fù)雜結(jié)構(gòu)發(fā)展，所有這些都需要更強大的光刻設(shè)備和其它制造設(shè)備。
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我科學(xué)家另辟蹊徑造出9納米光刻試驗樣機
記者從武漢光電國家研究中心獲悉，該中心甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠場光學(xué)的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段，實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。
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7nm EUV芯片來臨！三星宣布今年6月開啟大規(guī)模生產(chǎn)
據(jù)businesskorea報道，三星電子將于今年6月開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米(nm)極紫外(EUV)芯片。
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科學(xué)家開發(fā)微電池 有望實現(xiàn)設(shè)備小型化
通過結(jié)合3D全息光刻和2D光刻技術(shù)，美國伊利諾伊大學(xué)厄巴納—香檳分校的科學(xué)家日前開發(fā)出一種適用于大規(guī)模集成電路的高性能3D微電池。研究人員稱，這種微型高能電池具有
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受EUV光刻技術(shù)推動 芯片突破摩爾定律
【導(dǎo)讀】在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑
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英特爾CEO：EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
北京時間10月31日消息，據(jù)美國科技博客BusinessInsider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容
